石墨烯光电探测器

意义：石墨烯是一种新型的二维材料，可以认为它是以六角点阵排列的单层碳原子。研究人员已经发现在石墨烯顶部放置了两个彼此非常靠近的金属线，并在这一结构上施加光照，可以产生电能。这一简单装置已用于太阳能电池。但这类前景广阔的设备进入实际应用还有一个主要障碍：效率低。由于石墨烯是世界上最薄的材料，几乎不吸收光（约3％），     

硅光电探测器

本文以典型器件为例,较详细地介绍了Si-PIN光电二极管和Si雪崩光电二极管,讨论了器件理论和器件结构、制作工艺等一些实际问题。介绍了典型器件参数。     

半导体光电探测器

本文将介绍几种半导体光电探测器的研制工艺,器件特性及其应用举例.     

光电二极管探测器

美国世界精密仪器公司研制的,LUME 型光电二极管探测器,采用≥+2V 电源供电,能提供一种与可见光到近红外光谱内的入射光成正比的输出电压信号。其内部装有一个微型硅光电二极管,外形呈细长形,以不锈钢制作。安装简便,并且有监视     

超高速光电探测器

在半绝缘GaAs基底上用一种特殊的平面结构制造出了100GHz的肖特基光电二极管。并用电—光取样技术进行了测定。     

塑料薄膜光电探测器

美国Boulder公司已研制了一种新的多用途光电探测器以及一与它配套的独特校准技术。光电探测器由厚度6～12微米的聚氟乙烯或聚二氟乙烯薄膜组成,薄膜两面加有10毫微米厚的镍膜。工作时,薄膜产生偶极矩,它随所吸收的入射辐射而改变。光电探测器由紫外到远红外波长都有均匀响应。它的突出特点是,低噪声、在室温时是1赫带宽1毫微瓦、快响应,可以看到1微秒的脉冲形状,并能扩展到毫微秒范围、     

混合式光电探测器

混合式探测器(Hybrid Photodetector,HPD)作为一种新型的光电探测器件,是真空与半导体类结合型探测器件。HPD包括沉积在输入光窗表面的光电探测阴极、固态半导体阳极芯片和保持系统真空度的固态阳极。工作时,光信号通过沉积在输入光窗表面的光电阴极转化为光电子,经过高能电场加速后获得高能量轰击阳极半导体芯片表面,产生大量的电子空穴对,电子空穴对在半导体内部进行迁移,并通过自身的雪崩效应实现倍增,最终以电流信号输出。该探测器摒弃了传统的光电倍增管的微通道板(Micro Channel Plate,MCP)等倍增器件,克服了倍增单元信号易饱和的缺陷,增大了探测器的动态范围。HPD探测器综合了光电倍增管的高灵敏度和半导体芯片优异的空间和能量分辨率,具有探测面积大、探测灵敏度高、倍增效应强、动态范围宽等优点。在高能物理、医学成像和天体物理中有着重要的应用。此外,该探测器具有多种结构,分为近贴聚焦结构、交叉聚焦结构和漏斗聚焦结构,能够满足不同使用范围的探测需求;随着半导体阳极技术的发展,HPD阳极从单一芯片逐渐过渡到阵列式阳极结构,满足了大面积探测的需求。同时数字式读出和倍增信号技术的封装技术的发展,提高了HPD探测器的信号倍增和读出速度,改善了器件的集成化程度,有利于探测信号读出速率和信噪比的提升。近年来,其单光子计数和高动态响应等能力逐步被重视,将会在未来的光电探测领域发挥更为重要的作用。     

超高速光电探测器

现代激光科学研究、核爆模拟、惯性约束核聚变（ICF）研究等领域需要测量半宽度100ps左右的超高速激光脉冲。超高速光电探测器就是探测光信号并转换成相应电脉冲的有力工具。     

GaInAs光电探测器

Lasertron QDEUHS-075超快速GaInAs光电探测器,正用来使目前正在发展以满足大大增长的长途通信和电视传送业务需要的光纤传输系统的组件和系统性能具有特点.QDEUHS-075是带宽能大于8GHz的高速微波组件中的一种光纤耦合低电容探测器.     

光电探测器专题文摘

81·301 HgCdTe雪崩光电二极管的研制—Theodorc C.Harman,AD-A081595,最终报告.本报告详细介绍了林肯实验室78～79年研制HgCdTe雪崩光电二极管的情况。着重讲HgCdTe的液相外延生长及经由CdTe和CdTeSe衬底上不同外延生长层的差动热分析、光电特性分析法的液相等温线的确定。     

半导体雪崩光电探测器

半导体雪崩光电探测器许多科学仪器，从深深建在地下的探测太阳中微子的巨型水箱，到用于生物研究的荧光探测器，均以每次探测一个光子能力为基础。传统方法中，这种探测只能使用光电倍增管，然而它体积庞大、易碎、价格昂贵。芯片中的电子雪崩产生可探测信号现在芬兰一研...     

硅PIN光电探测器

利用成熟的半导体平面工艺,采用高阻硅(Si)单晶,我们已成功地制造了四种光电探测器。1.单个的 Si—PIN 光电二极管2.Si 象限探测器3.Si 光电压探测器4.其它光电二极管列阵     

超宽带光电探测器研究进展

光电探测器在许多应用中发挥着关键作用,例如遥感、夜视、侦察、医学成像、热成像和化学检测。随着光电探测任务的逐渐复杂化,工作在不同波段的光电探测器逐渐被集成用于对同一场景的宽光谱探测。受限于集成系统的体积和任务模块,常规的宽谱探测任务往往需要多个不同波段的探测器协同工作,极大增加了系统复杂度,因此具有超宽带探测（紫外-可见-红外-太赫兹）能力的光电探测器逐渐成为国际研究的前沿热点。但是迄今为止,有关超宽带光电探测器的综述还没有见诸报道。因此,本文系统整理了超宽带光电探测器在过去十年的研究进展。文章首先介绍了衡量光电探测器响应性能的指标以及常见光电探测器的主要类型,在此基础上重点回顾了不同类型超宽带光电探测器的研究进展、发展现状、面临的挑战,并展望了未来的研究方向。     

双波段光电探测器

光电探测器是实现光电检测及各种光电技术的核心部件。文章介绍采用Si和In-GaAs两种材料集成制作的双波段光电探测器，它能同时探测并区分400～1100nm和1100～1 650 nm波段的入射光。     

硅雪崩光电探测器

(一)用途本所已鉴定的硅雪崩光电探测器有二种型号:GF211GAPD和GT221RAPD。它们适合于用GaAs和Ga_(1-x)AlxAS材料制成的发光二极管(非相干光源)和激光器(相干光源)为发射机光源的光纤通信系统以及红外测距仪中,作为光信号的检测之用。     

集成光电探测器系统

设计研制了一种集成光电探测器系统,它将光电二极管阵列及信号读出电路集成在同一硅芯片上。本文主要介绍该系统的工作原理及初步测试结果     

硅光电探测器阵列

以获得高量子效率的pin硅光电探测器阵列为目标,对影响pin硅光电探测器阵列量子效率和暗电流的重要因素展开了分析,此外针对探测器入射面的抗反射层结构进行了理论分析与模拟的仿真研究.流片测试结果表明,实验样品LPD型硅光电探测器阵列的单像素暗电流为2～7 pA,低于滨松S11212型商用光电探测器;结电容为45 ～ 46 pF,光响应值为0.37～0.39 A/W(仅比S11212型器件低约0.25％).LPD硅光电探测器阵列通过耦合碘化铯晶体并封装之后,放置在物品安检机上进行扫描成像,测试结果表明:LPD硅光电探测器阵列可以在X光机165 kV,0.8 mA时穿透40 mm厚的铅饼清晰成像.LPD硅光电探测器阵列的整体灵敏度和商用S11212型光电探测器性能相当,没有明显区别.     

集成光学光电探测器

为了吸取集成光学的优点,就必须研制一种电-光集成元件,以避免电和光学元件间的复杂界面。首先制成一种电-光学集成光电探测器,它是在包含一个光电二极管的Si-SiO_2基片上沉积一个玻璃波导而构成的,通过这个波导,把入射光束导入光电二极管。结构如图1所示。     

位置敏感光电探测器

位置敏感光电探测器具有广泛的用途，介绍了器件的工作原理，输出信号的位置表达式及各种不同几何图形，等效电路，位置线性度和清晰度等参数性能，存在的缺点，以及不同几何结构的器件性能比较。