YIG器件永磁偏置电磁铁设计

本文给出了YIG器件永磁串联偏置自屏蔽式电磁铁的设计公式和简化公式。依此,制成了实用于C、X、K波段的具有较好调谐特性和温度稳定性的YIG器件。     

在二氧化硅衬底上制备磁光Ce：YIG薄膜用于磁光波导型器件

对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究．用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片．上淀积Ce1YIG薄膜,再对此薄膜进行晶化处理,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜．本文讨论了晶化过程中,Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响．结果表明：采用波长为630nm的可见光测量,薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为0．8deg／μm．同时,晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向,其居里温度点为220℃．所得Ge1YIG薄膜的参数表明：所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器．     

YIG调谐器件数字激励器的FPGA设计

本文主要介绍了YIG调谐器件数字激励器的FPGA设计原理与实现方法,并与基于MCU的YIG调谐器件数字激励器、模拟激励器进行了对比。实验结果与应用效果表明,基于FPGA的YIG数字激励器具有控制指令响应速度快、控制接口软件可配置、线性补偿与温度补偿的并行处理等优点,在YIG调谐器件及其组件的工程应用中有着一定的参考意义与实用价值。     

YIG石榴石磁光薄膜材料的最新进展

介绍了YIG磁光薄膜材料的研究发展趋势以及薄膜材料的制备方法,指出薄膜制备方法对薄膜的性能有很大的影响。且Ce∶YIG磁光薄膜的研究代表了此类薄膜的研究方向。     

新型掺Bi的YIG磁光薄膜

对用于磁光法拉第旋转器件的掺Ｂｉ的ＹＩＧ薄膜进行了介绍与分析，这种新型磁光薄膜（ＹｂＴｂＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２是采用液相外延技术在ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ晶片的（１１１）方向生长的，通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀，光吸收小，在波长λ＝１．３１μｍ和λ＝１．５５μｍ时，插损分别为０．３ｄＢ和０．２ｄＢ，法拉第旋转角分别为２４００°／ｃｍ和１６００°／ｃｍ的薄膜，经抛光至２９０μｍ的厚度，法拉     

YbBi∶YIG磁光电流传感器性能研究

采用高温助熔剂熔盐生长出了复合掺杂YbBi∶YIG磁光石榴石单晶,并应用于磁光光纤电流传感器研制.此单晶的比法拉弟旋转为-404deg/cm,磁光优值为25.8deg/dB,饱和磁化场为1400Oe,温度系数为4.2×10-4K-1(室温,λ=1.55μm).与纯YIG相比具有较好的磁光性能,有更高的比法拉弟旋转角和磁光优值以及较小的温度依赖性.用此单晶作为法拉弟转子材料,建立了单光路结构的磁光光纤电流传感器的实验原型,测试了它在测量50Hz交变电流时的性能,测试结果表明传感系统具有较高的精度和灵敏度并有较好的线性关系.     

Ar离子注入YIG单晶薄膜的磁光特性

利用离子注入技术将Ａｒ离子注入到ＹＩＧ单晶薄膜中，剂量为（１０＾１２￣１０＾１４）ｉｏｎｓ／ｃｍ＾２，能量为６００ｋｅＶ。分别测量注入前后及退火后的样品的光吸收谱、法拉弟旋转和折射率，发现对样品实施退火，可有效地降低光损耗，增加法拉弟旋转，调节薄膜折射率。     

YbBi：YIG磁光电流传感器性能研究

采用高温助熔剂熔盐生长出了复合掺杂YbBi∶YIG磁光石榴石单晶,并应用于磁光光纤电流传感器研制.此单晶的比法拉弟旋转为-404deg/cm,磁光优值为25.8deg/dB,饱和磁化场为1400Oe,温度系数为4.2×10-4K-1(室温,λ=1.55μm).与纯YIG相比具有较好的磁光性能,有更高的比法拉弟旋转角和磁光优值以及较小的温度依赖性.用此单晶作为法拉弟转子材料,建立了单光路结构的磁光光纤电流传感器的实验原型,测试了它在测量50Hz交变电流时的性能,测试结果表明传感系统具有较高的精度和灵敏度并有较好的线性关系.     

静磁波器件

一、引言基于外延钇铁石榴石(YIG)的静磁波(MSW)器件可用于微波信号频率或宽带微波中频的信号处理。由于静磁波器件在微波频率的传播损耗低于30分贝/微秒,以及它们的平面几何形状使这种器件颇具吸引力,并且,约     

YbBi∶YIG磁光电流传感器性能研究

采用高温助熔剂熔盐生长出了复合掺杂YbBi∶YIG磁光石榴石单晶,并应用于磁光光纤电流传感器研制.此单晶的比法拉弟旋转为-404deg/cm,磁光优值为25.8deg/dB,饱和磁化场为1400Oe,温度系数为4.2×10-4K-1(室温,λ=1.55μm).与纯YIG相比具有较好的磁光性能,有更高的比法拉弟旋转角和磁光优值以及较小的温度依赖性.用此单晶作为法拉弟转子材料,建立了单光路结构的磁光光纤电流传感器的实验原型,测试了它在测量50Hz交变电流时的性能,测试结果表明传感系统具有较高的精度和灵敏度并有较好的线性关系.     

YbBi··YIG磁光电流传感器性能研究

采用高温助熔剂熔盐生长出了复合掺杂 Yb Bi:YIG磁光石榴石单晶 ,并应用于磁光光纤电流传感器研制 .此单晶的比法拉弟旋转为 - 40 4deg/ cm,磁光优值为 2 5 .8deg/ d B,饱和磁化场为 140 0 Oe,温度系数为 4.2× 10 - 4 K- 1(室温 ,λ=1.5 5μm ) .与纯 YIG相比具有较好的磁光性能 ,有更高的比法拉弟旋转角和磁光优值以及较小的温度依赖性 .用此单晶作为法拉弟转子材料 ,建立了单光路结构的磁光光纤电流传感器的实验原型 ,测试了它在测量5 0 Hz交变电流时的性能 ,测试结果表明传感系统具有较高的精度和灵敏度并有较好的线性关系     

真空器件的磁屏蔽方法

真空器件在使用过程中必须要进行磁屏蔽。本文介绍了在低频磁场环境条件下所采取的磁屏蔽方法。     

半导体3-D磁敏器件的设计与分析

本文将普通的双极型IC工艺用干磁敏器件的制作中,成功地研制了一种新型三维磁敏晶体管,并在理论和实验上分析讨论了其灵敏度、线性度和失调等问题.用该方法制作的器件对B_x分量的灵敏度S_(xx)较国外文献报道的高一个数量级.     

微波领域里的新器件——静磁波器件

微波频段的静磁波器件,目前正沿着两个方向迅速地发展着。一个方向是:研制可以直接在微波频段进行模拟信号处理的器件。在不久的将来,在微波频率上进行信号处理的重要作用,完全可以和当前已发展成熟的中频信号处理器件——声表面波器件在系统中的地位相比拟。最著名的器件有:信噪比增强器,其中心频率f。可高于4千兆赫。目前西屋电气公司已有样品报导,其性能指标为:在15分贝毫瓦电平下,有10分贝的增强,其带宽为800兆赫。可编程序4抽头延迟线,西屋电气公司报导的样品技术指标     

调磁式潘宁离子源

<正> 本文介绍一台调磁式潘宁离子源,包括结构、外特性、发射度、亮度等。该源已成功地应用在离子注入机产品上。 (一)概况和结构介绍 1980年我们研制了一个调磁式潘宁离子源,它作为J59200/ZK型离子注入机的配套部件,已经生产并在该机上运行了好几年。将其装在其它离子注入机上,同样获得了很好的效果。根据我们的调试和广大用户的反映,这种离子源使用方便,结构简单,起弧容易,放电稳定,装拆方便,寿命长,对安装尺寸和清洁状况的要求并不苛刻,很少发现打火等异常情况。 该离子源的结构简图如图(1)所示。     

硅栅CMOS磁敏器件的研制

本文用标准硅栅CMOS工艺研制了CMOS磁敏器件,用霍尔角解释了器件工作原理,所提出的理论与实验结果相符合。在此基础上给出了高灵敏度器件的几何结构,并提出了实际应用CMOS磁敏器件的设计方案。     

用于光通信的新型磁光Bragg器件的优化分析

采用变分法研究了横向不均匀偏置磁场作用下掺Bi的YIG薄膜中微波静磁波对导波光的Bragg衍射效率,理论计算得到的衍射效率曲线与实验结果基本一致.计算表明,采用适当的不均匀偏置磁场、在一定范围内增大激发电流以及优化波导结构等方法可有效提高磁光Bragg器件的衍射性能;减小Bi:YIG薄膜厚度也可提高导波光衍射效率,但磁光带宽有所减小.     

YIG微波锁相环的非线性性能分析

钇铁石榴石(YIG)振荡器具有调谐范围宽、调谐线性好、噪声低等优点,在部分覆盖式微波频率综合实验中,用它作压控振荡器(VCO),在 24 GHz 频段内,成功地综合出上万个具有高稳石英晶振稳定度和准确度的微波频率。本文从理论上研究了磁场滞后效应对此实验中的YIG锁相环非线性性能的影响。用解析近似法推导出存在磁场滞后效应的YIG锁相环的三个公式,即平均频差公式、捕捉时间公式和捕捉带公式,公式具有明确的物理意义。实验表明,捕捉带公式与实际测量结果有较好的一致性。     

CMOS磁敏器件的两维数值模拟

本文在IBM-PC计算机上,数值模拟了线性区CMOS磁敏器件,即对垂直于器件表面磁场敏感的劈裂漏极MOSFET,并将其推广到饱和区。针对器件的矩形结构,采用非均匀矩形网格有限差分方法求解了在磁场存在下载流子的输运方程,给出了电压分布,且分析了灵敏度和线性度。计算结果与实验相符。