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本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。 相似文献
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本文对结构相同的覆四种不同金属层(金、铝、镍、铬)的P型硅楔形体阵列进行了实验比较研究,表明金、铝、镍可望成为低真空和大气压环境下工作的真空微电子器件的阴极材料。 相似文献
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本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点,并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析。 相似文献
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本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点,并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析. 相似文献
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本文建立了个真空微电子器件场发射理论计算模型;依此模型对Spindt阴极的计算结果与实验符合很好 相似文献
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本文采用SiO2作锥尖的塑模,再利用塑模制备出场发射金属尖阴极阵列,并给出SEM金属尖照片,分析了工艺因素对金属尖的影响,同时提出了真空微电子二极管和三极管的设想。 相似文献
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由于真空微电子器件具有十分诱人的应用前景,近几年引起了人们的极大兴趣,成为电子器件发展的一个重要分支和前沿。本文叙述真空微电子器件的特点,原理、应用和最新研究成果。 相似文献
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集成真空微电子器件的研究及展望 总被引:1,自引:0,他引:1
概述了集成真空微电子器件的基本理论、特性、工艺制备及发展现状。现在集成真空场发射阵列的发射电流密度可做到1×10~3A/cm~2,单个锥尖跨导为5.0μS。对于锥尖密度为1×10~7锥尖/cm~2,总跨导可以达到50S/cm~2。一种新的采用真空微电子技术的微带放大器,在频率1THz 下能输出功率1~50W。指出真空微电子技术将是设计和制备新型亚微米器件的有效方法。 相似文献
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本文讨论了真空微电子器件阴极发射材料的选择,提出材料元素的第一电离能是影响阴极发射性能的重要因素. 相似文献
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利用静电场理论计算了背栅极冷阴极器件的纳米线附近电场,给出电场分布的表示式及J-V曲线,并分析了几何参数对纳米线顶端表面电场的影响.结果表明,纳米线顶端表面产生巨大的电场,随着离纳米线顶端表面距离的增大,电场迅速下降;纳米线突出栅孔的长度(L-d1)越大,纳米线半径r0、栅孔半径R以及栅极与阳极间距d2越小,则纳米线顶端表面电场越强,而d2较大时d2对表面电场的影响很弱;纳米线顶端边缘电流密度J随着阳极与栅极电压的增加而指数增大. 相似文献
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研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索,在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜。CNT厚膜工艺研究表明,CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2%,最佳烧结温度为480℃(空气中),才能保证厚膜有较强的附着力,CNT又不至于全部氧化。银浆比例过大,则使高电压时场发射电流明显下降,通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知,其开启电压为2.4V/μm,在5V/μm的电场下,场发射电流密度为27.8μA/cm^2,但发光显示情况不佳,通过使用含有机粘结剂的浆料,使显示发光情况得到了很大改善。 相似文献