立体光刻技术制备三维光子晶体

以三维金刚石结构光子晶体为例,采用立体光刻技术(SLA)进行三维光子晶体的制备研究.微波透射谱测试表明,所制备的光子晶体的禁带分布在12.3～13.4GHz之间,与理论计算值一致,表明立体光刻技术可用于复杂三维光子晶体结构的制备研究.     

液晶/聚合物显示器件中的聚合物栅和墙结构

采用向列相液晶和在光照下可发牛相分离的预聚物单体组成的混合物，分别应用掩膜版法和光刻电极图形法制作的夹层结构液晶盒，在个同条件Ｆ经紫外光辐照发生相分离，形成聚合物栅和墙结构。系统研究厂不同的单体种类、单体含量、ＵＶ光强、聚合温度对聚合物栅和墙结构的影响，比较了两种方法形成的概和墙结构的效果。最后给出作为光学衍射器件使用的衍射效果。     

立体光刻技术制备三维光子晶体

以三维金刚石结构光子晶体为例,采用立体光刻技术(SLA)进行三维光子晶体的制备研究.微波透射谱测试表明,所制备的光子晶体的禁带分布在12.3～13.4GHz之间,与理论计算值一致,表明立体光刻技术可用于复杂三维光子晶体结构的制备研究.     

德国建立32nm光刻掩膜研发项目

先进掩膜技术中心（AMTC）、半导体设备供货商Vistec和德国国家物理技术研究院（PTB）将共同完成研发下一代芯片生产技术和量测流程的开发项目。     

先进掩膜帮助延长光学光刻的寿命

作为光刻技术的“替罪羊”，光刻掩膜版已成为光成像途径中越来越重要的一部分。随着改善的光学邻近修正（OPC）和其它分辨率增强技术（RET）的发展——包括双重图形技术的前影--掩膜版将会是保持光学光刻在商业上的地位的关键。     

亚65 nm及以下节点的光刻技术

由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术.配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降.随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战.对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择.     

IMEC宣布在栅堆叠和多栅极场效应管器件方面的技术突破

在今年的日本京都2005年6月14日VLSI技术研讨会上，IMEC与其在CMOS工艺上的主要合作伙伴们一起宣布几项在栅堆叠（Gate-stack）和多栅极场效应管（MuGFETs）器件方面的技术突破。多栅极场效应管和栅堆叠技术的结合连同在掩膜版光刻技术的进步也创造了一个新纪录，使一个包含六个完全可工作的晶体管的SRAM单元的面积仅有0．247平方微米。     

用可见激光研究丙胺分子的多光子电离

本文在４４３ｎｍ，４７８ｎｍ和５３２ｎｍ处，获得了不同激光强度下丙胺分子多光子电离飞行时间－质谱。     

CH3I在532nm及455.5nm激光作用下多光子电离研究

本文利用飞行时间质谱仪研究了532nm和455.5nm激光作用下CH3I分子的多光子电离解离（MPID）。在532nm激光作用下，CH3I分子由双光子激发到A带的A2态，它的MPID属母体离子阶梯模式;在455.5nm激光作用下，CH3I分子由双光子激发到A带的3E态，它的MPID属中性碎片光电离模式。     

制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术

极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空间相干光源。其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪。用EUV -IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究。验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作 1 9nm线 /间 (L/S)条纹图形 ,同时报告了采用EUV -IL技术开发亚 50nm密集线 /间图形的进展 ,并开始向制作 1 2 0nm多晶硅栅图形过渡     

266nm激光下硝基苯的多光子电离解离研究

在266nm波长激光下,通过激光质谱仪获得气相硝基苯的共振增强多光子电离/飞行时间质谱（REMPI-TOFMS）。根据质谱图中出现的主要离子峰信息,对硝基苯的光解离过程进行了分析。硝基苯与266nm激光的作用过程为三光子过程,其首先吸收两个光子跃迁至激发态,一部分处于激发态的分子,因内转换导致结构重排,生成分子异构体。处于激发态的硝基苯分子或分子异构体共振吸收一光子后发生解离,并给出其可能的解离通道。     

355nm激光作用下二甲胺的多光子电离质谱研究

利用多光子电离技术结合飞行时间质谱仪,在355nm激光作用下对二甲胺分子进行了研究,我们认为其主要经历了2＋1的REMPI过程,二甲胺母体离子α断裂产生CH3N＋H=CH2,CH3N＋H=CH2进一步解离产生C2H4N＋,用从头算方法确定了m/e=42的离子是（CH3N≡CH）＋,对m/e=28的离子的可能来源进行了推测：一是（CH3N≡CH）＋离子进一步发生重排,失去CH2游离基;二是CH2=N＋H21,2脱氢。     

应用于极紫外光刻系统多层膜的研究进展

极紫外光刻是采用波长为13.5nm的极紫外光作为光源,实现半导体集成电路工艺22纳米以及更窄线宽节点的主要候选光刻技术。性能优越稳定的多层膜技术是构建整个极紫外光刻系统的重要技术之一。从高反射率,波长匹配,控制面形以及稳定性和寿命方面总结了极紫外光刻系统中多层膜的性能要求和最新的研究进展,叙述了制备高性能多层膜的方法和沉积设备,讨论了多层膜制备技术还存在的问题和发展的方向。     

应用于极紫外光刻系统多层膜的研究进展

极紫外光刻是采用波长为13.5 nm的极紫外光作为光源,实现半导体集成电路工艺22 nm以及更窄线宽节点的主要候选光刻技术。性能优越稳定的多层膜技术是构建整个极紫外光刻系统的重要技术之一、从高反射率、波长匹配、控制面形以及稳定性和寿命方面总结了极紫外光刻系统中多层膜的性能要求和最新的研究进展,叙述了制备高性能多层膜的方法和沉积设备,讨论了多层膜制备技术存在的问题和发展的方向。     

260～285nm波段苯胺的共振增强多光子电离研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上获得了260～285nm波段气相苯胺分子的共振增强多光子电离／飞行时间质谱（REMPI-TOFMS）。结合在266nm激发波长下得到的C6H7N^＋、C5H6＋、C4H3^＋、C3H3^＋、C2H4^＋及H2CN^＋离子的光强指数及不同激光能量下备离子信号强度的分支比,对分子离子及主要碎片离子的生成机理进行了探讨：在此波段范围内,苯胺分子首先吸收一个光子跃迁至。B2第一激发态,处于激发态的苯胺分子再吸收一个光子电离生成分子离子C6H7N＋,分子离子进一步吸收光子解离为C5H6^＋、H2CN^＋、C6H^＋,碎片离子C6H5^＋继续吸收光子解离产生C4H3^＋、C3H3^＋、C2H4^＋,并给出了可能的解离通道。     

266nm的激光作用下溴苯分子的多光子电离碎片化机理

在266nm激光作用下,利用多光子电离-飞行时间质谱法获得了溴苯分子的MBPIF-TOF质谱。实验测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系,并用这些实验结果对溴苯分子的多光子电离解离机理做了分析,还对C6H5 ,C5H3 ,C4H2 ,C3H 等碎片离子的可能形成过程作了讨论,结果证明母体分子吸收光离解离是主要通道,且碎片离子主要是经过离子离解阶梯模式产生的。     

260-285nm波段苯胺的共振增强多光子电离研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上获得了260-285 nm波段气相苯胺分子的共振增强多光子电离／飞行时间质谱(REMPI-TOFMS)。结合在266 nm激发波长下得到的C6H7N 、C5H6 、C4H3 、C3H3 、C2H4 及H2CN 离子的光强指数及不同激光能量下各离子信号强度的分支比,对分子离子及主要碎片离子的生成机理进行了探讨:在此波段范围内,苯胺分子首先吸收一个光子跃迁至1B2第一激发态,处于激发态的苯胺分子再吸收一个光子电离生成分子离子C6H7N ,分子离子进一步吸收光子解离为C5H6 、H2CN 、C6H5 ,碎片离子C6H5 继续吸收光子解离产生C4H3 、C3H3 、C2H4 ,并给出了可能的解离通道。     

马里兰大学开发新型光阻剂有望实现纳米等级的光刻分辨率

美国马里兰大学(University of Maryland)的研究团队最近提出一种多光子光阻剂(multi-photon photoresists),能让可见光微影达到纳米等级的分辨率;通常微影分辨率是与曝光时间成反比。该团队新开发的多光子技术简称RAPID(Resolution Augmentation