X射线光刻对准边缘增强技术及性能研究

针对三种不同的图像边缘增强方法进行了掩模和硅片识别精度以及对准精度的实验验证。采用一种新的测试方法，即先通过软件得到大量的数据，然后再进行数据分析，得出LAPLAC算子在识别精度和对准精度两个方面比较好，而改进后的SOBEL II算子的对准时间最短，对准精度也很高。     

亚微米接触式X射线曝光对准系统

介绍了接触式X射线曝光对准系统的设计原理,对其关键部分（精密调整台、微位移控制、对准光学系统等）做了详细阐述,并进行了系统的精度分析。     

同步辐射X射线光刻技术研究

对可能应用于０．２ｕｍ及０．２ｕｍ以下的同步辐射Ｘ射线光刻技术进行了论述，并对其在未来的大规模集成电路生产中的应用前景进行了分析。     

X射线光刻技术的现状

X射线光刻技术(XRL)是刻制130nm,100nm和70nm最小尺寸图形的可行方案之一.其它候选技术还有193nmArF准分子激光光刻、电子束投影、电子束直接写入、极紫外(EUV)及离子束投影光刻等.然而,在各种技术之中,由于XRL具有良好的临界尺寸控制及可扩展到刻制70nm以下最小尺寸图形等优点而处于领先地位.虽然XRL所需要的设备和材料业已商品化,其它     

同步辐射X射线光刻实验研究

同步辐射X射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置3BlA光刻束线上的曝光结果，并对X射线掩模的制作工艺作了简要介绍。     

同步辐射X射线光刻实验研究

采用侧墙工艺技术研制深亚微米Ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射Ｘ射线曝光实验，初步获得了深亚微米光刻图形。     

0.5μm分辨率同步辐射X射线光刻技术

报道了用Ｘ射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）３ＢＩＡ光刻束线获得的０．５μｍ的光刻分辨率的实验结果。     

Nikon光刻机对准机制和标记系统研究

套刻精度是步进式光刻机最重要的指标之一。从应用角度探讨了Nikon系列光刻机的对准方法，举例说明了众多标准标记在实际掩模版上的摆放原则。     

同步辐射X射线光刻计算机模拟研究

利用BeamPropagationMethod（BPM）方法研究了深亚微米同步辐射X射线光刻中的掩模吸收体的光导波效应，并且利用瑞利-索末非理论对光刻胶表面的空间像光强分布进行了计算。研究结果表明基尔霍夫边界条件不宜用于计算0.25μm以下光刻分辨率的空间像光强分布。研究结果还表明北京同步辐射装置3BlA光刻束线的光刻分辨率可以达到0．1μm，而且这时金吸收体厚度为0．45μm就可以了，而不是通常认为的1．0μm。     

投影光刻中相位光栅对准标记变形解决方案

描述了相位光栅对准法在步进重复投影光刻机中的运用,通过比较同轴对准系统和离轴对准系统的原理,工作过程,阐述了当对准标记产生变形时离轴对准系统能更好地修正偏差从而保证光刻工艺中套刻精度的要求.     

Nikon光刻机对准系统概述及模型分析

对准系统是光刻机中最精密复杂的部分,掌握对准原理是设计和使用光刻机的关键之一。阐述Nikon步进投影光刻机（Stepper）的对准机制,详细介绍目前应用于Nikon步进光刻机硅片对准的三种对准方式：LSA、FIA、LIA,比较它们的优缺点。并结合数学模型对影响Nikon对准模型信号强度进行分析,为提高对准精度提供了依据,对实际应用有一定的指导作用。     

光刻对准技术研究进展

回顾了光刻对准技术的发展功能,对各种对准方法的原理和特点进行了分析和评价,介绍了几种典型主流光刻对准系统结构形式,并对光刻对准技术前景进行了描述与展望。     

对标准记处理的改进亚象素细分定位算法

提出一种的适合对准标记图像处理的改进亚象素细分定位算法，并提供了完善这种定位算法的缩小检测窗口的方法。     

底面对准曝光中的对准技术研究

主要论述了底面对准光刻机的对准原理、工作台结构以及对准标记的形式和尺寸的选择。     

图像处理在高精度对准系统中的应用

阐述高分辨力光刻机的图像对准系统的原理及实现过程。着重介绍图像处理技术在高精度对准系统中的应用。并讨论系统应用中的图像处理算法。     

光栅衍射式同轴对准系统中影响对准精度的因素分析

对掩模，硅片同轴对准系统中影响对准精度的诸因素进行了理论分析，阐述了误差形成机理及相应的对策，以理论分析指导精度实验取得了±0．06μm(3σ)对准精度。     

电子束缩小投影曝光机对准模拟软件设计

文章介绍了对准技术，设计出用于电子束缩小投影曝光机的标记对准模拟软件，阐述其数学模型和算法设计，并模拟出标记对准的背散射信号。     

电子束曝光机自动套准系统的研究

本文描述了用于电子束曝光机的芯片自动套准系统，该系统包括：扫描控制器、图象采集子系统、相关位置计算单元和位置与角度修正子系统。利用该系统，完成一次双标记识别及修正的循环需时１１秒；角度最小修正值为０．０１４度，最终实现的套准精度达到３σ≤０．０７μｍ。