金属薄膜电阻温度传感器的结构设计探讨（一）

本文分析了金属薄膜电阻温度传感器的工作原理,据此探讨了传感器的结构设计要点,并对初步实验结果进行了讨论。     

Cr金属薄膜温度传感器的研究

采用等离子体溅射方法制备了Cr金属薄膜式温度传感器.探讨了光刻腐蚀工艺、Cr薄膜厚度及薄膜热处理温度对Cr薄膜电阻温度系数的影响.通过选择合适的制备工艺,得到了较理想的Cr金属薄膜温度传感器.     

铜薄膜电阻温度传感器的研制

本文分析了铜膜电阻温度传感器的工作原理,介绍了光刻掩模板的图形设计和制造工艺,并对实验结果进行了讨论。     

强磁性金属薄膜磁敏电阻

本文介绍了强磁性金属薄膜磁敏电阻的特性、结构、技术参数及其应用。     

金属薄膜应变计桥路电阻的测试和计算

在传感器的制造中,应变计是个核心部件。尤其是采用真空溅射或真空沉积方法制成的金属薄膜应变计,经常做成应变的形式,其组成桥路的四个应变栅往往连接在一起。这样每个桥臂的电阻值不易直接测得,因为它和其它三个桥臂电阻呈串并联的形式,如图1所示。     

强磁性金属薄膜磁敏电阻在自动控制系统中的应用

本文提出了强磁性金属薄膜磁敏电阻ＲＣＭ０１在几种典型应用中的解决方法。     

S枪磁控溅射镍薄膜温度传感器

本文分析了薄膜温度传感器制造的难点，提出降低内应力的方法，应用正交试验技术得出了最佳工艺条件，应用Ｓ枪磁控溅射方法和薄膜工艺制成了零电阻分别为１００Ω、５００Ω、１０００Ω的镍薄膜电阻元件，其电阻温度系数达到德国ＤＩＮ４３７６０标准。     

金属氢化物温度传感器和执行器

本文分析了金属氢化物温度传感器和执行器的温度敏感原理，介绍了几种金属氢化物温度传感器和执行器，并对其特点进行了简单概括。     

薄膜SOI扩展电阻温度传感器

重点阐述了在薄膜SOI上制成的扩展电阻温度(SRT)传感器的阻温特性(R-T)。利用器件二维模拟软件PISCES研究了最高工作温度(Tmax)的Si膜厚度效应，模拟结果表明，在相同的衬底掺杂浓度下，Si膜尽度越薄，器件的Tmax越高。实验结果也验证了这一点，薄膜SOISRT传感器不仅具有非常好的器件特性，Tmax高至450℃以上，而且它的工作偏置电流低至1μA，比体Si SRT传感器小10^3倍。因此，薄膜SOISRT传感器具有很广阔的低功耗应用前景。     

微型热敏传感器的薄膜电阻设计研究

应用微型热敏传感器薄膜电阻的电阻温度系数设计方法,得到基于热敏电阻的电阻温度系数的计算和设计参数.结合针对流体壁面剪应力测量的应用要求,分析多晶硅和铂金属热敏电阻的优缺点,并且对试验电阻进行电阻温度系数和时间常数的分析计算,依据计算结果确定微型热敏传感器薄膜电阻的基体材料、薄膜材料和特征尺寸等参数,为微型热敏传感器的实际应用提供参考依据和分析方法.     

金属挤压机结构设计探讨

本文结合冷挤压工艺的特点，以10000kN金属挤压机为例，从机器的滑块结构、主缸结构、滑块导向以及导轨形式几方面探讨冷挤液压机的结构。     

基于柔性MEMS皮肤技术温度传感器阵列的研究

采用MEMS皮肤技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功研制出8×8阵列铂薄膜热敏电阻温度传感器。实验采用热氧化硅片为机械载体,以便于旋涂液态聚酰亚胺柔性衬底上器件的加工。最后用湿法腐蚀方法将柔性器件从载体上释放下来。试验表明聚酰亚胺衬底上的铂薄膜热敏电阻与温度的变化具有良好的线性,其电阻温度系数达0.0023/℃。与固态聚酰亚胺膜衬底相比,采用旋涂液态聚酰亚胺解决了制备中遇到的两大主要困难:其一,消除了涂聚酰亚胺衬底与载体界面之间的气泡,聚酰亚胺衬底表面能保持良好平整度;其二,制备过程中由于热循环而使柔性衬底产生的热膨胀明显减小。这种柔性温度传感器阵列易贴于高曲率物体表面以探测小面积温度场分布。     

锰铜精密电阻薄膜的制备工艺研究

采用溅射技术,对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤±10×10-6/℃的锰铜薄膜.该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础,同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器.     

二层结构（介质＋金属）节能膜特性分析

本文给出了二层结构(介质+金属)节能膜的反射率与单层金属膜反射率之间的关系,提出二层结构节能膜的反射率存在着极小值,并据此提出了设计二层结构节能膜时确定介质膜折射率和位相厚度的方法。