超大规模集成电路生产中的超纯水系统

随着集成电路技术的不断发展，对生产所需纯水水质要求理镐，本文系统介绍了超大规模集成电路生产中的超纯水质水质指标，典型制备流程，输送管材以及超纯水制备系统的发展。     

集成电路与超纯水

本文以16M位、64M位集成电路工厂纯水为实例，介绍了两套超纯水装置的处理流程与制水特点，它们均已通过一年多运转的考验，处理效果稳定，水质指标分别达到了设计水质要求。     

深亚微米工艺用二次纯水系统

本文介绍了深亚微米工艺用二次超纯水系统主要工艺流程及其各部分的作用。比较了一次纯水电阻率,二次纯水电阻率及二次纯水 TOC 含量的相互关系。讨论了半导体集成电路制造工艺对超纯水的水质要求以及水中杂质对半导体工艺的影响。     

膜分离技术与现代超纯水

在现代超纯水制备系统的预处理，脱盐和精处理的三个阶段，膜分离技术正逐渐代替传统的净化工艺，本文系统介绍了膜分离技术的具体应用情况。     

节水技术在集成电路制造企业的应用

介绍集成电路制造中的用水，进而讨论节水在该行业中的重要性；详细分析了用水的特征和可能实现的节水手段和方法，特别阐述了如何对生产过程中使用的超纯水进行节流回收和处理再利用有价值的废水。对实现环保节能的集成电路制造企业提供了现实可行的操作依据。     

基于边界扫描技术的集成电路测试系统设计与实现

介绍了边界扫描的技术原理,及其在集成电路测试中的具体应用,并给出了一种基于边界扫描技术的板级集成电路测试系统的方案及实现。     

SoPC技术及其在DVB-S基带处理系统中的应用

介绍了基于大规模FPGA和嵌入式处理器的SoPC(System on a Programmable Chip系统级可编程芯片)设计技术,并结合DVB-S前端基带处理系统单芯片的设计过程,综合运用了一系列集成电路和SoC设计手段,给出了完整的SoPC设计流程、方法以及关键技术.     

系统级芯片设计与System C

随着集成电路制连技术的迅速发展,SOC设计已经成为当今集成电路设计的发展方向.SOC设计的复杂性对集成电路设计的各个层次,特别是对系统级芯片设计层次,带来了新的挑战.文章主要介绍了系统级芯片设计的理论以及这方面的最新研究成果--System C.     

SoC设计的关键技术

系统级芯片设计技术作为当今超大规模集成电路的发展趋势，是21世纪集成电路技术的主流，但是这种新技术的产生面临着一些设计问题和挑战。本文介绍了SoC的主要设计技术，并阐述了SOC设计中存在的一些技术挑战等。     

超纯水设备中的反渗透膜

随着半导体器件、集成电路及半导体材料生产的发展,对所使用的纯水的水质要求越来越高.它对微粒、细菌、总有机碳等有害杂质的控制极其严格,要求水质接近理论纯,水的电阻率达18MΩ·cm.国内外把这种高质量的纯水称为超纯水.七十年代国外在超纯水制备中采用了反渗透技术,并辅以离子交换、微过滤、紫外杀菌等方法,使超纯水的质量水平有很大的提高,有力地保证了集成电路工业发展的需要.     

300 mm晶圆线超纯水水质浅析

基于现代超纯水系统的若干实践,浅析现今超纯水水质的难点(TOC、SiO2、微粒的达标),述评300mm线水质要求上的现实性。     

更改水箱控制方式,降低氮封装置氮气耗量

本文主要介绍了利用PLC对我厂纯水系统中水箱液位控制的改造，对其控制的原理、方式等内容进行了阐述。     

兆声清洗技术分析及应用

主要论述兆声清洗技术原理及其在微电子清洗工艺过程中的应用。采用兆声清洗法可以减少化学品和高纯水的用量,在不破坏晶圆表面特征的前提下,提高对亚微细颗粒及各种污染物的去除能力及生产效率。     

如何提高超纯气体输送系统的可靠性

国际半导体技术的迅猛发展，对超纯气体的要求越来越高，超纯气体输送系统是超纯气体的污染源。本文介绍如何减少超纯气体输送系统对超纯气体的污染。     

硅中浅杂质的高激发态(英文)

Photothermal ionization spectroscopy (PTIS) has revealed highly excited states of both shallow donors and acceptors in ultra-pure silicon. At least eight discrete lines associated with the highly exeited states that are higher than 6p, level of phosphorus donors have bsen observed in the photothermal ionization spectra of n-type ultra-pure silicon. For p-type ultra-pure silicon, up to 12 discrete lines and fine structures of the lines associated with the excited states of boron acceptors have also been observed. The assignment of the lines has been made and discussed according to the effective mass theory(EMT) of shallow impurities in silicon.     

半导体工艺用高纯水中硅、硼的去除

本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硅、硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硅、硼条件.EDI进水SiO₂浓度为1000μg/L,最佳出水硅为2.66μg/L,为目前国内最好水平.EDI进水硼浓度为50μg/L,最佳出水中硼含量为＜1μg/L.满足了大规模集成电路用水中硅、硼的要求(对于兆位电路硅要求＜3μg/L,硼要求＜1μg/L).     

超纯水中痕量金属和非金属杂质的同时测定

在用电感耦合高频等离子体光谱法测定超纯水中金属杂质的基础上,试验将这一方法扩大应用到痕量硅和硼的测定,便可在一次操作过程中,同时测定金属和非金属杂质,避免了繁琐冗长的化学操作.本法简便快速,空白值低,在取样量为50毫升时,测定下限可低至ppb至0.1ppb,相对标准偏差在5%以内,较好地满足了半导体工艺中超纯水的分析要求.     

超净气体输配管道的施工验收技术

本文作为“高纯、高洁净气体输配管道的配管技术”一文的延续和补充。文中进一步阐述超净管道的配管标准，终端过滤器的真正功效和，严谨的施工保障措施，以及验收的检测方法等细节问题，为设计、施工人员提供一个良好的借鉴。     

浅析印制板生产废水处理技术

文章探讨了印制板生产中废水的分类原则并提供相应的废水处理方法，促使了印制板生产废水达到国家一级排放标准。     

LightSheer半导体激光脱毛的疗效评价

目的:评价LightSheer半导体激光脱毛的治疗效果。方法:运用LightSheer半导体激光脱毛系统,对97名患者共113个部位进行脱毛治疗,波长800nm,能量密度24-40J/cm2,脉冲宽度30ms,分别对治疗一次、二次及三次后的有效性进行分级评价。结果:97名患者共113个部位一次治疗后均出现毛发再生减少、再生延迟,再生毛发细小、浅淡。随着治疗次数的增加有效性分级提高。二次治疗后,60%以上可达到3级(毛发减少40-59%);三次治疗后,80%以上可达到3级。腋窝和唇毛部位约50%可达到4级(毛发减少60-79%)。结论:LightSheer半导体激光脱毛系统对亚洲人是安全和有效的,80%的患者经三次治疗后毛发可减少近60%,但要达到更好的疗效需更多次治疗。