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本文对肖特基势垒场效应晶体管的噪声问题作一综述,并推导其噪声系数公式,同时给出几个计算例子。一、肖特基势垒场效应晶体管的噪声等效电路图1和图2示出一般的肖特基势垒场效应晶体管结构图。 相似文献
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美帝奥托奈蒂克斯公司用硅-兰宝石(SOS)结构制成含有5120个二极管的高速阵列,这是一个由40行×128列二极管构成的唯读存贮器。这种组件可在20兆赫下工作,目前市场上速度最快的 MOS 唯读存贮元件的工作频率范围为3~4兆赫。典型的循环时间为50毫微秒(最小值为30毫微秒),存取时间达20毫微秒。有人曾制成肖特基势垒双极唯读存贮 相似文献
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基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器.该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成.MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元.写“0”操作通过正向偏置二极管实现,而写“1”操作通过反向偏置二极管,同时在控制栅上加负电压使栅控二极管工作为隧穿场效应晶体管(Tunneling FET)来实现.由于正向偏置二极管和隧穿晶体管开启时接近1μA/μm的电流密度,实现了高速写操作过程,而且该器件的制造工艺与闪烁存储器和逻辑器件的制造兼容,因此适合在片上系统(SOC)中作为嵌入式动态随机存储器使用. 相似文献
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介绍用MBE制备的带超薄P~+Al_(0.2)Ga_(0.8)As基极的GaAs n~+iδp~+in~+体势垒晶体管。该器件除具有平面掺杂体势垒外,其势垒高度还可改变。基一射结偏压和入射光强度都能调节集电极电流。 相似文献
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SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性 总被引:1,自引:0,他引:1
将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开启,工作电压应当低于0.7V.而采用反偏肖特基势垒结构,DTMOS的工作电压可以拓展到0.7V以上.实验结果显示,室温下采用反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构,阈值电压可以动态减小200mV.反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构相比于传统模式,显示出优秀的亚阈值特性和电流驱动能力.另外,对浮体SOI器件、传统模式SOI器件和反偏肖特基势垒SOI DTMOS的关态击穿特性进行了比较. 相似文献
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将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开启,工作电压应当低于0.7V.而采用反偏肖特基势垒结构,DTMOS的工作电压可以拓展到0.7V以上.实验结果显示,室温下采用反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构,阈值电压可以动态减小200mV.反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构相比于传统模式,显示出优秀的亚阈值特性和电流驱动能力.另外,对浮体SOI器件、传统模式SOI器件和反偏肖特基势垒SOI DTMOS的关态击穿特性进行了比较. 相似文献
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基于表面沟道型平面肖特基势垒二极管基本结构,采用GaAs 0.15μm伪高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistors, pHEMT)工艺制程,提出了一种垂直沟道长跨度空气桥的肖特基二极管模型.研究了不同阳极直径对肖特基二极管级联电阻的影响,对比分析了不同焊盘间距下肖特基二极管模型的S参数仿真结果,得到最优空气桥长度;仿真了最优焊盘间距下二极管肖特基结的TCAD模型,根据仿真得到的特性曲线提取肖特基二极管的SPICE参数.经实验测试,该二极管具有极低的零偏置结电容,截止频率高达9 THz,仿真结果与实测结果吻合度较高,可用于太赫兹频段上. 相似文献
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Shinichi Takgi 《微电子学》1993,(6)
本专利发明的一种半导体存储器包含有SOI衬底,在SOI衬底上,半导薄膜制作在半导体衬底上,在它们之间插入一绝缘物膜。由制作在SOI衬底上的MOS开关晶体管形成存储单元结构,江崎二极管制作在MOS晶体管上。这种存储器件还包含由复杂隧道二极管提供的存储单元和由江崎二极管提供的另外存储单元,隧道二极管与半导体衬底上构成场效应晶体管的掺杂区之一连接,而江崎二极管则是 相似文献
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报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p~+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p~-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10~(-5)Ω·cm~2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm~2,比导通电阻0.45 mΩ·cm~2,整流比1×10~(10)以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。 相似文献
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美国某公司试制成带宽为100千兆赫的平面型砷化镓(GaAs)肖特基势垒光电二极管.基片是平面的半绝缘性GaAs,在它上面用液相外延法形成0.4微米厚的N~+GaAs层和0.3微米厚的NGaAs层.NGaAs层的自由电子密度为1×10~(17)/厘米~3;对肖特基势垒和 相似文献
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《红外与毫米波学报》2021,(2)
提出了一种简单、科学、有效的高截止频率肖特基势垒二极管设计方法。通过SMIC 180 nm工艺制备的肖特基二极管的截止频率为800 GHz,分析测试结果和仿真数据优化后的肖特基势垒二极管截止频率可以达到1THz左右。完成了包括天线、匹配电路和肖特基势垒二极管的集成探测器,在220 GHz下其测试响应率可达130 V/W,等效噪声功率估计为400 pW/Hz~(1/2)。完成了陶瓷瓶内不可见液面的成像实验并取得了良好的效果。 相似文献
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研究了4H-SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni/SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H-SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延,外延温度1580℃,最后得到了低缺陷密度的3英寸外延片。采用了原子力显微镜和扫描电子显微镜进行了测试。在外延片上进行的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的制造,采用了B+离子注入形成的一个非晶区域作为边缘终端,然后使用经过1000℃下退火10min的PECVD生长的SiO2作为场板介质。最终得到的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的理想因子为1.03,势垒高度为1.6eV,在反向偏压1102V时,漏电流密度只有1.15×10-3A/cm2。在正向压降3.5V时得到了7.47A的大电流输出,特征导通电阻为6.22Ω.cm2。 相似文献
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用CWCO_2激光器辐照Al-Si系统,制成了肖特基势垒。介绍了这些二极管的电特性,其反向击穿电压可与普通的P~+-n结二极管相比较,并具有较大的势垒高度、较小的开启电压和好的整流特性。 相似文献
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低阻 ZnS“理想”肖特基二极管的制备和研究对具有势垒接触金属—半导体结构的肖特基二极管的研究不仅有科研价值,而且也有实际意义。从科学意义来讲,肖特基二极管是一种最简单的结构,在某种程度上它可以作为一种模型,用它来验证理论计算和某些预言是否正确。此外,研究这些结构的必要性还在于有一系列理论和实验工作强调离子键和表面络合物大部份对形成“理想”二极管的重要作用。下一步来比较 相似文献
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提出了一种简单、科学、有效的高截止频率肖特基势垒二极管设计方法。通过SMIC 180 nm工艺制备的肖特基二极管的截止频率为800 GHz,分析测试结果和仿真数据优化后的肖特基势垒二极管截止频率可以达到1 THz左右。完成了包括天线、匹配电路和肖特基势垒二极管的集成探测器,在220 GHz下其测试响应率可达130 V/W,等效噪声功率估计为400 pw/ 。完成了陶瓷瓶内不可见液面的成像实验并取得了良好的效果。 相似文献