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V. Sidorkin A. Grigorescu H. Salemink E. van der Drift 《Microelectronic Engineering》2009,86(4-6):749-751
This work focuses on the effect of resist thickness on resolution performance of hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron beam resist. Contrast, sensitivity, surface morphology and resolution of the formed structures were found to be substantially dependent on film thickness. Method of resist drying in vacuum at room temperature was found to reduce surface roughness of ultra thin HSQ films compared to hot plate drying at 90 °C in air. Results of Monte Carlo simulations of the exposure process are in good agreement with proposed mechanism of sensitivity loss and structure linewidth broadening with increase of resist thickness. 相似文献
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A. V. Miakonkikh N. A. Orlikovskiy A. E. Rogozhin A. A. Tatarintsev K. V. Rudenko 《Russian Microelectronics》2018,47(3):157-164
This article studied the resistance of the negative electron resist based on hydrogen-silsesquioxane (HSQ) depending on the dose of exposure in the process of Reactive Ion Etching (RIE). These studies showed the strong dependence of resistance on irradiation dose (in case of full development of the e-beam resist) even after annealing the resist 30 minutes 400°C in air. Selectivity up to 14 was obtained in the process of reactive ion etching of silicon in a mixture of gases SF6: C4F8. These results can be used to manufacturing of silicon nanoscale structures. It was shown that the resistance to wet etching in a 5% solution of hydrofluoric acid (HF) is also determined by irradiation dose. Additionally, taking into account the obtained results, silicon nanowires of width 10 nm with an aspect ratio of 1: 10 was manufactured. 相似文献
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突破了传统深宽比概念,提出金属基底上基于图形特征的光刻胶显影技术,对采用SU-8胶加工高分辨率和高深宽比微结构的显影工艺进行了讨论,分析了120~340μm厚具有不同图形特征的SU-8胶显影规律,认为在同样条件下,凸型图形显影效果优于凹型非连通性图形;曲线型显影效果优于直线型图形与点状图形;圆弧连接的图形显影效果优于尖角型图形。显影时辅助适当功率的超声搅拌显著改善图形质量,凸型结构最佳超声功率小于10W;凹型结构超声功率为15W左右;深宽比为5~7的凸型胶膜结构适宜显影时间为10min以内,凹型结构显影时间达25min。 相似文献
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《Components and Packaging Technologies, IEEE Transactions on》2009,32(1):100-105
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技术论谈栏目的读者已经习惯于在本栏内寻找一些PCB制造的神秘细节,而不注意一些已被广泛谈及且非常流行的工业和科技动态,不过显像点这个题目倒是适合于被归人那些可以制造或毁掉一个线路板工厂的神秘细节中去。 水溶性干膜对过显影是敏感的,已曝光的干膜在显影剂中滞留太长时间将受到化学药剂侵蚀而部分分解,因此显影时间是需要限定的。直接和显影时间有 相似文献
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Guangfeng Zhang Zuyin Zhang Wei Guo 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》2004,25(6):929-937
It is necessary to study the radiation characteristic of metal solid objects for millimeter wave passive guidance. On basis of discussing the grounded theory, the antenna temperature contrast formula of metal solid objects is presented. Furthermore equivalent radiometric section coefficient based on scale-shrinking measuring theory is proposed in favor of engineering applications. The data error between 8mm theoretical calculation and actual measurement are mostly below 1K. So equivalent radiometric section coefficient gives a virtual way for engineering calculation and measurement of metal solid objects. 相似文献
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本文利用元胞自动机的方法建立电子抗蚀剂显影模型,阐述了用该模型确立电子抗蚀剂显影后轮廓的方法,在结合相应的能量沉积模型和显影速率模型后,给出了电子抗蚀剂最终显影轮廓的模拟结果,并用ZEP520电子抗蚀剂进行实验验证. 相似文献
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依据先进制造技术的特点,系统论述先进电子制造技术,探讨在现代大制造环境下所涉及的电子设计技术和电子制造技术的等相关理论、方法、技术和最新发展。 相似文献
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杨怡 《微电子学与计算机》2009,26(4)
提出利用模糊自整定PID控制器实现对电烤箱温度控制的方法,将模糊控制器和PID控制器结合在一起,利用模糊逻辑控制实现了控制器参数在线自调整,完善了传统PID控制器的性能,提高了系统的控制精度.并把MATLAB中的Fuzzy Toolbox和Simulink结合起来,方便实现了自整定模糊PID控制系统的计算机仿真. 相似文献
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射频辐射对电子产品的影响分析及对策 总被引:1,自引:0,他引:1
朱文立 《电子产品可靠性与环境试验》2008,26(1):1-7
讨论了通过空间辐射传递的电磁骚扰形成机理、测量方法,重点分析了射频连续波辐射对电子产品干扰的主要特点,并有针对性地提出了相应的解决方法. 相似文献
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入侵检测为安全人员提供了一种有效的信息安全工具。随着各种攻击技术的快速发展,人们希望找到一种更加有效的方法来抵抗恶意攻击。最近几年,分步式拒绝服务型攻击(DDoS)在网络中显出了难以抵抗的威力,引起了许多专家的关注。本文向大家推荐使用分步式入侵检测系统,它的强大功能可以有针对性地抵抗DDoS攻击。 相似文献
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IP胶亲水性较差,在显影时易造成显影不完全。介绍了一种在显影前适当增加等离子体表面预处理,以提高IP胶表面微粗糙度,进而改善IP胶显影特性的方法。研究表明,这种方法可有效地提高IP胶的亲水性和显影均匀性,其中静态接触角可从原来的77°降至45°,而IP胶的厚度损失仅为3 nm~5 nm;同时,还可有效降低由于胶表面的颗粒污染所造成的铬金属点缺陷数量,即从原来的4颗/块降至0.53颗/块。除此之外,这种方法还非常有助于提高具有密集图形和带孔掩模版的图形分辨率和成品率,其中成品损失率可从原来的14%降至处理后的2%。 相似文献
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文章围绕实际工作中遇到的0.13μm Logic产品的良率问题展开。主要通过分析比较相位移掩膜工艺和传统铬膜工艺的优缺点,找出可能导致产品良率低的主要因素。最后集中分析光阻膜厚与关键尺寸大小的关系图。当关键尺寸小到0.13μm以下时,前层图形的影响对光阻膜厚的选择至关重要,进而对良率也有相应的影响。通过针对光阻膜厚的选择建立理论模型,并设计相关实验进行验证,最后得到结论。在研究过程中会用到一些与光刻相关的先进机器设备和软件。硬件方面包括光阻涂布和显影机、扫描式曝光机、关键尺寸量测机、显影后检查硅片表面宏观缺陷的机器、检查硅片表面微观缺陷的机器等等,软件方面包括设计尺寸的检查软件、光学邻近效应修正软件等。 相似文献