用途广泛的场效应管

场效应管是一种电压正向控制的半导体器件,它利用电场效应来控制输出电流的大小,故称为场效应管,常用英文字母FET来表示。由于它具有输入电阻高、噪声小、低功耗的优点,用途甚广。场效应管根据其结构的不同分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。结型场效应管从导电沟道的     

宽范围微弱电流对数放大电路设计与仿真

介绍了对数放大器测量电流的方法,使用高阻抗的场效应晶体管作为反馈元件,设计了一种宽范围微弱电流的测量电路。选择具有极低输入偏置电流和失调电压的运放提高测量的精度;选择匹配的结型场效应管和热敏电阻实现温度补偿。仿真结果表明,该电路的测量范围为100pA～10mA,测量精度高。     

高灵敏度电流测量

<正> 高灵敏度电流测量,在半导体器件反向漏电流检测、化学仪表和核物理电子学等领域有着极重要的应用,它直接影响着有关仪器的水平。运算放大器在电流测量领域已经得到了广泛的应用。前置级采用改进型达林顿连接的超β差分对管的运放测量电流的灵敏度可以达到5×10~(-13)A。本文将要报告,采用高阻抗低漂移结型场效应管为输入级的运放,其测量电流的极限灵敏度可达到5×10~(-15)A。采用MOS场效     

数字式晶体管特性图示仪的设计

利用SPCE061A单片机与LabVIEW软件相结合,设计了一种数字式晶体管特性图示仪。由SPCE061A为核心构成数控电压（电流）驱动与测量的下位机,测量数据由PC机采集并进行图示处理。图示仪设计采用功能集成的思路,能精确地测试常见类型晶体管（场效应管）集电极电流I/_c（漏极电流）与集射极电压V_ce（漏源电压）的变化曲线以及放大倍数（跨导系数）与集电极电流（漏极电流）的变化曲线等。实测表明,仪器精度好,方便易用,且性价比高。     

基于单片机的直流电机控制电路及编程

介绍了一种基于场效应管和KL25Z128VFM单片机组成的直流电机控制电路和相应控制程序设计。该电路采用IRF4905和IRF3205场效应管、CD4504电压转换芯片、32位M0+单片机等,通过PID算法实现了直流电机的闭环控制,具有稳定可靠、自我保护、控制精度高、工作电流大等特点,在全国第九届Freescale智能车比赛中得到应用,效果良好。     

基于KL25单片机的直流电机控制电路及编程

介绍了一种基于KL25单片机和场效应管组成的直流电机控制电路和相应的控制程序设计。该电路采用32位M0+单片机、CD4504电压转换芯片、编码器、IRF4905和IRF3205场效应管,通过PID算法实现了直流电机的闭环控制,具有工作电流大、控制精度高、稳定可靠和自我保护等特点,在全国Freescale智能车比赛中得到应用,效果良好。     

H型模拟功放的一种改进

上臂管工作在开关状态的H型模拟功率放大器，控制信号换向时，电路中不会出现冲击电流，采用功率场效应管作为上臂开关臂，可列好地构成H模拟功放。     

功率场效应管高频建模方法

开关器件在开通和关断暂态过程中产生的高电压和电流变化是电磁干扰(EMI)的主要来源。准确的EMI预测需要对功率器件开关瞬间的动态行为进行精确地描述。首先介绍了两种常见的功率场效应管的建模方法、子电路模型和集总电荷模型。然后提出利用Saber建模工具Model Architect对功率场效应管进行建模。最后利用Saber软件建立逆变器电路模型进行仿真对比,得到了功率场效应管的开关波形和电路的传导干扰波形。仿真的结果显示,用Saber中Model Architect建模工具所建的模型能够反映较为实际的情况,相对准确地预测电路中的电磁干扰。     

基于四象限调速的直流电机控制器设计

介绍了基于单片机的直流串激电机四象限调速控制器。此控制器通过调节光电编码器的旋转方向及角度实现对直流串激电机转速和转向的控制;由功率场效应管组成可逆PWM系统实现了直流电机的四象限运行;同时对为系统供电的铅酸电池电压实时采样,由多个发光二极管显示电压范围;由霍尔电流传感器反映流经电机电枢的电流,当发生过流时采取硬件和软件双重保护。经过实际运行表明研制的串激直流电机控制系统达到了设计要求。     

单程票传送机构中直流电机的驱动设计

基于H桥型场效应管作为功率器件,利用单片机脉宽调制控制技术来搭建单程票传送机构控制板中的直流电机控制电路,满足大电流直流电机驱动控制。实际应用表明该控制电路具有成本低、功耗低、控制简单可靠等特点。     

直流—交流变换器

直流—交流变换器是日本横河电机制作所的一项专利。该装置利用场效应管把直流变换成交流,这种变换器的导通时间率好(因为场效应管的输入阻抗高),不受驱动电源混入的噪声等的影响,而且也达到了耗电省的目的,常常用在自动平衡型的记录仪及指示仪。本专利的线路如图1所示。     

MOS场效应管压力微传感器

阐述了一种MOS场效应管 (MOSFET)压力微传感器的结构和基本工作原理。通过对该传感器的仿真实验 ,证明了MOSFET压力微传感器可通过简单的电压———电流转换原理 ,利用栅极电容的变化导致漏极电流与开启电压的变化而有效地测出作用于栅极膜片的压力的变化 ,具有较高的灵敏度与稳定性。     

用铂膜栅场效应管检测磷烷

对氢气、硫化氢和氨等的检测通常使用钯膜栅场效应管。介绍一种新型铂膜栅场效应管传感器,它可以检测低浓度的磷烷,其机理与钯膜栅场效应管检测氢气不完全相同。还研究了温度对检测磷烷的影响,测定了不同浓度磷烷下铂膜栅场效应管的功函数值。当磷烷浓度在10~(-6)～1.5×10~(-5)范围内,信号与磷烷浓度的对数呈线性。     

机器视觉中的LED光源控制器

主要是研究机器人视觉中的LED光源控制器,即基于单片机的恒流源控制器。该恒流源以AT89S51为控制核心,采用了集成运放负反馈型的场效应管恒流源的基本结构。它的整体设计思路是运用负反馈原理,使整个闭环反馈系统处于动态的平衡中,从而达到稳定输出电流的目的。出于对LED背光源和场效应管的保护,系统中添加了短路保护和过流保护电路。系统采用了12位的A／D芯片MAX197和12位的D／A芯片MAX532,以完成单片机对输出电流的实时检测和实时控制。人机接口采用LED数码管显示器、独立键盘、外接串1：7,控制界面直观、简洁,具有良好的人机交互性能。     

巧用电容测量场效应管

在用万用表判别场效应管好坏时,由于场效应管电极之间的正反向电阻没有普通三极管那样明显,所以会造成判断不够准确。根据各类场效应管的结构和工作原理,本人巧用电容和万用表测量各类场效应管,判断准确、方法简单。现将其测量方法简述如下,供各位同行参考。     

用结型场效应管组成的低功耗逻辑转换器

<正> 某些CMOS集成电路需要把5V逻辑信号转换成12V或15V电平的信号,图1给出一种简单方法。晶体管Q_1是一个工作在共栅极状态的n沟道结型场效应管。大于1V或2V的源极电压使结型场效应管的沟道被夹断,并让电阻R_1把漏极电压拉到V_s。接近0V的源极电压使沟道导通,从而使漏极电压也接近0V。电阻R_1决定了电路的转换速度和电源的功耗。R_1阻值从100KΩ变到1MΩ,汲取的电流大约从150μA变到15μA,实际的脉冲速率限制在1MHz左右。这种线路耗电比基于双极型晶体管的电路少,而且线路省掉一个元件(基极电阻)。     

场效应管恒流源特性的分析与研究

在对场效应管恒流源的温度特性及负载特性进行一定深度的分析基础上,得出串联场效应管恒流源有较好负载特性及串联二极管可改善恒流源的温度特性的结论,提出采用串联场效应管恒流源并采用二极管作温度补偿的方法,可获得负载特性与温度特性均佳的性能。     

新型小电流传感器应用

介绍了一种新型的磁多谐振荡式直流小电流传感器在雷电流测量中应用。该传感器主要用新型材料铁基超微晶软磁合金作磁环和场效应管组成，具有结构简单、体积小、灵敏度高、线性度好、功耗低而且无接触等优点。分析了其工作原理，且列出了试验结果。     

一种适用于非连续工作状态的脉冲功率激励源

提出了一种应用于非连续工作状态的脉冲功率激励源的设计方案,该方案以功率场效应管为开关器件构成全桥功率放大电路,采用储能电容压缩能量提高功率,基于幅相调制方法调节输出功率,具有频率范围广、输出效率高和输出功率调节方便的特点,解决了仪器供电电源输出电流有限和要求激励源大功率输出之间的矛盾.     

新颖的N沟道VMOSFET驱动电路

普通MOSFET的栅极、源极、漏极处于芯片水平方向的同一表面上．导通时的工作电流沿芯片表面按水平方向流动．称为水平式场效应管。VMOSFET的栅极做成V形．源极制馓在栅极的两边．栅极与半导体材料之间的S1O2层也做成V形。GS间施加电压后形成的反型层导电沟道呈V形．漏极电流垂直向源极流动．到达表面时沿V形导电沟道流到源极S．故称为VMOSFET。