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霍尔器件可用于微位移测量,但实用时要设计复杂的磁路以保证在测量范围内为均匀梯度磁场.通常只能测1 mm左右的位移,这限制了其应用范围.采用反馈随动机构带动霍尔传感器跟踪被测体的位移,从而大大扩大了位移的测量范围,且不需要在测量中保持均匀梯度磁场. 相似文献
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基于霍尔元件的液压阀阀芯位移传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
针对液压阀阀芯位移检测问题,提出了一种基于线性霍尔元件的液压阀阀芯位移传感器结构.介绍了新型耐高压霍尔传感器的结构组成和工作原理;建立了传感器磁场有限元仿真模型,仿真分析了磁感应强度与阀芯位置之间的关系;最后研制了新型耐高压位移传感器,并进行了实验研究,结果表明:在2mm范围内传感器的线性度为1%,可用于比例阀芯位移检... 相似文献
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基于光纤光栅传感器制备了一种测量土体内部微变形的位移传感器,该传感器主要包括光纤光栅、PVC(Polyvinyl chloride)管和光纤锚固板.标定试验发现,微位移传感器的最小分辨率为0.0083 mm,灵敏度为0.12 nm/mm,可测量的最大位移为7.58 mm.通过边坡模型试验与有限元模拟计算对比研究发现,有限元计算与光纤光栅传感器的结果吻合较好,3个微位移传感器与有限元计算结果分析所得平均误差仅为0.033 mm,平均误差约为6.7%.本研究制备的微位移传感器具有灵敏度高、制备工艺方便、制备流程快捷、使用方法简单的特点,为土体内部微位移的监测提供了一种新型的测量方式. 相似文献
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微张力测量模型设计与实验研究 总被引:5,自引:0,他引:5
对差分结构的霍尔式张力测量模型进行了研究,基于线性霍尔元件和悬臂梁设计了挠度参变量和转角参变量两种微张力测量模型.应用悬臂梁系统将待测张力转换为位移和转角的变化,并以它们为中间参变量,建立了张力与霍尔电压的线性关系,实现了用线性霍尔元件以磁敏的方式测量张力.模型的对称互补式设计,不仅抵消了非线性变量对测量的影响,还能提高信号输出幅度.模型的差分式电压输出,能够抑制共模干扰和零点漂移.两种模型均能实现单一线性变量测量,实验结果符合理论结论.对比实验研究表明,挠度参变量微张力测量模型的灵敏度和线性度均优于转角参变量微张力测量模型,论述了设计原理并给出了理论计算. 相似文献
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新型提离自校正位移传感器的建模及特性分析 总被引:2,自引:2,他引:0
提出一种新型提离自校正非接触位移传感器,该传感器采用一对正交的霍尔元件来检测移动永磁体激励磁场的X和Y向分量,其中BX反映永磁体提离信息,BY反映永磁体位移信息。然后基于等效面电流方法,建立起位移传感器的数学模型。最后运用有限元方法对位移传感器的特性进行了分析,得到传感器提离时BX和BY的变化规律,为自校正位移传感器的实现提供依据。研究结果表明:BY正负峰值间曲线近似为线性,与永磁体位移存在对应关系;随着永磁体提离高度的增加,BX谷值大小和BY正负峰值间曲线斜率均相应改变;通过检测BX谷值的大小辨识出传感器提离高度,然后对BY曲线进行相应的修正,可抑制提离对传感器精准度的影响。 相似文献
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周珺 《自动化与仪器仪表》2011,(6):41-43
将霍尔传感器替代光杠杆,通过测量霍尔电势差进而计算微小位移。实践证明,该方法测量精度高、稳定性好,克服了以往测量方法的缺点,极大地提高了实验精度和实验效率。 相似文献
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扭矩的测量对旋转机械在各种载荷下的动态特性研究起着关键的作用,为此,设计了一种基于霍尔效应的扭矩传感器。传感器主要包括传感器轴、内铁心和外铁心,其中内、外铁心分别置于传感器轴的两端,且分别装配永磁磁钢和霍尔传感器。传感器工作时,霍尔传感器通入直流控制电压,永磁体建立恒定磁场,当负载扭矩加载后,传感器轴产生形变,内、外铁心中的霍尔传感器和恒定磁场的相对位置发生变化,霍尔传感器输出与负载扭矩相对应的电信号。最后对传感器进行了标定,结果表明传感器的灵敏度约为31.5 mV/(N·m),非线性误差约为2.49%,迟滞误差约为0.47%,重复性误差约为0.8%。 相似文献
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为实现永磁同步直线电机系统中对多个无源动子的绝对定位,设计了基于双磁道的短磁栅、长传感器定位方案。双磁道包括增量式磁道和绝对式磁道,每个磁道中的短磁栅为永磁体阵列,长传感器内霍尔阵列由线性霍尔芯片组成,且长传感器包含多个线性霍尔阵列。其中,增量式磁道采用区间查表方式计算位移增量,绝对式磁道采用连续位移编码方式识别绝对偏移量。定子传感器数字信号输出的霍尔芯片阵列与主控MCU之间通过总线方式连接,且信号处理和传输均在MCU中进行,简化了硬件电路。结果表明,无源多动子绝对位置传感器具有不同应用场景便于移植的特点,使无源动子的定位更灵活。 相似文献
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节气门用角度传感器研究逐渐趋于小型化、智能化以及非接触测量。用一种线性霍尔元件MLX90316设计制作了节气门传感器,论述了该传感器的原理与组成结构,研究了它的独立线性度、重复性和一致性。实验结果表明:本传感器使用水平磁通量为50 mT的圆盘形磁铁,磁铁与芯片的距离为5 mm,在磁铁转速为150 r/s时,传感器的独立线性度小于1.1%,同一传感器的重复性为2%,同批次传感器的一致性约为2%。 相似文献
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Gaspar J. Haohua Li Freitas P.P. Chu V. Conde J.P. 《Journal of microelectromechanical systems》2003,12(5):550-556
The movement of electrostatically actuated microbridges is measured by sensing the field of a permanent magnet, deposited and patterned on top of the microbridge, with a spin valve magnetic sensor fabricated beside the bridge at the level of the substrate. The spin valve sensor is sensitive to the position of the magnet and thus to the position of the bridge. The thin-film microbridges are fabricated using thin-film technology and surface micromachining at low temperatures (/spl les/100/spl deg/C) on glass substrates. The bridges are electrostatically actuated by applying a voltage between the bridges and a gate counter electrode placed beneath them. The deflection of the bridge is at the same time characterized optically by focusing a laser on the structure and monitoring the position of the reflected beam with a photodetector. A comparison of the bridge position sensing using the optical and magnetic methods is made. The absolute movement of the structures is measured with a precision close to 0.1 /spl Aring/ using the integrated magnetic sensor. The deflection of the electrostatically actuated structures is studied as a function of the applied gate voltage and length of the bridges. The experimental results show qualitative agreement with an electromechanical model. 相似文献