一个59mW 10位40MHz流水线A/D转换器

设计了一个工作在3.0V的10位40MHz流水线A/D转换器,采用了时分复用运算放大器,低功耗的增益自举telescopic运放,低功耗动态比较器,器件尺寸逐级减小优化功耗.在40MHz的采样时钟,0.5MHz的输入信号的情况下测试,可获得8.1位有效精度,最大积分非线性为2.2LSB,最大微分非线性为0.85LSB,电路用0.25μm CMOS工艺实现,面积为1.24mm2,功耗仅为59mW,其中同时包括为A/D转换器提供基准电压和电流的一个带隙基准源和缓冲电路.     

一种10位40 MHz两步式A/D转换器

提出了一种基于两步转换法(5 6)的高速高精度A/D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗及面积。采用这种结构,设计了一个10位40 MHz的A/D转换器,并用0.6μm BiCMOS工艺实现。经过电路模拟仿真,在40 MHz转换速率,1 V输入信号(Vp-p),5 V电源电压时,信噪比(SNR)为63.3 dB,积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)均小于10位转换器的±0.5 LSB,电源电流为85.4 mA。样品测试结果:SNR为55 dB,INL和DNL小于10位转换器的±1.75 LSB。     

低功耗、全差分流水线操作CMOS A/D转换器

提出一种基于运算跨导放大器共享技术的流水线操作A/D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗和面积.采用这种结构设计了一个10位20MS/s转换速率的全差分流水线操作A/D转换器,并用CSMC 0.6μm工艺实现.测试结果表明,积分非线性为1.95LSB,微分非线性为1.75LSB;在6MHz/s采样频率下,对1.84MHz信号转换的无杂散动态范围为55.8dB;在5V工作电压、20MHz/s采样频率下,功耗为65mW.     

高速12位D/A转换器

介绍了高速12位D/A转换器的电路设计,采用2μm等平面高速双极工艺,研制出数据更新率≥80MHz,线性误差≤3LSB,微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.     

高速12位D/A转换器

介绍了高速12位D/A转换器的电路设计,采用2μm等平面高速双极工艺,研制出数据更新率≥80MHz,线性误差≤3LSB,微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.     

一种14位400MS/S分段型电流舵DAC的设计

基于TSMC O.25μm CMOS工艺,采用分段开关电流结构,设计了一种基于2.5 V电源电压的14位400MS/s D/A转换器.该D/A转换器内置高精度带隙基准源、高速开关驱动电路和改进的Cascode单位电流源电路,以提高性能.D/A转换器的积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)均小于0.5 LSB.在400 MHz采样频率、199.8 MHz输出信号频率时,其无杂散动态范围(SFDR)达到85.4 dB.     

高速12位D/A转换器

介绍了高速12位D/A转换器的电路设计，采用2μm等平面高速双极工艺，研制出数据更新率≥80MHz，线性误差≤3LSB，微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.     

应用于无线传感网络SoC的逐次逼近A/D转换器

设计了应用于无线传感网络SoC解决方案的10位150 kS/s 逐次逼近A/D转换器.通过失调消除技术、合理的时序控制和版图设计,实现了电路的高精度和低功耗.设计的A/D转换器积分非线性和微分非线性分别为0.54 LSB和0.8 LSB;在150 kS/s采样率、14.3 kHz输入信号频率时,信噪比为60.8 dB,无杂散动态范围83.1 dB.设计实现基于TSMC 0.18 μm混合信号CMOS工艺,IP核面积为0.083 mm2,1.8 V工作电压下功耗为0.56 mW.     

99.1 mW 12位40 MSPS流水线A/D转换器

设计并实现了一种12位40 MSPS流水线A/D转换器,并在0.18 μm HJTC CMOS工艺下流片.芯片工作电压为3.3 V,核心部分功耗为99.1 mW.为优化ADC功耗,采用多位/级的系统结构和套筒式运放结构,并采用逐级按比例缩小的设计方法进一步节省功耗.测试结果表明,A/D转换器的DNL小于0.46 LSB,INL小于0.86 LSB;采样率为40 MSPS时,输入19.1 MHz信号,SFDR超过80 dB,SNDR超过65 dB.     

12位80MHz采样率具有梯度误差补偿的CMOS电流舵D/A转换器实现

提出了一种12位80MHz采样率具有梯度误差补偿的电流舵D/A转换器实现电路.12位DAC采用分段式结构,其中高8位采用单位电流源温度计码DAC结构,低4位采用二进制加权电流源DAC结构,该电路中所给出的层次式对称开关序列可以较好地补偿梯度误差.该D/A转换器采用台湾UMC 2层多晶硅、2层金属(2P2M)5V电源电压、0.5μm CMOS工艺生产制造,其积分非线性误差小于±0.9LSB,微分非线性误差小于±0.6LSB,芯片面积为1.27mm×0.96mm,当采样率为50MHz时,功耗为91.6mW.     

PMSZT压电陶瓷的制备工艺研究

研究了合成工艺、烧结工艺、烧银工艺及极化工艺对PMSZT压电陶瓷相组成、显微结构及电性能的影响。结果表明,PZT压电陶瓷在合成温度为900℃时,可得钙钛矿结构;烧结温度1 240℃时,体积密度最大,综合性能达最佳。烧银温度对陶瓷性能有一定影响。随着烧银温度的升高,介电常数、介电损耗、压电常数和机电耦和系数降低。最佳极化工艺为极化温度120℃,极化电压2 500 V/mm。     

多普勒测风激光雷达研究进展

简述了多普勒测风激光雷达测风的意义,报道了多普勒测风激光雷达的发展动态.综合该领域的发展情况,按探测方式的不同,分相干技术和直接探测技术分别讨论了测风激光雷达的应用及其特点,比较了各种系统的性能.     

新型的制造技术─—快速成型制造技术

快速成型制造技术是国际上新开发的一项高科技成果。它集成了现代数控技术、CAD／CAM技术、激光技术和新型材料科学于一体，突破了传统的机械加工方法，不需要模具或专用工具，能快速、准确、方便地加工出形状复杂、精度高的零件。文中介绍了目前国际上快速成型方法及应用方向，并较详细介绍了其中较成熟的快速光成型原理及相关技术。     

通信中的自适应技术

本文介绍了自适应技术在通信中的几种典型应用,如自适应消噪、自适应均衡等,讨论了它们的基本原理和系统结构.     

雷达反隐身技术的发展及实现方法

隐身技术的迅速发展对战略和战术防御系统提出了严峻挑战,迫使人们考虑如何摧毁隐身兵器并研究反隐身技术。目前,反隐身技术措施主要包括雷达反隐身技术、光学反隐身技术、声学反隐身技术等。文中重点讨论雷达反隐身技术,介绍了雷达反隐身技术的发展概况和特点,阐述了反隐身技术的实现途径和方法。     

浅谈刚挠结合板的设计制造方式

概述了用开窗制作法、填充法、增层法和镭射切割法来制作刚挠结合板,以及不同类型的刚挠结合板选择不同制作方法和四种制作法的优缺点。     

基于调制边带法的高次倍频光毫米波产生

提出了利用外调制技术的调制边带法的六倍频和八倍频光毫米波产生方案。方案仅采用一个马赫曾德尔调制器,并利用其非线性传输特性,通过调节MZM 的偏置电压和调制电压,控制边带的强度,仅保留三阶边带或四阶边带,从而实现六倍频及八倍频光毫米波的产生。采用将基带数据信号仅调制在一个三阶边带或四阶边带分量的方式,有效防止走离。数值分析结果表明,提出的方案仅需10 GHz 及7.5 GHz 的调制信号频率就能得到60 GHz 毫米波,大大减小了调制信号频率,增加了上变频系数,传输距离可达160 km,而功率代价变化不大。与提出的其他高倍频技术相比,由于系统仅采用一个马赫曾德尔调制器,提出的方案系统结构更为简单,且此方案色散影响较小,传输距离更长。     

ANALYSIS OF DIPOLE AND DIPOLE ARRAY BY A COLLOCATION TECHNIQUE WITH MULTIPOINT WEIGHTING

A collocation method with multipoint weighting is presented in this paper.Itconverges as rapidly as the Galerkin method hut needs less computation effort.By means ofthe technique with Gauss points(superconvergence points)as the collocating points,dipole anddipole array are analyzed,and the numerical results are in good agreement with those given inrelative references.     

数字电视关键技术探讨

在模拟电视向数字电视转变的进程中,数字化相关技术至关重要.介绍了数字电视所必须使用的几项关键技术.     

多绞屏蔽线处理及焊接工艺

介绍了屏蔽线的分类及结构组成;分别以线束中含有少量屏蔽线和多股屏蔽线为例,通过分步说明和图例示范,阐述了两大类情况下,各种屏蔽线的处理方法;并对各种处理方法的应用场合和实际特点给予了重点说明;最后,结合实际工作经验,对多绞屏蔽线处理过程中的常见问题及注意事项进行了归纳和总结.