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制备了Pt/CdS Schottky紫外探测器,对Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外(3~5μm)的透过率进行了研究,并对器件光电性能进行了测试分析。通过优化 Pt 电极制备条件及对 SiO2增透膜的研究,使Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外波段的透过率达到85%。室温300 K下,所制备Pt/CdS Schottky紫外探测器在零偏压处的背景光电流为-0.063 nA,在+6 V时的暗电流密度为7.6×10-7 A/cm2,R0A达到7.2×104?·cm2,其50%截止波长为510 nm。 相似文献
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紫外与红外大气窗口蕴含着与人类密切相关的信息。基于新型的时域有限差分光子学分析方法联合有限元电学分析方法研究了Pt/CdS紫外与InSb 红外双色焦平面阵列探测器的双色探测机理。研究发现,超薄 Pt金属膜与CdS形成肖特基结可以获得较大的紫外光响应并能更好耦合红外光。采用像元间距为50μm的Pt/CdS与InSb键合结构,可以很好的抑制像元间的串音。结果证明了紫外-红外双色探测的可行性,该方法将为紫外-红外双色探测器的设计提供基础指导。 相似文献
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介绍了PtSi/p-Si肖特基势垒红外探测器(简称IR-SBD)的优化结构及探测机理,给出了探测器的光增益模型,并对器件进行了制作及性能测试。器件在77K下,反偏4V时的反向漏电流为5×10(-6)μA,对1.52μm红外光的灵敏度为2.69×10(-2)A/W,量子效率为2.4%。 相似文献
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介绍了PtSi/p-Si肖特基势垒红外探测器(简称IR-SBD)的优化结构及探测机理,给出了探测器的光增益模型,并对器件进行了制作及性能测试。器件在77K下,反偏4V时的反向漏电流为5×10(-6)μA,对1.52μm红外光的灵敏度为2.69×10(-2)A/W,量子效率为2.4%。 相似文献
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在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm~365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs. 相似文献
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GaN基肖特基结构紫外探测器 总被引:6,自引:5,他引:6
在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)方法生长GaN外延层结构 ,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器 .测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线 .该紫外探测器在 5V偏压时暗电流为 0 4 2nA ,在 10V偏压时暗电流为 38 5nA .在零偏压下 ,该紫外探测器在2 5 0nm~ 36 5nm的波长范围内有较高的响应度 ,峰值响应度在 36 3nm波长处达到 0 12A/W ,在 36 5nm波长左右有陡峭的截止边 ;当波长超过紫外探测器的截止波长 (36 5nm左右 ) ,探测器的响应度减小了三个数量级以上 .该紫外探测器的响 相似文献
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