资料简介索引

红外技术 1001 Pb_(1-x)Sn_xTe(0≤x≤0.25)光伏探测器的少数载流子寿命和电阻面积乘积 Photovoltaic detectors Pb_(1-x)Sn_xTe(0≤x≤0.25) minority carrier lifetimes resistance-area product, M. Grudzien, Infrared Phys., 1081, Vol. 21, No. 1, pp. 1-8. 计算了Pb_(1-x)Sn_xTe中辐射复合和俄歇复合时的少数载流子寿命。计算是在77、200和300K温度下进行的,组分范围为0≤x≤0.30。在附录中比较了在100K温度下的实验结果和理论计算。探讨了在77K时     

红外器件

001 红外探测器 Bauelement der infrarottechnik,K.J.Stahl,Elek.Anz.,1972,Vol.25,no.21,pp.379-385. 研究了红外探测器及红外辐射源。提出气体激光器(He-Ne,Xe,I,CO,CO_2,H_2O,HCN)和半导体激光器(GaSb,InAs,PbS,InSb等)的辐射波长。真功率。示出光谱灵敏度曲线及热和光电器     

用俄歇电子谱仪测量半导体

俄歇(Auger)电子谱仪是一种新型的综合性分析装置,利用它作半导体材料和器件的组分与表面的分析,是一个很有力的工具,也是一门新技术.本文将叙述采用俄歇电子谱仪,对光电子器件常用的化合物半导体镓铝砷(GA_(1-x)Al_xAs)、镓铝砷磷(Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y)等多元化合物材料的组分,进行定性分析和定量测量,通过与标准样品作比较而推导出组分x、y值的计算公式,给出了实验方法与实验结果.一、概述俄歇电子谱仪是一种普遍适用于分析各种固体材料所含元素的新设备.它可以对半导体材料进行表面     

InAsSb应力层超晶格长波红外光电探测器

用InAs__(1-x)Sb_x/InSb(x=0.82-0.85)应力层超晶格(SLS＇s)制备了长波红外光电二极管。这些探测器具有的宽光谱响应扩展到≥10μm波段,在10μm处的可探测率为1×10~9cm·Hz1/2/W。本文介绍的光电二极管是迄今报导的波长最长的Ⅲ-Ⅴ族光电器件。     

温度和材料参数对InAsxSb1-x俄歇复合寿命影响的数值分析

工作在中长波的红外探测器可被广泛应用在空间成像、军事和通信等领域,锑基InAsSb材料由于其特殊的性质是制作长波非致冷光子探测器的理想材料。俄歇复合寿命是影响探测器性能的重要因素之一,文章采用Matlab软件模拟研究了n型和p型InAsxSb1-x材料的俄歇复合寿命随温度、As组分及载流子浓度的变化。对确定的As组分,可通过优化工作温度及载流子浓度获得较长的俄歇复合寿命。当载流子浓度为3.2×1015 cm-3、温度为200K时,n型InAs0.35Sb0.65的俄歇复合寿命最大为2.91×10-9 s。     

金属有机化学汽相淀积(MO-CVD)技术

一、引言二、MO-CVD的基本原理及生长系统三、用MO-CVD进行晶体生长及生长晶体的质量(1) GaAs的生长(a) 在绝缘衬底上生长GaAs (b) 在半绝缘GaAs、Ge衬底上生长GaAs (2) 其它Ⅲ—Ⅴ族化合物及固溶体的生长(a) Ga_(1-x)Al_xAs、Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)的生长(b) GaSb的生长(c) InAs_(1-x)Sb_x/InAs的生长四、用MO-CVD生长的晶体制备的器件特性     

红外CCD系统

本文讨论了红外CCD应用在高性能热象仪中的若干可能的系统方案,所涉及到的范围由反射镜扫描方块器件到大型“凝视”列阵。综述了红外CCD的某些可能的制造工艺,其中包括单块非本征硅器件、单块肖特基位垒器件、InSb CID和CCD、热电—硅混合器件和窄禁带半导体—硅混合式器件。对于工作温度给予了一定的强调,并估算了各种系统和制造工艺的温度上限。     

32×32面阵InSb CID器件设计和研制

本文介绍了32×32面阵InSb电荷注入器件(CID)工作原理,着重于面阵结构的设计思想,InSb MIS结构电特性分析,及面阵器件工艺实现方法。并给出器件性能分析结果。     

InSb红外成象器的工艺进展

介绍了制备InSb红外探测器列阵所需要的半导体工艺。业已成功地制备了高质量的MOS(金属—氧化物—半导体)、MOSFET(金属—氧化物—半导体场效应晶体管)以及线列和二维CID(电荷注入器件)列阵器件。确定了MOS电容的界面态密度小于5×10~(10)厘米~(-2)·电子伏~(-1)。这些结果意味着能够制备自扫描单块列阵。借助探测率(D~*)和响应率(R)对线列和二维CID列阵的性能进行了评价。测出了一个64元的线列的平均D~*为3.4×10~(11)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1),这个值相当于背景限D~*值的70%。R为1×10~(-5)伏/光子,其均匀性为10%。也得到了32×32元列阵的D~*和R值。     

红外成象器件用InSb MIS结构

研制了在 77°K测量时具有好的界面性能的InSb金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。从暗电流的测量确定,对用于CCD或CID方式工作时,其存储时间在0.2秒范围。最近器件C-t测量表明,暗电流存储时间为≤0.7秒。用红外辐照表明,单元InSb MIS结构是电荷注入作用(CID)的存储形式。然而,存储器件工作在红外应用,因为它积分背景和信号两者的辐射,所以背景光子流是个主要问题。按照恰当的界面性质的解释,提出了器件电荷存储作用中减少背景光子流影响的一个新方法。这个新技术结合电耦合原理采用多门电极结构。     

资料简介索引

红外技术 3001 Hg(1-x)Cd_xTe合金的低温热膨胀 The low-tempera ture thermal expansion of Hg_(1-x)Cd_xTe alloys,O.Caporaletti,Canada,Appl.Phys.Left.,1981,Vol.39,No.4,pp.338-339. 测定了对红外探测器技术有关的合金组分x=0.20和0.30的半导体Hg(1-x)Cd_xTe的热膨胀线性系数。温度关系与其他锌闪锌矿结构的化合物类似。热膨胀系数在64K时变为负值。除了温度低于30K时它不受组分影响,而这时富HgTe的合金则具有更深的最小负值。     

Cd在InSb中扩散时,表面合金球形成原因分析

本文在实验结果和俄歇能谱分析结果的基础上,分析了Cd在InSb中扩散时,形成表面合金球的因素,探讨了合金球形成机理。从扩散工艺的角度提出了减少或清除表面合金球措施。 Cd扩散后的InSb晶片表面上,经常发现一些球状的“鼓泡”(小丘),通常称为表面合金球,它的出现,影响了p—n结的平坦性,对光刻及其他工艺带来很多麻烦,并且最终影响器件性能。本文在实验结果和俄歇分析的基础上探讨表面合金球的形成原因。     

InAs_(0.07)Sb_(0.93)膜的光电性能

在非晶形玻璃衬底上同时蒸发InSb和InAs,再用液相微熔区再结晶法生长成n型InAs_(0.07)Sb_(0.93)半导体固溶体膜。这种膜虽是多品的,而且厚度不到5微米,但与以往报道的块状或外延生长的InAs_xSb_(1-x)单晶相比,电学和电磁学参数不是相近就是更好。     

InSb光电导太赫兹辐射理论研究

为了研究锑化铟(InSb)半导体材料的光电导太赫兹辐射过程,推导了太赫兹近场辐射公式。在考虑俄歇弛豫机制对光电导过程影响的情况下,分析了InSb光生载流子浓度、载流子散射率以及光电导表面反射率随时间的变化。结果表明,数值模拟与文献中的实验曲线变化趋势一致,计算结果吻合,证明了该研究方法的正确性。     

红外技术

器件 071 离子注入Cd_λHg_(1-x)Te红外光伏探测器 Infrared photovoltaic detectors from ionimplanted Cd_λHg_(1-x)Te,J.Marine,Appl.Phys.Lett.,15 Oct.1973,Vol.23,No.8,pp.450-452. 已用Al离子注入技术产生n-型区制成了Cd_xHg_(1-λ)Ten-p结光伏探测器。用这种料材制成的注入式二极管,组分x=0.18,相应的禁带宽为0.1电子伏,灵敏面积为200×250微米的元件在77°K     

料简介索引

红外器件1001 从化学计量溶体外延生长Cd_xHg_(1-x)Te(结晶和扩散)The epitaxial growth of Cd_xHg_(1-x)Te from stoi-chiometric melts(Crystallization and diffusion),V.I,Ivanov-Omskii,A.F.Ioffe,Physico-TechnicalInstitute,Academy of Science of the USSR,Phy-sica Status Solidi(a),April 1980,Vol.58,No. 2,pp.543-548在CdTe和ZnTe衬底上化学计量溶体生长Cd_xHg_(1-x)Te外延层。研究了外延层的组分分布。说明整个层的组分分布由两个过程限定:正常结晶和组分相互扩散。相互扩散系数与组分的关系用假设外延层生长速率高     

国外资料索引

一、红外技术红外器件 158碲镉汞中的异常霍尔效应 Anomalous Hall Effect in Hg_(1-x)Cd_x Te, Osamu Ohtsuki, Ryuichi Ueda, Japan J. Appl. Phys., Sept. 1971, Vol. 10, No. 9, pp. 1288-89. 本文报导了对在一定温度范围内的异常霍尔效应的研究情况。叙述了在9～400°K温度范围内对退火单晶Hg_(1-x)Cd_x Te(0.17相似文献   

Cd_xHg_(1-x)Te晶体杂质导电区的载流子复合

研究了85K时,x=0.195～0.22,平衡载流子浓度n_0=3×10~(14)～6×10~(15)厘米~(-3)的n型Cd_xHg_(1-x)Te晶体中的带间俄歇复合。导出实现杂质导电区寿命最佳值的条件。计算了τ与组分和掺杂的关系。讨论了光灵敏度过低的样品中,体材料局部中心和微小不均匀度参加复合的可能性。     

窄禁带半导体的自由载流子吸收

从理论和实验上研究了77K和300K温度下,本征型半导体InSb,Hg_(1-x)Cd_xTe,Hg_(1-x)Mn_xTe和高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe在2.5～50μm波段范围内的自由载流子吸收,结果表明:对于所研究的三种本征型样品,均是极性光学声子散射起主要作用,对于InSb还应考虑声学声子和电离杂质散射。对有缺陷的Hg_(1-x)Mn_xTe样品,理论计算的自由载流子吸收系数与实验值不一致,表明存在附加的散射机制,对高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe的研究证实了这一假设。还讨论了非弹性电子-声子散射机制的起因,估算了特性参数。     

Cd_xHg_(1-x)Te晶体杂质导电区的载流子复合

研究了n-型Cd_xHg_(1-x)Te晶体(x=0.195～0.22,85K时平衡载流子浓度n_0=3×10~(14)～6×10~(15)厘米~(-3))中的带间俄歇复合。列出在杂质导电区实现最佳寿命τ的条件。计算了τ与组分和掺杂程度的关系。就光电灵敏度下降的样品,讨论了材料中可能产生的显微不均匀性和局部中心的复合过程。