共查询到20条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
金属薄膜电阻温度传感器的结构设计探讨(一) 总被引:1,自引:0,他引:1
陈佩娴 《仪表技术与传感器》1991,(4):28-30
本文分析了金属薄膜电阻温度传感器的工作原理,据此探讨了传感器的结构设计要点,并对初步实验结果进行了讨论。 相似文献
2.
3.
本文分析了铜膜电阻温度传感器的工作原理,介绍了光刻掩模板的图形设计和制造工艺,并对实验结果进行了讨论。 相似文献
4.
5.
在传感器的制造中,应变计是个核心部件。尤其是采用真空溅射或真空沉积方法制成的金属薄膜应变计,经常做成应变的形式,其组成桥路的四个应变栅往往连接在一起。这样每个桥臂的电阻值不易直接测得,因为它和其它三个桥臂电阻呈串并联的形式,如图1所示。 相似文献
6.
7.
强磁性金属薄膜磁敏电阻在自动控制系统中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
陈堂敏 《仪器仪表与分析监测》2000,(4):7-19
本文提出了强磁性金属薄膜磁敏电阻RCM01在几种典型应用中的解决方法。 相似文献
8.
本文分析了薄膜温度传感器制造的难点,提出降低内应力的方法,应用正交试验技术得出了最佳工艺条件,应用S枪磁控溅射方法和薄膜工艺制成了零电阻分别为100Ω、500Ω、1000Ω的镍薄膜电阻元件,其电阻温度系数达到德国DIN43760标准。 相似文献
9.
本文分析了金属氢化物温度传感器和执行器的温度敏感原理,介绍了几种金属氢化物温度传感器和执行器,并对其特点进行了简单概括。 相似文献
10.
11.
重点阐述了在薄膜SOI上制成的扩展电阻温度(SRT)传感器的阻温特性(R-T)。利用器件二维模拟软件PISCES研究了最高工作温度(Tmax)的Si膜厚度效应,模拟结果表明,在相同的衬底掺杂浓度下,Si膜尽度越薄,器件的Tmax越高。实验结果也验证了这一点,薄膜SOISRT传感器不仅具有非常好的器件特性,Tmax高至450℃以上,而且它的工作偏置电流低至1μA,比体Si SRT传感器小10^3倍。因此,薄膜SOISRT传感器具有很广阔的低功耗应用前景。 相似文献
12.
13.
14.
15.
16.
许光 《机械工人(热加工)》2007,(5):82-83,88
本文结合冷挤压工艺的特点,以10000kN金属挤压机为例,从机器的滑块结构、主缸结构、滑块导向以及导轨形式几方面探讨冷挤液压机的结构。 相似文献
17.
基于柔性MEMS皮肤技术温度传感器阵列的研究 总被引:15,自引:9,他引:6
采用MEMS皮肤技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功研制出8×8阵列铂薄膜热敏电阻温度传感器。实验采用热氧化硅片为机械载体,以便于旋涂液态聚酰亚胺柔性衬底上器件的加工。最后用湿法腐蚀方法将柔性器件从载体上释放下来。试验表明聚酰亚胺衬底上的铂薄膜热敏电阻与温度的变化具有良好的线性,其电阻温度系数达0.0023/℃。与固态聚酰亚胺膜衬底相比,采用旋涂液态聚酰亚胺解决了制备中遇到的两大主要困难:其一,消除了涂聚酰亚胺衬底与载体界面之间的气泡,聚酰亚胺衬底表面能保持良好平整度;其二,制备过程中由于热循环而使柔性衬底产生的热膨胀明显减小。这种柔性温度传感器阵列易贴于高曲率物体表面以探测小面积温度场分布。 相似文献
18.
19.
20.
本文给出了二层结构(介质+金属)节能膜的反射率与单层金属膜反射率之间的关系,提出二层结构节能膜的反射率存在着极小值,并据此提出了设计二层结构节能膜时确定介质膜折射率和位相厚度的方法。 相似文献