基于BP神经网络的模塑封电子器件优化设计

针对塑封SOT(小外形晶体菅)器件的使用失效案例,从芯片设计角度出发,提出一种优化设计方法,该方法利用误差反向传播神经网络(BPNN),结合主成分分析(PCA)、遗传算法(GAs)及均匀设计的针对非线性系统的优化设计,设计了该塑封SOT器件的尺寸参数。结合实验和有限元模拟分析,验证该优化设计结果的有效性。结果表明,优化设计的器件各关键界面点的最大应力约减少了70~180MPa,器件的界面层裂现象得到消除,提高了器件的可靠性。     

用于雷达的新型真空电子器件

真空电子器件在雷达的发展历程中发挥了重要作用,是雷达系统的核心器件,两者相辅相成、相互促进。随着设计仿真能力的不断提升,以及新材料新工艺的出现,真空电子器件出现了一些新的发展动向。器件性能不断提升,也出现了一些新型真空电子器件,这都为新型雷达探测技术的发展提供了很好的器件支撑。该文从微波毫米波器件及功率模块、集成真空电子器件、太赫兹、大功率和高功率5个方面介绍了真空电子器件新的发展趋势以及所取得的最新研究成果。      

用于电子器件的有机超薄薄膜

本文从实用的观点评论了有机超薄薄膜在磁带介质的润滑、非线性波导的结构以及有机分子的外延生长方面的研究工作，由此可见，新型功能有机超薄膜的开发对未来的电子器件是一件必不可少的研究课题。     

用于智能卡的紫外线固化包封技术

智能卡是一张薄薄的薄塑料卡,里面有一块集成电路,它可能是存储器,也可能是微处理器,这取决于它的用途。在使用时,通过机械接触或者利用遥控阅读器发射的射频调制信号使芯片工作,前者称为接触式智能卡,后者称作无接触式智能卡。     

用于海上风电场电力电子器件的铝金属

正研究者将金属升级以承受极端环境以柏林FraunhoferIZM为首的德国财团正努力增强铝材的性能,以用在未来对耐久性要求非常高的应用中。由BMBF资助的HotAL*项目正研究新型铝合金,由于加工方式的调整,这种铝合金可在极端条件下也确保可靠的电气连接。有了这项技术,提供诸如海上风电场这类能源设施系统解决方案的公司将能够为强大的系统开发全新的制造工艺,而且可降低维护需求和总的安装运行成本。     

用于EMI屏蔽的注射模塑材料的选择

屏蔽材料选择标准包括组成，最小壁厚和目标衰减水平。     

用于真空电子器件的非ODS水剂清洗工艺

由于零件表面的污物组分复杂,真空电子器件,如ＣＰＴ、ＣＤＴ用的销钉、阳极帽等零件原来全部采用ＯＤＳ溶剂清洗,为获得极洁净的表面,本文介绍一种非ＯＤＳ水剂清洗技术。其清洗剂主要组分包括脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇酰胺等多种表面活性剂和助剂,符合对人无毒、对环境无毒、对臭氧层无损耗、不含磷酸盐及壬基苯酚乙基盐等综合要求。对清洗过的零件,进行常规检验和Ｘ射线能谱分析的结果表明,非ＯＤＳ水剂清洗工艺的清洗能力     

用于GaAs贯穿注入和包封退火的AlN薄膜

用直流反应溅射淀积的ＡｌＮ薄膜包封介质对ＧａＡｓ进行了贯穿注入和包封退火，用电化学Ｃ－Ｖ法测量载流子的分布，实验结果与ＴＲＩＭ模拟结果符合得很好，用５０ｎｍ的ＡｌＮ包封进行贯穿注入和退火，得到了较小的标准偏差，较陡峭的载流子分布和较高的激活率，应用ＡｌＮ包封层后，当注入能量１８０ｋｅＶ，注入剂量７．５×１０＾１３ｃｍ＾－２时，所得到的最高载流子浓度为１．８４×１０＾１８ｃｍ＾－１样品方块电阻为１１     

用于GaAs贯穿注入和包封退火的AIN薄膜

用直流反应溅射淀积的AIN薄膜作包封介质对GaAs进行了贯穿注入和包封退火。用电化学C－V法测量了载流子的分布。实验结果与TRIM模拟结果符合得很好。用50nm的AIN包封进行贯穿注入和退火，得到了较小的标准偏差，较陡峭的载流子分布和较高的激活率。应用AIN包封层后，当注入能量180keV，注入剂量7．5×10~13cm~－2时，所得到的最高载流子浓度为1．84×10~18cm~－3，样品方块电阻为118Ω／□。     

三明治结构石墨烯有望用于制造高频电子器件

正英国曼彻斯特大学的科学家发现,含有白色石墨烯的三明治结构石墨烯有望用于制造高频电子器件。由诺贝尔奖获得者曼彻斯特大学的诺沃肖洛夫领导的研究团队已证实,通过将二维材料堆叠组合,可产生用于下一代晶体管的完美晶体结果。该研究成果发表于自然纳米杂志上。该研究的合作方包括英国兰开斯特和诺丁汉大学的科学家,以及俄罗斯、韩国和日本的科研人员。     

用于功率电子器件冷却的粘合技术及铜焊接技术

粘合是一种利用特殊设计的热环氧树脂来实现接合的技术，铜焊接则是一种利用高温实现纯金属接合的技术，本文首先对二者的性能及特点作简单介绍，在此基础上，从热、机械、电子三个方面对这两种技术在风冷应用中的优点和不足进行了探讨。然后，同样是从热、机械、电子三个方面，对铜焊接技术在液冷应用中的优势进行了分析，并给出了应用实例。     

注硅InP的包封与无包封热退火

半绝缘InP单晶离子注入硅后,进行了包封与无包封热退火研究。结果表明:用SiO_2膜作包封层的注Si~+InP样品在热退火温度达580℃时开始龟裂,而退火温度高达750℃才能开始激活。用磷硅玻璃作盖片的无包封热退火,在720～750℃范围样品表面光亮,激活率为30～95％,霍耳迁移率最高可达1900cm~2/V·s,薄层电阻最低可达203Ω/□。实验中采用高纯氩气作为保护气体,比传统使用的氢气安全、简便。     

散粒噪声用于纳米电子器件与结构的量子效应表征

论述了纳米电子器件与结构中散粒噪声的产生机理和影响因素,表明散粒噪声与输运过程密切相关,按照噪声功率谱的幅值大小将散粒噪声分为泊松散粒噪声、亚泊松散粒噪声和超泊松散粒噪声四类。将散粒噪声的这些规律应用于纳米电子器件和结构,可表征不同器件与结构中的量子效应。利用散粒噪声已经成功检测到无序导线中的开放通道与量子点混沌腔中的波动性,测量出超导体与分数量子霍尔效应中的准粒子电荷。将散粒噪声用于检测纠缠态对量子计算具有重要的意义,自旋相干输运的检测是自旋电子学的重要研究课题。     

用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导

研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从AHhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.     

用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导

研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从AHhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.