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本文着重研究了0.6μmTiSi2PolycideLDDNMOS器件工艺技术.用RIE刻蚀获得了0.6μm严格各向异性的精细结构2分析研究表明TEOSSiO2膜厚tf、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度W的重要因素,经优化后可控制W为0.30~0.32μm;在Al与Si之间引入一层TiN/Ti复合层作为Al-Si间的扩散势垒层,获得了良好的热稳定性.上述工艺技术已成功地应用于0.6μmTiSi2PolycideLDDE/DMOS31级环形振荡器的研制,其平均缴延迟为310Ps(0.29mW/级),工作电压 相似文献
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自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术 总被引:1,自引:0,他引:1
CO/Ti/Si或TiN/Co/Ti/Si多层薄膜结构通过多步退火技术在Si单晶衬底上外延生长CoSi2薄膜,AES、RBS测试显示CoSi2薄膜具有良好均匀性和单晶性.这种硅化物新技术已用于CMOS器件工艺.采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术淀积氮氧化硅薄膜,并用反应离子刻蚀(RIE)技术形成多晶硅栅边墙.固相外延CoSi2薄膜技术和边墙工艺相结合,经过选择腐蚀,可以分别在源漏区和栅区形成单晶CoSi2和多晶CoSi2薄膜,构成新型自对准硅化物(SALICIDE)器件结构.在N阱CMOS工艺 相似文献
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在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实验表明,SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻,改善单管的输出特性,降低SOI/CMOS环振电路门延迟时间,提高SOI/CMOS电路的速度特性。 相似文献
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研究开发了一种准2μm高速BiCMOS工艺,采用自对准双埋双阱及外延结构.外延层厚度为2.0~2.5μm,器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化(简称PBLOCOS)隔离,双极器件采用多晶硅发射极(简称PSE)晶体管.利用此工艺已试制出BiCMOS25级环振电路,在负载电容CL=0.8pF条件下,平均门延迟时间tpd=0.84ns,功耗为0.35mW/门,驱动能力为0.62ns/pF.明显优于CMOS门. 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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300门CMOS/SIMOX门阵列容错ASIC电路的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
本文简要地介绍了3μmCMOS/SIMOX门阵列的设计和制作技术。利用300门门阵列母片成功地实现了容错计算机系统专用总线输出选择逻辑电路SEL。其性能达到了用户要求,平均单级门延迟时间为2.6ns,输出驱动电流为2.4mA. 相似文献
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为配合2000门GaAs超高速门列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究,做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
0.1μm栅长的CMOS电路门延迟为11.8Ps据《NIKKIELECTRONICS》1993年第12—20期报道,1993年12月6~8日在美国召开的国际电子器件会议(IEDM)上,美国AT&T贝尔实验室,IBM公司,日本富士通研究所和东芝研究开发... 相似文献
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采用CoSi2 SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响。通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用。 相似文献
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研究开发一种准2μm高速BiCMOS工艺,该工艺采用乍对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度2.0-2.5μm,器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化隔离,双极器件采用多晶硅发射极晶体管。利用此工艺试制出BiCMOS25级环振,在负载电容CL=0.8pF条件下,平均门延迟时间tqd=0.84ns,功耗为0.35mW/门,驱动能力 0.62ns/pF,明显CMOS门。 相似文献
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脉冲激光沉积铌酸锶钡铁电薄膜及其性能表征 总被引:3,自引:0,他引:3
利用脉冲激光沉积(PLD)技术在MgO、LSCO/MgO衬底上在位制备了铌酸锶钡(SBN)铁电薄膜,发现SBN薄膜在MgO、LSCO/MgO衬底上均呈(001)择优取向。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)表明SBN薄膜的晶粒细小致密,铁电微畴尺寸约为200nm。SBN薄膜的剩余极化强度为18.6μC/cm2,矫顽场为22.3kV/cm。 相似文献