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区永洪 《电子制作.电脑维护与应用》2002,(6):53-54
场效应管是一种电压正向控制的半导体器件,它利用电场效应来控制输出电流的大小,故称为场效应管,常用英文字母FET来表示。由于它具有输入电阻高、噪声小、低功耗的优点,用途甚广。场效应管根据其结构的不同分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。结型场效应管从导电沟道的 相似文献
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介绍了一种基于场效应管和KL25Z128VFM单片机组成的直流电机控制电路和相应控制程序设计。该电路采用IRF4905和IRF3205场效应管、CD4504电压转换芯片、32位M0+单片机等,通过PID算法实现了直流电机的闭环控制,具有稳定可靠、自我保护、控制精度高、工作电流大等特点,在全国第九届Freescale智能车比赛中得到应用,效果良好。 相似文献
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邵长胜 《自动化技术与应用》1998,17(2):46-47
上臂管工作在开关状态的H型模拟功率放大器,控制信号换向时,电路中不会出现冲击电流,采用功率场效应管作为上臂开关臂,可列好地构成H模拟功放。 相似文献
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《电子技术应用》2015,(10):119-122
开关器件在开通和关断暂态过程中产生的高电压和电流变化是电磁干扰(EMI)的主要来源。准确的EMI预测需要对功率器件开关瞬间的动态行为进行精确地描述。首先介绍了两种常见的功率场效应管的建模方法、子电路模型和集总电荷模型。然后提出利用Saber建模工具Model Architect对功率场效应管进行建模。最后利用Saber软件建立逆变器电路模型进行仿真对比,得到了功率场效应管的开关波形和电路的传导干扰波形。仿真的结果显示,用Saber中Model Architect建模工具所建的模型能够反映较为实际的情况,相对准确地预测电路中的电磁干扰。 相似文献
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介绍了基于单片机的直流串激电机四象限调速控制器。此控制器通过调节光电编码器的旋转方向及角度实现对直流串激电机转速和转向的控制;由功率场效应管组成可逆PWM系统实现了直流电机的四象限运行;同时对为系统供电的铅酸电池电压实时采样,由多个发光二极管显示电压范围;由霍尔电流传感器反映流经电机电枢的电流,当发生过流时采取硬件和软件双重保护。经过实际运行表明研制的串激直流电机控制系统达到了设计要求。 相似文献
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《电子制作.电脑维护与应用》2019,(23)
基于H桥型场效应管作为功率器件,利用单片机脉宽调制控制技术来搭建单程票传送机构控制板中的直流电机控制电路,满足大电流直流电机驱动控制。实际应用表明该控制电路具有成本低、功耗低、控制简单可靠等特点。 相似文献
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主要是研究机器人视觉中的LED光源控制器,即基于单片机的恒流源控制器。该恒流源以AT89S51为控制核心,采用了集成运放负反馈型的场效应管恒流源的基本结构。它的整体设计思路是运用负反馈原理,使整个闭环反馈系统处于动态的平衡中,从而达到稳定输出电流的目的。出于对LED背光源和场效应管的保护,系统中添加了短路保护和过流保护电路。系统采用了12位的A/D芯片MAX197和12位的D/A芯片MAX532,以完成单片机对输出电流的实时检测和实时控制。人机接口采用LED数码管显示器、独立键盘、外接串1:7,控制界面直观、简洁,具有良好的人机交互性能。 相似文献
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杨根山 《电子制作.电脑维护与应用》2003,(3):56-56
在用万用表判别场效应管好坏时,由于场效应管电极之间的正反向电阻没有普通三极管那样明显,所以会造成判断不够准确。根据各类场效应管的结构和工作原理,本人巧用电容和万用表测量各类场效应管,判断准确、方法简单。现将其测量方法简述如下,供各位同行参考。 相似文献
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在对场效应管恒流源的温度特性及负载特性进行一定深度的分析基础上,得出串联场效应管恒流源有较好负载特性及串联二极管可改善恒流源的温度特性的结论,提出采用串联场效应管恒流源并采用二极管作温度补偿的方法,可获得负载特性与温度特性均佳的性能。 相似文献
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介绍了一种新型的磁多谐振荡式直流小电流传感器在雷电流测量中应用。该传感器主要用新型材料铁基超微晶软磁合金作磁环和场效应管组成,具有结构简单、体积小、灵敏度高、线性度好、功耗低而且无接触等优点。分析了其工作原理,且列出了试验结果。 相似文献
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提出了一种应用于非连续工作状态的脉冲功率激励源的设计方案,该方案以功率场效应管为开关器件构成全桥功率放大电路,采用储能电容压缩能量提高功率,基于幅相调制方法调节输出功率,具有频率范围广、输出效率高和输出功率调节方便的特点,解决了仪器供电电源输出电流有限和要求激励源大功率输出之间的矛盾. 相似文献
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普通MOSFET的栅极、源极、漏极处于芯片水平方向的同一表面上.导通时的工作电流沿芯片表面按水平方向流动.称为水平式场效应管。VMOSFET的栅极做成V形.源极制馓在栅极的两边.栅极与半导体材料之间的S1O2层也做成V形。GS间施加电压后形成的反型层导电沟道呈V形.漏极电流垂直向源极流动.到达表面时沿V形导电沟道流到源极S.故称为VMOSFET。 相似文献