半导体盘

半导体盘齐江目前，硬磁盘和软磁盘都被用作电子计算机的外部存储器，它们是利用磁记录材料制成的圆片状磁性介质。而可以代替磁盘工作的半导体盘完全不同，它是由半导体集成电路制成的数字存储器，又称为半导体存储器（ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＭｅｍｏｒｙ）。半导体...     

产品·市场·信息

<正> 黑龙江大学敏感技术研究所于1988年研制出一种新型金属氧化物半导体酒敏器件。这种传感器是利用乙醇在半导体表面的化学吸附作用而引起的表面能带变化,进而改变表面电导率和传感器体电阻的原理制成的。     

二氧化钛氧传感器的研究

<正> 二氧化钛氧传感器探头是在95％氧化铝瓷基片上首先制作叉指形铂电极,然后在上面沉积上一层多孔的二氧化钛多晶半导体层,并在半导体层中渗入各种敏化剂而制成。研究了各种沉积方法对结构与性能的影响。在半导体气体传感器中晶粒和孔度大小是二个至关重要的结构因素,它对工作温度、反应时间、机械强     

离子注入工艺制作半导体应变片的初探

半导体应变片是利用半导体压阻效应的原理,采用集成电路工艺技术,在N型硅片上,掺杂P型杂质而形成的压敏电阻器。 通常,是将半导体应变电阻组成电桥,通过某种结构形式,制成半导体应变     

EPROM的特殊应用

<正> EPROM 是半导体材料制成的可擦除可编程只读存贮器,一般作为计算机系统中存贮程序指令、数据和表格的只读存贮器。一片EPROM 分为地址线、数     

硅压阻式力敏器件及传感器的稳定性

<正> 国外一些工业发达国家的半导体压力传感器已达到产业化、商品化的程度。我国从研制生产到使用仍处于小批量试制阶段,除了其它原因之外,传感器的稳定性方面的指标令人不够满意也是很重要的一个因素。 压力传感器的硅杯芯片是通过双面硅片加工工艺制成。正面用半导体平面工艺加工力敏     

压阻式绝对压力传感器的研制

<正> 压阻式绝对压力传感器是利用单晶硅的压阻效应,在周边固支的圆型膜片上采用半导体平面工艺,在晶片特定的方向和位置上制成电阻并组成全桥电路,最后通过静电封接技术形成真空腔制成。     

中国科学院上海冶金研究所研制成功GaAs霍耳磁敏元件并通过鉴定

<正> 中科院上海冶金研宄所研制成功离子注入高线性GaAs霍耳磁敏元件,并于1985年9月通过鉴定。 GaAs霍耳磁敏元件是根据半导体在磁场中产生的霍耳效应而制成的一种磁敏     

InSb磁敏电阻器的开发

<正> InSb磁敏电阻器是利用半导体磁阻效应制成的一种磁敏元件。因为这种元件的基本结构是一种两端型结构,所以在各种应用中,特别是在电路布局中就比四端型霍尔元件有许多优越性。     

光敏电阻的检测与使用

光敏电阻主要是根据敏感材料硫化镉CdS或硒化镉(CdSe)的内光导效应制成的特殊电阻,是一种半导体光电器件,它对光线非常敏感。其原理是:光敏电阻受光照射时半导体吸收光能挣脱原子束缚的价电子数增多,因而自山电子——空穴对数目增加,半导体的导电能力增强,阻值降低。光敏电阻适用于光电自动控制,照度计,电子照相机,光报警装置中。其结构特征是把条状的光敏材料封装在圆形管壳内,有的还用玻璃等透明材料制成防护罩。和普通电阻器一样,它也有两根引线。     

气体传感器及其进展

<正> 表1所列的气体传感器中,目前以半导体式生产量最大,其中特别是以SnO_2为材料的气体传感器,最为实用。另外,汽车中检测燃烧情况的氧化锆传感器也很引人注目。FET型气体传感器可望制成超     

非金属发热元件

<正> 前言 众所周知,发热材料种类繁多,例如Ni-Cr系合金型、P-NTC系热敏半导体陶瓷型、SnO_2-Sb系金属氧化物半导体薄膜型、石墨-炭黑系非金属厚膜型等等。 本文要介绍的就是应用石墨-炭黑系非金属发热材料制成的发热元件,这种发热元件是属于厚膜型的发热元件,它是由电阻浆料通过涂敷工艺,在无机衬底材料上形成适当的面积,最后在高温条件下完成烧结,也只有在高温条件下涂敷的膜才具有一定的电阻值。 电阻浆料是由非金属材料的导电粒     

抗干扰的单稳态电路

<正> 由NE555集成电路制成的单稳态电路抗干扰性能差,受电源波动影响容易误触发。这里介绍一种由新型二端半导体发光器件——负阻发光二极管组成的抗干扰性能好的单稳态电路,如图所示。     

ML—12型力敏应变片的设计

一、前言 ML—12型力放应变片系采用半导体平面工艺,在N型硅单品片上扩散P型杂质,形成两个电阻条而制成的。它具有体积小,灵敏度高等优点,是一种新颖的半导体力敏应变片。它适用于各种贴片式加速度传感器和其它贴片式力传感器。 ML—12型力敏应变片是综合了加速     

产品介绍

MLG—2型加速度传感器是利用半导体材料的压阻效应,采用半导体集成工艺制成。由于设计制作了技术指标先进的ML型力敏应变片与集中应力式悬臂梁,因而该传感器具有体积小、重量轻、灵敏度高、低频响应好等特点,为目前加速度传感器中最新一代产品。用于检测低g值振动加速度。配合适当电路可测量振动速度     

基于光电子的半导体异质结构研究

半导体异质结构是光电器件(尤其是激光器和发光二极管)的基础材料。由各种化合物半导体制成的现代半导体器件可用于生成,检测和调制覆盖整个紫外线到远红外光谱区域的光。随着半导体技术的不断发展,半导体器件可访问的光波长正在稳步向短波紫外线领域扩展,并进一步向远红外和太赫兹光谱区域扩展。本文的目的是介绍有关使用先进的半导体异质结构在该领域中最新的光电材料和器件开发的前沿研究主题。     

美国国家半导体公司(NS)及她的中国代表——晨兴电子科技有限公司简介

1959年仙童半导体公司发明了“平面”处理方法,制成了世界上第一片集成电路。同年,美国国家半导体公司在康乃狄克州丹贝利成立,并於1987年合并了仙童半导体公司,成为技术发展最均匀的半导体公司。美国国家半导体公司的半导体业务主要分为两大类:通讯及运算类,标准产品类。通讯及运算类分为四个部分:以太网络、先进网络、宽域性网络和嵌入式系统;标准产品类有四个部分:模拟器件部、存储器及可     

中国著名科技专家

<正> 阙端麟 1928年5月出生,福建省福州人。半导体材料科学家。中国科学院院士。1951年毕业于厦门大学电机系,现任浙江大学教授、高纯硅及硅烷国家重点实验室学术委员会副主任。50年代末开始提纯硅烷及制备高纯硅的研究,1964年在国内首先用硅烷法在实验室制成纯硅,     

稀土高温热敏电阻及其应用

<正> 热敏电阻是利用半导体材料在一定温度范围中logR与l/T显示出良好的线性关系制成的器件。高温热敏电阻是指使用温度在300℃以上的热敏电阻器。 由于高温热敏电阻温度系数非常大,输出信号强、灵敏度高等优点。国外早在50年代初为了测定喷气发动机的温度就开始了这方面的研究,到70年代为了防止汽     

压力传感器新工艺及其动向

一、前言 硅压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应制成的一种新型压力传感器。这种压阻效应早在三四十年代已被发现,但由于涉及到各种技术问题,特别是半导体工艺和集成电路工艺问题所以一直得不到发展,到了航空测试设备发展受到传感器影响时,这一问题又引起国际航空界人士的重视。此后,人们对半导体锗和硅的