横模稳定的InGaAsP/InP(λ=1.3μm)平凸波导激光器

本文介绍了一种InGaAsP/InP1.3μm波段平凸波导(PCW)激光器的导引机理和激射特性。在沟槽衬底上用一次液相外延(LPE)方法制造了这种激光器的结构。从理论上和实验上研究了由于与有源层相邻接的波导层侧向厚度的变化而产生的折射率导引问题。具有适当的折射率差和沟槽宽度的激光器,直到两倍阈值电流仍可呈现出稳定的基横模工作特性。     

日本电气中央研究所研制出1.5μm波长隐埋波导InGaAsP-InP激光器

<正> 日本电气中央研究所今年10月在日本举行的第41届应用物理学会学术讲演会上发表了关于 InGaAsP-InP 激光器的横模控制的报告。其横模控制是用隐埋的平凸台面肋骨波导(Bu-ried Rib Waveguide:BRW)构造实现的。器件的性能结果良好。器件的制作是:用液相外延法在 InP 衬底上依次生长 n-InP(缓冲层,～3μm)InGaAsP(有源层～0.22μm),p-InGaAsP(波导层0.58μm),p-InP(包层,～1.8μm);接着刻     

高可靠性GaAlAs可见光MCSP激光器

研究了具有凹形有源层的CSP(平面沟道衬底)激光器作为数字音频唱片和光学视频唱片再现系统的光源,这种激光器被称为改进CSP(MCSP)激光器。本文着眼于有源层厚度和限制层的P-掺杂剂对激光器寿命的影响。同时发表了74只激光器的加速寿命试验结果。将有SiO_2半波长厚度单面保护层的激光器芯片P面朝下用Pb-Sn焊料烧结在热沉上。激光器腔长为300μm。从有源层厚0.025～0.06μm的30多块外     

减小键合应力改进(GaAl)As可见光(740nm)激光器寿命

业已证明将顶层和衬底厚度调整到一适当值,可减小因键合工艺而引起的有源层应力。激射波长为740nm的(GaAI)As V形沟道衬底内部条形激光器在50℃的寿命试验说明:采用厚顶层(～40μm)和减薄了的衬底(～80μm)使其寿命得到很大改进。     

发射波长为1.55μm的沟道衬底隐埋异质结构InGaAsP/InP激光器

<正> 最近日本 NTT 武藏野电气通信研究所研制出一种发射波长为1.55μm 的沟道衬底隐埋异质结构 InGaAsP/InP 激光器。这种激光器的制备是采用通常的液相外延方法在 n 型(100)面 InP 衬底上首先生长一层n 型 InP,接着生长一层 InGaAsP 有源层,继之生长一层 p-InP 层,最后生长一层 n-InGa-AsP 顶层。衬底放入坩埚之前表面上用 Br-甲醇溶液沿〔100〕取向刻蚀沟道。沟道深度为1.0～2.0μm,宽约5μm。n-InP 填充层(filling layer)的生长温度为641℃,降温速度为0.8℃/     

低阈值单模工作的横向结条形GaAlAs激光器

试制了两种横向结条形(TJS)激光器结构。一种是n—GaAS衬底的TJS激光器,另一种是隐埋P区TJS激光器。两种器件的有源区由夹在两个异质结之间的GaAS扩散同质结P~ -P-N的二维波导构成,并且该种结构的二维波导可以做得很小,在室温连续阈值电流以上的很宽注入电流范围内获得了单纵模和基横模工作,而且横模几乎与注入电流无关。在脉冲工作下,直到三倍阈值电流下仍以单纵模工作。由于隐埋部区TJS激光器采用了双自反偏压结构,更有效地限制了分流效应,使室温连续工作阈值电流低至15mA。     

0.78μm对称的分别限制异质结(SCH)GaAlAs激光器

本文报导用LPE法制备0.78μm对称的SCH GaAlAs可见光激光器。以降低生长温度和缩短生长时间(T_G=800℃,t<200ms),生长出有源层的厚度d<360(?)。这样薄的有源层不影响光场的连续性,且模式光场与有源区的耦合相互加强,从而有利基横模工作。所制备出的该种器件的无扭折输出功率P_(out)>10mW;垂直于P-N结平面方向上光束发散角(?)与光波导厚度W的关系和计算值相符。     

1.3μm波段单横模大功率输出量子点激光器

为了制备大功率、单横模输出的量子点激光器,对有源多模干涉波导结构进行了研究。通过优化器件结构设计,采用1×1型有源多模干涉波导结构,以均匀多层InAs/InGaAs/GaAs量子点材料作为有源区,制备了1.3μm波段的有源多模干涉结构量子点激光器。连续电流注入条件下的测试结果表明,与传统的均匀波导结构器件相比,有源多模干涉结构器件具有更低的串联电阻和更好的散热性能;在连续电流为0.5A的小注入情况下,器件的输出功率可达114mW、中心波长为1332nm。结果表明,有源多模干涉结构器件是制备大功率、单横模输出光发射器件的一种有效的器件结构。     

1.3μm波段单横模大功率输出量子点激光器

为了制备大功率、单横模输出的量子点激光器,对有源多模干涉波导结构进行了研究。通过优化器件结构设计,采用1×1型有源多模干涉波导结构,以均匀多层InAs/InGaAs/GaAs量子点材料作为有源区,制备了1.3μm波段的有源多模干涉结构量子点激光器。连续电流注入条件下的测试结果表明,与传统的均匀波导结构器件相比,有源多模干涉结构器件具有更低的串联电阻和更好的散热性能;在连续电流为0.5A的小注入情况下,器件的输出功率可达114mW、中心波长为1332nm。结果表明,有源多模干涉结构器件是制备大功率、单横模输出光发射器件的一种有效的器件结构。     

沟道台面衬底三段大光腔激光器

本文报道了一种新型结构的半导体激光器——沟道台面衬底三段大光腔激光器,它具有阈值电流低、高输出功率和易获得基横模单纵模工作的特点.     

台阶衬底半导体激光器

本文采用平板波导逼近法分析了台阶衬底激光器的波导机理.该激光器是在台阶衬底上通过一步液相外延而制成.提出了附加过冷度的概念和计算公式.获得了基横模稳定工作的台阶衬底激光器.     

AlGaAs双异质结激光器在680～700毫微米的可见光谱范围内室温下连续运转

本文报导一个具有新结构的AlGaAs双异质结激光器得倒了波长低于700毫微米的室温连续运转,该结构增大了缓冲层的厚度并去除了衬底.在680～700毫微米可见光谱范围内连续波阈值电流为60～120毫安.在连续运转下获得了基横模和单纵模.目前最短连续波波长是683毫微米.     

横向消失场分布反馈沟道衬底平面结构半导体激光器

使用一次液相外延制作出了具有横向消失场分布反馈的 GaAs—Al_xGa_(1-x)As沟道衬底平面结构激光器。在室温脉冲条件下,二极管能稳定地以单(基)横模和单纵模工作。     

波长1.3μm的低阈值InGaAsP脊型波导激光器的性能

我们已经研制成不用再生长过程的平面多层结构脊型波导激光器。它仍然具有无源横模限制和电流限制的作用。前不久,我们曾报导过用带隙1.3μm的p型缓冲层制成的1.55μm激光器。后来又发表了采用带隙为1.1μm的对称P型和n型限制层制成的波长1.3μm激光器。最近由于材料质量的提高和制作技术的改进,我们制成了脊型宽度只有5μm的波长1.3μm激光器,在21℃下连续工作阈值电流     

V形槽衬底InGaAsP/InP BH激光器

<正> 日本富士通实验室研制了一种发射波长为1.3μm的BH激光器:V形槽衬底BH激光器(VSB)。在这种结构中,有源层埋在衬底上的V形槽内。为了制作这种激光器,研制出一种腐蚀方法,用这种方法在<011>方向上形成V形槽。25℃时CW阈值电流范围在10～20mA。一直到20mW/端面的光功率均可获得稳定的基横模激射。CW激射的最高温度为100℃。纵模是多模,然而其包络半最大点的全宽(FWHW)典型值低于3nm。动态特性呈现出     

波长为680nm的室温CW工作的AlGaAs DH激光器

680—700nm波长范围的AlGaAs DH激光器实现了室温CW工作。为了获得这种激光器,我们研制成了一种新型结构,即无应力V形沟道衬底内部条型(SF-VSIS)激光器。这类激光器具有低的阈值电流(45～120mA),并以基横模和单纵模CW工作。1).阈值电流与波长的关系业已表明由于直接跃迁导带与间接跃迁导带的极小值之间的差值较小,波长小于700nm CW工作的AlGaAs DH激光器,其阈值电流(I_(th))就急剧增加,所以要制作这种波长的激光器是很困难的。事实上,AlGaAs     

输出功率100mW的大功率半导体激光器

日本松下电子工业公司采用双脊型衬底(TRS)结构研制成输出功率高达100mW的室温连续工作单横模GaAlAs半导体激光器。该激光器的振荡波长为8300A左右,光束张角水平方向是5～12°,垂直方向是16～18°,阈值电流为40～80mA,微分量子效率η_D为61%。为了提高激光输出功率,尽量增加发光面积,并将有源区的厚度减薄到0.05μm。同时将Ga_(1-x)AI_xAS限     

1.3μm多填充层隐埋异质结构GaInAsP激光器的低阈值电流连续波工作

应用多填充层结构制作了连续波1.3μm隐埋异质结构激光器,其阈值电流最低达19mA。这种技术显著减小了制作低阈值BH激光器所需要的对准公差。当有源层宽度在3.5μm以下时,可观察到单横模及单纵模工作。     

200K高特征温度的1.3μm AlInGaAs应变单量子阱激光器

在20～80℃范围内连续工作条件下,非对称波导层结构的1.3μm AlInGaAs/AlInAs单量子阱激光器的特征温度为200K,这是目前国内报道的相同有源材料、相同发射波长的激光器中最高的特征温度值.因此AlInGaAs是长波长光纤激光器的理想有源区材料.研究表明非对称波导结构能降低光吸收,提高激光器的高温特性和COD阈值.     

大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导量子阱激光二极管

设计与制作了大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导激光二极管.器件的Al0.35Ga0.65As波导厚度提高到0.9μm,宽波导会引起高阶模的激射.为了抑制高阶模,Al0.55Ga0.45As限制层厚度降低到0.7μm,同时确保基横模的辐射损耗在0.2cm-1以下.采用MOCVD进行材料生长,得到了高性能的器件,100μm条形激光二极管的最大输出达10.2W.