用于压电悬臂梁的PZT厚膜的溶胶-凝胶制备及表征

研究了一种用于制备硅基压电悬臂梁的PZT厚膜溶胶-凝胶工艺.该工艺通过采用交替旋涂法,将PZT溶胶与PZT纳米粉混合形成浆料,再和澄清PZT溶胶交替涂覆在Au/Cr/SiO2/Si的硅基悬臂梁结构上,当达到所需的厚度后再进行热处理.实验证明,热处理温度在650℃,处理时间15 min时,XRD结构表征显示PZT厚膜获得钙钛矿相结构,SEM中厚膜断面清晰,表面紧密、均匀、平整.铁电性能测试表明矫顽场为50kV/cm,饱和极化强度为54μC/cm2,剩余极化强度为30μC/cm2.同时,硅基悬臂梁结构采用典型的半导体光刻工艺,利用BHF/HCl溶液成功地刻蚀了PZT厚膜,并运用微机械加工技术刻蚀出硅悬臂梁结构.     

氢等离子体处理金刚石成核面

通过用氢等离子体对微波等离子体化学气象沉积法在钼基体上制备的金刚石厚膜的成核面进行表面处理,并利用拉曼光谱、扫描电镜和X射线光电子能谱对处理前后金刚石成核面进行表征,比较了处理前后金刚石成核面金刚石相含量、表面粗糙组度,并分析了薄膜中钼原子的化合态及百分含量.结果表明:经过氢等离子体处理后的金刚石成核面的金刚石相含量提高,表面粗糙度增大,钼原子的百分含量由1.64%变为0.83%,且能有效还原成核面上钼的氧化物生成碳化钼和碳化二钼.     

热丝CVD法制备大面积金刚石厚膜

采用热丝化学气相沉积（HFCVD）设备与工艺,在直径为90mm的钨基体上,以丙酮为碳源,制备了（111）取向的大面积金刚石厚膜,厚膜平均厚度达到1．2mm．用X-ray衍射、扫描电子显微镜（SEM）和拉曼光谱（Raman）对金刚石厚膜的织构、形貌和成分进行了分析,结果表明所制备的金刚石厚膜质量很好且有较高纯度．     

Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响

用Sol-Gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(1 0 1)为首要方向的多晶结构.测试结果表明:Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化、矫顽场、介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在1 mol%到10 mol%Nb掺杂范围内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小,薄膜的剩余极化强度和介电常数也有所减小.     

Wear of CVD thick film diamond cutter while machining laminated flooring

The rapid improvement in man-made board indus-try indicates the potential development of woodworkingtools.As one of man-made board,HPL flooring alsogains strong growth in application with the rapid devel-opment of construction industry[1~3].The wear resist-ance layer of HPL flooring brings a challenge for themachining performance of tools.Some of traditional toolmaterials,such as high speed steel(HSS),cementedcarbide,cannot meet the urgent need of high speed,consistent cutting quality and …     

高性能PZT压电厚膜及MEMS微驱动器技术研究

运用混合溶胶-凝胶法制备了具有钛酸铅(PT)种子层的PZT基压电复合厚膜,包括(100)取向PZT压电厚膜,PZT纳米颗粒增强PZT压电复合厚膜((0-3)PZT)和氧化锌晶须增强PZT复合厚膜(ZnOw-PZT).通过结构表征,研究了工艺条件和膜厚对PZT基厚膜的生长、结晶、取向和微结构的影响,给出最佳工艺条件.并介绍了无阀型压电MEMS微泵、Ⅴ型阀式压电MEMS微泵、压电悬臂梁和三压电悬臂驱动的悬浮膜片式MEMS微镜等微器件的性能.     

界面对PZT铁电薄膜性能的影响

利用射频溅射工艺,在低阻硅p-Si(111)基片上分别制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)和PZT/LaN iO3(LNO)薄膜,样品在大气中进行650℃/15 min后热退火处理.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)等手段分析不同衬底与PZT薄膜之间的界面对薄膜微观结构和铁电性能的影响,实验结果分析表明,即使溅射工艺相同,在p-Si和LNO/p-Si上外延生长的PZT薄膜结晶取向、晶颗大小和表面平整度存在很大差异,薄膜与底电极间的界面明显地影响PZT薄膜的微观结构和铁电性能.     

快速退火Sol—Gel PZT铁电薄膜的性能研究

报道了以乙酸铅、乙酸氧锆和钛酸正丁酯为原料，用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法，经多次旋转涂膜，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了PZT凝胶薄膜。用快速退火（RTA）作薄膜的热解和结晶热处理，制备了以（100）取向为主的PZT薄膜。用X射线衍射（XRD）和RT66A测试了膜的结晶取向、漏电流、电滞回线和抗疲劳性能等。结果表明，经RTA处理的溶胶凝胶法PZT膜具有良好的性能。     

溶胶—凝胶法制备TiO2氧敏元件研究

用溶胶－凝胶法和液相共沉淀法分别制备了ＴｉＯ２厚膜氧敏元件，对所得元件的性能进行了分析。通过对比实验发现，溶胶－凝胶法是一种很有潜力的制备ＴｉＯ２氧敏元件的新方法。     

粉末特性对钙锶铋钛陶瓷厚膜性能的影响

采用粉末溶胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度约为1.50μm,铁电性能优良的CSBT铁电厚膜。研究了粉末的烧结温度对CSBT铁电厚膜的结构及性能的影响。结果表明:适当的粉末烧结温度有利于制备表面致密、晶粒发育良好的厚膜,从而有利于厚膜的铁电性能。750℃烧结的粉末制备的厚膜具有最佳的铁电性能,其Pr和Ec分别为13.3μC/cm2,46.2 kV/cm,具有较高的应用价值。     

金刚石厚膜刀具的试验研究

通过聚晶金刚石 (PCD)和CVD金刚石厚膜的特性分析、试验和应用 ,得出金刚石厚膜刀具兼有单晶金刚石和金刚石薄膜涂层优点外 ,更具有精加工和超精加工的优越特性 ,应用前景广阔 .     

PZT/Fe3O4复合薄膜的制备及磁性和铁电性研究

用溶胶-凝胶方法制备了Pb（Zr0.5Ti0.5）O3-Fe3O4复合薄膜。XRD研究表明，Pb（Zr0.5Ti0.5）O3呈完全（100）取向，而Fe3O4颗粒则呈完全随机取向。在室温下探测到了共存的磁性和铁电性。铁电性测试结果表明，在9V的测试电压下，薄膜的Pr值为1．5／μc／cm^2。而磁性测量的结果表明，在1．5 T的外磁场作用下，薄膜的剩余磁化强度和饱和磁化强度分别为0．67emu／cm^3和3．5emu／cm^3。通过铁电材料Pb（Zr0.5Ti0.5）O3与磁性纳米Fe3O4粒子的复合获得了室温共存的铁电性和磁性。     

PZY铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究

以SF6和SF6＋Ar为刻蚀气体。采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶．凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除．研究了不同气体总漉量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。指出当气体混合比约为20％时。刻蚀速率达到最大值．锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明，在SF6和SF6＋Ar气体中。被刻蚀后样品的Pb含量大大减少。TiO2的刻蚀是限制铬钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素．     

sol-gel法制备WO3薄膜的成膜性研究

用sol-gel法在ITO导电玻璃上制备了WO3电致变色薄膜,用光学显微镜对所有薄膜进行拍照,对比薄膜的成膜情况.经观察发现,薄膜前驱液浓度、拉膜速度和杂质对成膜性均有显著影响.从拉膜的过程方面讨论了出现上述情况的原因.     

高取向膜的1／f噪声

测量了几种高取向ＹＢＣｕｏ膜的１／ｆ噪声．结果显示，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－　材料的噪声可能来源于样品中的晶粒边界．改善膜的微粒结构是减少１／ｆ噪声的一条有效途径．     

改性PZT陶瓷的电学性能研究

采用固相法制备了Pb(Zr0.94Ti0.06)O3为主配方掺入Na、K、N i、Ca、Co、Si、Nb等元素的陶瓷。对其结构及电学性能进行了测试分析。结果表明,一价,二价的氧化物离子掺杂,都能使PZT材料的介电损耗减小;K 、Ca2 的掺杂使材料的介电损耗下降尤为明显。     

带PZT相移控制器的光纤干涉系统

简要介绍带PZT相移控制器的光纤干涉系统的组成部分,介绍该系统的干涉原理、PZT移相原理以及光纤干涉仪的检测原理,并提出一种应用相移技术检测不随时间变化的非调制待测量信号的方案.     

溶胶-凝胶法制备铁电薄膜的研究进展

综述了溶胶-凝胶法制备铁电薄膜的原理、特点和研究进展.评述了溶胶-凝胶过程对铁电性能的影响因素.并指出了溶胶-凝胶法制备铁电薄膜尚待解决的问题.     

用杂交技术制备厚膜—架起了溶胶-凝胶与传统陶瓷制备工艺之间的桥梁(英文)

介绍了用杂交工艺制备铁电厚膜,这种新的制备技术结合了溶胶-凝胶湿化学方法与传统陶瓷制备工艺。并以可调的微波钛酸锶钡厚膜材料的制备与性能的表征为例,来阐述这种新工艺。结果表明,采用这种创新的杂交工艺,沉积在硅和氧化铝基片上的钛酸锶钡厚膜,可以在低的热处理温度600～700℃成功获得。并且这种工艺可以灵活地制备厚度在几个到几十个微米的致密的、无裂纹和均匀的陶瓷厚膜,制备技术重复性好。厚膜的性能显示:在100 kHz,可轻易得到厚膜的介电损耗低于10-3,可调度为30%～50%之间。     

面向对象程序设计与YACC的应用

介绍了在利用ＹＡＣＣ完成的编译程序设计中面向对象技术的应用方法；重点介绍单词与语言结构的类设计和ＹＡＣＣ语法说明的设计。