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混合式探测器(Hybrid Photodetector,HPD)作为一种新型的光电探测器件,是真空与半导体类结合型探测器件。HPD包括沉积在输入光窗表面的光电探测阴极、固态半导体阳极芯片和保持系统真空度的固态阳极。工作时,光信号通过沉积在输入光窗表面的光电阴极转化为光电子,经过高能电场加速后获得高能量轰击阳极半导体芯片表面,产生大量的电子空穴对,电子空穴对在半导体内部进行迁移,并通过自身的雪崩效应实现倍增,最终以电流信号输出。该探测器摒弃了传统的光电倍增管的微通道板(Micro Channel Plate,MCP)等倍增器件,克服了倍增单元信号易饱和的缺陷,增大了探测器的动态范围。HPD探测器综合了光电倍增管的高灵敏度和半导体芯片优异的空间和能量分辨率,具有探测面积大、探测灵敏度高、倍增效应强、动态范围宽等优点。在高能物理、医学成像和天体物理中有着重要的应用。此外,该探测器具有多种结构,分为近贴聚焦结构、交叉聚焦结构和漏斗聚焦结构,能够满足不同使用范围的探测需求;随着半导体阳极技术的发展,HPD阳极从单一芯片逐渐过渡到阵列式阳极结构,满足了大面积探测的需求。同时数字式读出和倍增信号技术的封装技术的发展,提高了HPD探测器的信号倍增和读出速度,改善了器件的集成化程度,有利于探测信号读出速率和信噪比的提升。近年来,其单光子计数和高动态响应等能力逐步被重视,将会在未来的光电探测领域发挥更为重要的作用。 相似文献
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Lasertron QDEUHS-075超快速GaInAs光电探测器,正用来使目前正在发展以满足大大增长的长途通信和电视传送业务需要的光纤传输系统的组件和系统性能具有特点.QDEUHS-075是带宽能大于8GHz的高速微波组件中的一种光纤耦合低电容探测器. 相似文献
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从征 《激光与光电子学进展》1994,31(6):30
半导体雪崩光电探测器许多科学仪器,从深深建在地下的探测太阳中微子的巨型水箱,到用于生物研究的荧光探测器,均以每次探测一个光子能力为基础。传统方法中,这种探测只能使用光电倍增管,然而它体积庞大、易碎、价格昂贵。芯片中的电子雪崩产生可探测信号现在芬兰一研... 相似文献
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光电探测器在许多应用中发挥着关键作用,例如遥感、夜视、侦察、医学成像、热成像和化学检测。随着光电探测任务的逐渐复杂化,工作在不同波段的光电探测器逐渐被集成用于对同一场景的宽光谱探测。受限于集成系统的体积和任务模块,常规的宽谱探测任务往往需要多个不同波段的探测器协同工作,极大增加了系统复杂度,因此具有超宽带探测(紫外-可见-红外-太赫兹)能力的光电探测器逐渐成为国际研究的前沿热点。但是迄今为止,有关超宽带光电探测器的综述还没有见诸报道。因此,本文系统整理了超宽带光电探测器在过去十年的研究进展。文章首先介绍了衡量光电探测器响应性能的指标以及常见光电探测器的主要类型,在此基础上重点回顾了不同类型超宽带光电探测器的研究进展、发展现状、面临的挑战,并展望了未来的研究方向。 相似文献
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硅光电探测器阵列 总被引:1,自引:0,他引:1
以获得高量子效率的pin硅光电探测器阵列为目标,对影响pin硅光电探测器阵列量子效率和暗电流的重要因素展开了分析,此外针对探测器入射面的抗反射层结构进行了理论分析与模拟的仿真研究.流片测试结果表明,实验样品LPD型硅光电探测器阵列的单像素暗电流为2~7 pA,低于滨松S11212型商用光电探测器;结电容为45 ~ 46 pF,光响应值为0.37~0.39 A/W(仅比S11212型器件低约0.25%).LPD硅光电探测器阵列通过耦合碘化铯晶体并封装之后,放置在物品安检机上进行扫描成像,测试结果表明:LPD硅光电探测器阵列可以在X光机165 kV,0.8 mA时穿透40 mm厚的铅饼清晰成像.LPD硅光电探测器阵列的整体灵敏度和商用S11212型光电探测器性能相当,没有明显区别. 相似文献
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