网状阴极法在碳钢表面沉积钽薄膜

介绍了一种新型的在钢铁基体上制备钽薄膜的方法. 该方法用网状钽片作阴极, 它既是放电气体的离解源, 又是沉积钽膜的钽离子供给源, 其设备简单、价格低廉. 实验中发现, 在各个参数配比合适的条件下, 可制备出结构为bcc(体心立方)和tetragonal(四方晶系)的钽薄膜. 薄膜较致密且均匀, 与基体的结合好. 同时分析了在最佳工艺参数条件下合成钽膜的组织结构、表面和断口形貌、结合力等.     

网状阴极辉光放电法在钛合金表面渗镀Ta的应用

设计了一种网状阴极溅射靶，它是由多个空心阴极并列交叉组合而成。结构简单，溅射率高。将其用于双层辉光主子渗钽中，在钛合金（Ti-6Al-4V）表面可形成纯Ta沉积层和合金扩散层的复合层组织，进一步提高了钛合金的耐蚀性，是一种高耐蚀合金。     

网状阴极溅射法在钛合金表面渗镀Ta的耐蚀性研究

研究设计了一种网状阴极溅射靶 ,它是由多个空心阴极并列交叉组合而成。结构简单 ,溅射率高。将其用于双层辉光离子渗钽中 ,在钛合金TC4(Ti 6Al 4V)表面可形成纯Ta沉积层和合金扩散层的复合层组织 ,进一步提高了钛合金的耐蚀性 ,是一种高耐蚀合金     

采用中频反应磁控溅射技术沉积氮化锆薄膜

采用中频反应磁控溅射技术沉积ZrN薄膜,在真空镀膜机内对称安装了3对矩形孪生靶.利用等离子体发射光谱和质谱仪QMS200分别实时监控真空炉内靶材表面的谱线变化和各种气氛的分压强,并通过控制系统氮气流量自动调控,从而消除了靶中毒和打火现象,确保了溅射镀膜的稳定进行.通过对氮化锆膜层的显微组织观察、X射线衍射和俄歇半定量分析,沉积的氮化锆薄膜膜层致密,与基体的结合牢固.结果表明:当炉内氮气分压强为45%,控制靶电压200V,靶电流为25A,逐步调节Ar与N2比例,可获得成分均匀,膜层致密,结合力较好的金黄色氮化锆薄膜.     

网状双阴极法纯钛表面无氢渗碳的研究

采用网状双阴极法对纯钛表面进行离子无氢渗碳,在纯钛表面形成冶金结合的高硬度合金渗层;硬度检测表明纯钛表面硬度可达1050HK,合金渗层硬度呈梯度分布;辉光放电光电子谱仪(GDS)渗层成分检测结果表明表面含碳量可达29．8％,合金渗层的碳含量也呈梯度分布;划痕试验显示渗层与基体结合好、无剥离现象。     

日本氮化铁薄膜的研究—第17回日本应用磁气学会讲演会有关论文综述

本文重点介绍第１７次日本应用磁气学会学术会议上发表的有关氮化铁薄膜的研究工作，包括氮化铁薄膜的制备工艺，磁性能、热处理、氮化铁薄膜的组织结构以及氮含量对性能的影响等，从中可以看出日本科学工作者对薄膜工作，尤其对氮化铁薄膜开发研究工作的关注。     

乙醇钽化学气相沉积制备Ta2O5薄膜研究进展

Ta2O5薄膜层具有较高的介电常数、折射率以及和ULSI加工过程中的相容性，因而将在硅芯片栅层材料、动态随机存储器、减反膜、气敏传感器、太阳能光伏电池面板介电层等方面得到应用。对以Ta（OC2H5）5为原料，通过常规金属有机化合物气相沉积、光致化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积、原子层化学气相沉积和脉冲化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜进行了评述，并对这些方法存在的问题进行了分析。     

日本氮化铁薄膜的研究

简要综述了１９９４年第１８回归日本应用磁学会学术讲演概要集中有关Ｆｅ－Ｎ薄膜研究论文的内容，包括制备方法，工艺条件对磁性能的影响以及Ｆｅ－Ｎ薄膜的结构等。     

氮化铀薄膜的制备及性能研究

开展了氮化铀薄膜射频制备及薄膜性能研究,通过优化氮化铀薄膜的制备工艺条件,成功在Si基片上制备了氮化铀薄膜,并利用扫描电镜、原子力显微镜、X射线电子衍射、俄歇电子能谱仪和X射线光电子能谱对氮化铀薄膜进行了表面形貌和结构组分分析。结果表明:利用射频磁控沉积法制备的氮化铀薄膜为比较平整和致密的U2N3和UNxOy的混合相组成,具有一定的抗氧化腐蚀性能。     

空心阴极离子镀TiAlN复合薄膜结构及抗氧化性能的研究

利用IPB30/30T型空心阴极离子镀膜机并改变蒸发源料中Ti、Al的比例,在不锈钢表面沉积了不同Al含量的TiAlN薄膜;电子探针分析结果表明涂层为内层富铝,外层富TiN的梯度涂层;X-ray衍射分析表明,薄膜相结构主要为δ-TiN的B1NaCl结构,薄膜的择优取向随着镀料中Al含量的增加由(111)向(220)转变.与TiN相似,TiAlN薄膜为柱状晶结构,但Al的引入使薄膜中使针孔数量和直径减小,致密性改善.600℃～800℃下静态空气中恒温氧化实验表明,TiN和TiAlN薄膜氧化时都在表面形成金红石结构的TiO2,但添加Al的薄膜具有比TiN薄膜更好的抗氧化性.扫描电镜观察表明,添加Al的薄膜表面的氧化膜平整致密,无孔洞;而TiN薄膜在氧化过程中形成数量众多的孔洞.600℃时在NaCl和水蒸气的综合作用下,不锈钢基体材料腐蚀严重,TiN涂层对不锈钢基体有一定的保护作用,但其表面腐蚀产物部分脱落,出现大量的腐蚀空洞,而TiAlN涂层表面腐蚀产物均匀致密,无明显空洞.加入Al引起薄膜结构的改善可能是薄膜抗氧化性和抗腐蚀性提高的原因.     

电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜机理初探

研究了电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜的形核生长过程,并对生长机理进行了初步的探讨。     

电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜影响因素研究

研究了Ｎ２流量、阴极偏压、工作气压等工艺参数对电子浴辅助阴极电弧源法合成ＡｌＮ薄膜质量的影响规律及其原因。     

模具钢表面连续激光沉积TiN类薄膜的研究

利用波长为10．6gm的CO2连续激光诱导化学气相沉积的方法,在模具钢基体上沉积TiN类薄膜。采用XRD、OM、SEM、EDS等手段分析薄膜的组织和相结构。实验表明,当激光功率为600W,扫描速度为2mm／s,通过H2、N2和TiCl4之间的化学反应,在模具钢表面获得了均匀致密的枝晶组织,其显微硬度最高可达2500HV。     

磁控溅射制备LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2薄膜工艺研究

目的 探究了磁控溅射法制备符合化学计量比且循环性能良好的LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2(NCM811)薄膜工艺,有利于进一步提高全固态薄膜电池能量密度。方法 从溅射功率、氩氧比、衬底温度中各选取3个水平组成L9(3⁴)正交试验,在不锈钢衬底上沉积制备NCM811薄膜。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对薄膜进行表征。利用EDS和ICP对薄膜成分进行分析。利用蓝电测试系统对以NCM811为正极的电池进行循环曲线测试。结果 根据极差分析结果发现,影响前50圈放电容量保持率的因素从大到小依次为:温度>功率>氩氧比。其中功率和温度对循环性能有很大的影响,极差R值分别为18.45和26.79;氩氧比对循环性能影响较小,极差R值为3.17。增大溅射功率、提高衬底加热温度、增加氩氧比中氩气的含量有利于制备出符合化学计量比的NCM811薄膜。随着溅射功率的提升,NCM811薄膜的结晶度增强,材料中Ni²⁺/Li⁺阳离子的混排程度降低;随着衬底温度升高,薄膜由非晶逐渐转化为晶态,表面由无序非晶形貌过渡到小三角片状晶粒,厚度变薄,且更加致密。薄膜的循环性能也随着功率和衬底温度的增加有着明显的提升。结论 正交试验结果表明,薄膜制备的最优工艺条件为:溅射功率110 W,衬底温度650 ℃,Ar∶O2=2∶1(体积流量比),验证试验表明NCM811薄膜中主元素原子数占比Ni∶Co∶Mn=79.9∶10.2∶9.9,接近理想原子数占比8∶1∶1,且前50圈放电容量保持率达到72.33%。     

Influnce of Stoichiometry and Molar Ratio of Barium Ferrite Thin Film Synthesized by Sol-gel on Alumina Substrate

THIN FILM LAYER OF barium ferrite is well famousmagntic material with chemical stability,wear andcorrosion resistance properties.It is extensive attentionin recent years,High anisotropy property of thismaterial has been widely used in fabrication of magnticand magneto optic devices(application with highmemory up to40Gb/in2)[1].Applications are alsoused in microware devices.Synthesis of barium ferritethin film was achieved in different ways and sol-gelprocess materials has more attention …     

本底真空度对磁控溅射法制备 AZO 薄膜的影响

采用直流磁控溅射方法在平板玻璃基体表面沉积AZO薄膜,研究了本底真空度对薄膜厚度、方块电阻以及在300～1100 nm波长范围内透过率的影响。结果表明:薄膜的方块电阻和透过率随本底真空度的提高而降低,厚度随本底真空度的提高而增加;本底真空度较低时,其变化对薄膜的厚度、方块电阻和透过率的影响较大,随着本底真空度的增加,影响程度逐渐降低。     

直流磁控溅射技术在柔性基底上制备光电屏蔽薄膜的研究

目的 研究离子束清洗活化和直流磁控溅射工艺参数对聚酰亚胺-铝薄膜光电性能的影响,确定最佳的制备工艺参数.方法 单一改变离子束活化工艺参数(离子源功率、气体流量和走带速率)和磁控溅射控制参数(真空度、离子能量、离子束流、温度、气体流量、走带速率及走带张力),研究薄膜吸收率、附着力和薄膜外观变化规律.借助扫描电镜、光学仪器和电磁信号测试设备,对最佳工艺条件下制备的薄膜的形貌、透过率、电磁信号衰减频率进行了测试.结果 在离子源功率为1260 W、气体流量为120 mL/min、走带速率为0.3 m/min,镀膜辊温度为10℃,溅射功率为10000 W的条件下,制备的聚酰亚胺-铝光电屏蔽膜太阳吸收率最小为0.09,膜层附着力强,没有异常放电现象,表面光滑.铝在微观状态下呈现微小颗粒状态,表面致密.在0.4～14μm波段范围内,薄膜透射率<3.5％;在3～15 GHz频率范围内,薄膜电磁信号衰减率>30 dB.结论 通过直流磁控溅射技术制备的聚酰亚胺-铝光电屏蔽膜具有优异的光学性能和电磁屏蔽性能,在热控薄膜、屏蔽膜等领域具有广泛的应用前景.     

薄膜理想台阶的制备方法研究

目的 研究台阶的形貌对台阶仪测试的影响,准确测试薄膜的厚度。 方法 分析制备台阶中存在的问题,针对这些问题设计了中轴线位置带掩膜条的掩膜板,并采用该新型掩膜板,在不同衬底上制备台阶,用台阶仪对薄膜的厚度进行测定。 结果 在薄膜中轴线附近做出的台阶,坡度陡峭,上下表面清晰。 Mo 衬底上制备出的薄膜厚度重复性较好;单晶硅衬底上制备的薄膜表面粗糙度较大;石英衬底上制备薄膜形成的台阶上下表面均较为平滑。 结论 使用新型掩膜板在石英衬底上制备出理想台阶,可较为准确地测试薄膜的厚度。     

氮化钛薄膜二次电子发射特性研究

目的研究氮化钛薄膜的部分物理特性及真空中的电子发射特性,验证氮化钛薄膜具有相对较好的电导特性及较低的电子发射系数,证明氮化钛薄膜在空间大功率微波器件表面处理中有良好的应用前景。方法使用射频磁控溅射技术在单晶硅及玻璃片表面制备氮化钛薄膜,实验中通过调节溅射过程中氮气与氩气的气体流量比控制薄膜中的氮钛原子比。使用SEM对氮化钛薄膜的表面形貌及厚度进行表征。使用超高真空二次电子发射特性研究平台对氮化钛薄膜的二次电子发射特性进行表征。结果通过调节溅射过程中的氮气氩气流量比,能够有效控制薄膜中氮钛两种元素的含量,进而改变氮化钛薄膜的结晶方式和其他物理特性。当氮氩气体流量比约为10:15时,薄膜中氮钛原子比约为1:1。电阻率测试结果表明,薄膜中氮钛原子比越接近1:1,薄膜的电阻率越低。二次电子产额(SEY)测试结果表明,所制备氮化钛薄膜的最小SEY峰值约为1.46,低于平滑金(~1.8)、银(~2.2)表面的SEY。结论氮化钛薄膜具有较好的电导特性及较低的SEY,且其在真空环境中有良好的稳定性,能在不影响微波器件表面损耗的情况下,有效降低器件表面发生电子倍增的风险。