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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)为生物测定传感器模块的设计人员带来了具有业界最低静态电流的先进负载开关。FPF2024、FPF2025、FPF2026和FPF2027是IntelliMAX先进负载开关系列的产品,可将静态电流降至最低,并延长电池寿命。一般解决方案的静态电流范围多为60μA~80μA,而飞兆半导体这一系列先进负载开关的静态电流却仅为1μA,只有其他解决方案的2%。此外,这些产品还提供稳健的限流保护功能,可防止与意外电流浪涌相关的不良事件带来损害。 相似文献
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500mA VLDO(非常低压差稳压器)LT3021的输入电压为1.4~10V,输出电压为1.2V、1.5V和1.8V,在工作电流达500mA时,仍保持160mV的压降,静态电流为120μA,停机时电流低于3μA。用3.3μF的低ESR陶瓷输出电容器优化了稳定性和瞬态响应,其他特点包括0.05%的电压调节和0.2%的负载调节,内部保护电路包括电池反向保护、限流以及具迟滞和反向电流保护的热限制。 相似文献
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适用于大电流的SiGe基区HBT的电流和频率特性的解析模型 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了一个适用于大电流的SiGe基区双极型晶体管(SiGe-HBT)的电流和频率特性的解析模型.本模型考虑了速度饱和效应,对n+pnn+双极型晶体管,当电流超过发生Kirk效应的临界电流时,本模型考虑了集电结附近由窄到宽的禁带变化对集电极电流和特征频率fT的影响.解析模型的计算结果同数值模拟结果一致,证明了解析模型是可信和精确的.本模型可用于器件设计和电路模拟. 相似文献
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本文提出一款工作在亚阈值(200 mV)区域且具有极低泄漏电流的亚阈值SRAM存储单元。该存储单元采用自适应泄漏电流切断机制,该机制在没有带来额外的动态功耗和性能损失的前提下,同时降低动态操作(读/写操作)和静态操作时的泄漏电流。差分读出方式和可配置操作模式的应用,使得本文设计在亚阈值条件下(200 mV)仍然保持足够的鲁棒性。仿真结果表明,相比于参考文献中的亚阈值存储单元本文设计具有:(1)在不同的工艺角下,均具有较大的读噪声容限和保持噪声容限;(2)在动态操作和静态操作时均具有极低的泄漏电流。最后,我们将该存储单元成功的应用于IBM 130nm工艺下的一款 bits存储阵列中,测试结果表明该存储阵列可以在200 mV电源电压条件下正常工作,所对应功耗(包括动态功耗和静态功耗)仅0.13 μW,是常规六管存储单元功耗的1.16%。 相似文献