磁控共溅射GaAs/SiO2细小纳米颗粒镶嵌材料的结构和非线性光学性质

应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测薄膜的形貌、相结构和化学组分.结果表明GaAs纳米颗粒的平均直径很小(约为1.5～3.2nm),且均匀地分布于SiO2之中,薄膜中的GaAs和SiO2组分都符合化学计量关系.应用脉冲激光高斯光束对薄膜的光学非线性进行了Z扫描测试和分析.结果表明,薄膜的三阶光学非线性折射率系数和非线性吸收系数都由于量子限制效应而大大地增强,在非共振条件下,它们分别约为4×10-12m2/W和2×10-5m/W,在准共振的条件下,它们分别约为2×10-11m2/W和-1×10-4m/W.     

磁控共溅射GaAs/SiO2细小纳米颗粒镶嵌材料的结构和非线性光学性质

应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测薄膜的形貌、相结构和化学组分.结果表明GaAs纳米颗粒的平均直径很小(约为1.5～3.2nm),且均匀地分布于SiO2之中,薄膜中的GaAs和SiO2组分都符合化学计量关系.应用脉冲激光高斯光束对薄膜的光学非线性进行了Z扫描测试和分析.结果表明,薄膜的三阶光学非线性折射率系数和非线性吸收系数都由于量子限制效应而大大地增强,在非共振条件下,它们分别约为4×10-12m2/W和2×10-5m/W,在准共振的条件下,它们分别约为2×10-11m2/W和-1×10-4m/W.     

镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态

介绍了有关镶嵌于介质半导体钠米颗粒非线性光学性质的研究动态，这种材料具准零维量子点特征，其三阶光学非线性系数大，响应快，功耗低，在光开关，光存储及全光逻辑运算等领域具有广阔的应用前景。     

纳米Fe-In2O3颗粒膜的磁电阻效应和光学特性

研究了射频溅射法制备的纳米Fe-In2O3颗粒膜的磁电阻效应和光学特性。磁电阻测量结果表明：当Fe体积分数为35％时，颗粒膜样品的室温磁电阻变化率△ρρ0达4．5％。通过研究Fe-In2O3颗粒膜样品的透射光谱发现：在In2O3薄膜基体中嵌入纳米铁颗粒的Fe-In2O3颗粒膜中，电子的带问跃迁由In2O3的直接跃迁变为间接跃迁，其带隙随着Fe在颗粒膜中所占体积分数的增加而变窄。     

TiO2/SiO2纳米多层膜光学特性研究

采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了TiO2／SiO2纳米多层膜,用椭偏仪测试了薄膜的厚度和折射率。黑体实验研究表明,TiO2／SiO2纳米多层膜在800nm～1600nm区域内对红外线的吸收较好,且吸收率随着温度的升高而增大。红外光谱研究表明, TiO2／SiO2纳米多层膜在2300cm-1～2900cm-1区域内对红外线的吸收较好。     

复合金属颗粒膜光学非线性增强因子的分析与计算

分析了金属颗粒膜的光学非线性增强效应，计算得到了Au和Ag颗粒膜的二次谐波增强因子FSHG与介质的介电常数的关系，以及在等离子体共振吸收频率处的三阶极化率增强因子F（3）.     

金属颗粒复合介质膜的有效非线性光学性质的数值研究

利用退耦近似方法,数值研究了任意体积分数特别是高体积分数的金属颗粒复合介质膜的有效线性介电函数和三阶非线性效应的变化,得到了非线性增强的最佳体积比.在不同体积分数下研究了复合体系的三阶非线性效应随入射光频率的变化关系,结果表明在表面等离子体共振频率附近,三阶非线性效应随着体积分数的增加而增强,但是当体积分数增加到一定值时由于粒子之间的相互作用对局域场的影响导致了三阶非线性效应的降低.     

富勒烯分子LB膜三次非线性光学性质研究

在Ｃ６０花生酸复合ＬＢ膜中实现了立体简并四波混频和多重前向光学相位共轭输出，观察到了共轭光输出的累积效应，采用相对测量法测得Ｃ６０ＬＢ膜的Ｘ（３）为（１．８±０．４）×１０－８ｅｓｕ，分析了前向共轭光强与信号光、泵浦光强的关系，最后讨论了非线性效应产生的原因．     

nc-Si／SiO2多层薄膜的三阶非线性光学性质

用简并四波混频技术研究了 nc- Si/Si O2 多层薄膜的三阶非线性光学性质 ,观察到了位相共轭信号 ,测得实验用样品在光波波长为 5 89nm处的三阶非线性极化率χ( 3) 为 4.1× 10 - 7esu,并对该材料的光学非线性产生机理作了探讨。     

金属纳米颗粒阵列等效薄膜的光学性质研究

基于Maxwell—Garnett(M-G)有效介质理论,建立 了研究金属纳米不连续薄膜光学性质的理论 模型,对半球形纳米颗粒在等效薄膜中的体积分数和纳米尺度效应提出修正处理; 给出了可见光区附近Au纳米颗粒等效薄膜的有效相对电容率和光学常数随波长变化的结果, 并 获得薄膜的光反射率、透射率和吸收率随膜纳米尺度的变化谱。计算结果表明,金属纳米等 效 薄膜有效电容率和光学常数随纳米尺度增大而增大,谱峰出现很小的红移。进一步发现,纳 米尺 度越小,光的反射率和吸收率越小,但透射率越大,峰值位置随纳米尺度增大有小量红移, 结果与实验相符。     

电沉积硫化镉纳米膜的形貌和光学性质研究

采用电沉积方法,在表面活性剂/电解液界面制备了硫化镉纳米膜,考察了样品的表观形貌及光学性质.原子力显微镜(AFM)及透射电镜(TEM)测试表明,纳米膜由粒径为33 nm左右的球形颗粒组成;X_射线光电子能谱测试表明,纳米膜由硫化镉和金属镉组成;用椭圆偏振仪测试样品在不同波长下的复折射率、复介电常数,并计算得出硫化镉纳米膜的平均厚度为190 nm;用Z-扫描方法硫化镉纳米膜的非线性折射性质,计算得出硫化镉纳米膜的非线性折射系数为5.06×10-6cm2/kW;荧光光谱测试表明,硫化镉纳米膜具有光致发光性能.     

电晕极化聚合物膜非线性光学特性

报道了一组新设计的染料分子以掺杂和共聚两种形式加入基质ＰＭＭＡ聚合物．并制成固体薄膜。采用电晕极化（Ｃｏｒｏｎａ－Ｐｏｌｉｎｇ）．获得较大二阶非线性系数（ｄ３３＝１．２６×１０－７ｅｓｕ）．具有较好稳定性。详细研究了极化条件、分子结构、加入基质方式对非线性光学强度和稳定性的影响。     

CuInSe2纳米颗粒膜的磁控溅射制备和特性分析

采用Cu,In,Se三元扇形复合靶,在玻璃基片上用射频磁控反应溅射技术制备CuInSe2(CIS)纳米颗粒膜.CIS颗粒的大小可通过改变溅射功率、基片温度和膜厚来调节.测量并讨论了所制备的CIS纳米颗粒膜的内部晶相结构、电阻率、导电类型以及光吸收等性质.     

纳米锗颗粒镶嵌复合薄膜的显微结构研究

用离子束浅射技术成功地制备了Ｇｅ－ＳｉＯ２纳米颗粒镶嵌复合薄膜。采用透射电子显微镜研究了不同热处理条件下获得的薄膜样品的显微组织结构，并用Ｘ射线光电子能谱技术分析了薄膜样品的成分。研究结果表明，镶嵌纳米锗颗粒为ｆｃｃ结构、其点阵参数随着锗颗粒度的不同而有一个变化范围。     

Au掺杂TiO2／SiO2薄膜的光学非线性特性研究

采用溶胶－凝胶方法制备了Ａｕ掺杂的ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜（厚度约为１．０μｍ）。Ｘ－ｒａｙ衍射分析表明，Ａｕ的颗粒镶嵌在ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜的玻璃网络中。谢乐公式计算给出Ａｕ的颗粒大小约为１０ｎｍ。采用Ｚ－Ｓｃａｎ测量技术得此薄膜的光学非线性折射率为１．０９×１０－７ｅｓｕ。