宽禁带半导体金刚石

较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景.同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析了该技术的特点和优势.该法在保持适当氩气氛和施加衬底负偏压下还可进一步提高金刚石膜的生长速率和质量.对于金刚石异质(在硅衬底上)成核的基本机理也进行了分析.最后,阐述了研究金刚石半导体薄膜目前需要解决的关键问题及其发展方向.     

喇曼光谱学研究固体和薄膜方面的进展

本文综述了从1987年末到1989年末两年间嗽曼光谱学在薄膜,半导体,超导体和固体方面的重要进展,这里涉及的许多材料是与固体发光研究密切相关的。一、薄膜和表面在簿膜方面,近二年来增长最为迅速的嗽曼光谱的应用是研究金刚石和类金刚石薄     

金刚石薄膜高温器件

本文详细地论述了低压气相生长的金刚石薄膜作为一种新型半导体材料的研究进展,讨论了金刚石薄膜与金属的欧姆接触和整流接触,以及可以在高温区工作的金刚石薄膜Schottky二极管和MESFET器件。最后,讨论了目前金刚石薄膜作为半导体材料所遇到的两个尚无法实现的问题:n型掺杂和异质外延单晶膜的生长。     

硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性

用热丝协助化学气相沉积法，用Ｂ２Ｏ３作掺杂剂，用丙酮作碳源，成功地合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜．本文报道了未掺杂和硼掺杂金刚石膜红外光谱的研究结果．实验结果表明：在０．３０８ｅＶ和０．３４１ｅＶ处产生的吸收是由于金刚石膜中硼原子的基态到第一、第二激发态的跃迁引起的．这个结果证实了硼原子在金刚石膜中以替位方式存在．     

金刚石薄膜发展前景

金刚石薄膜发展前景崔万俊近年来，合成金刚石薄膜已经成为世界科技先进国家研究开发的最热门的新材料之一。据日本的有关专家预测：到２０００年，由于半导体领域的大量需求，其市场贸易额将会达到９８０多亿美元。由此可见，金刚石薄膜将会成为下一代电子元器件重要的新...     

引人注目的金刚石半导体元件

引人注目的金刚石半导体元件上海财经大学吴龙生上海卫生局电教制作中心邵东迄今为止，人们用来制造半导体元件的半导体元素只有锗和硅两种，这是人所共知的。然而，近来科学家们利用人造金刚石薄膜成功地制成了金刚石二极管、金刚石三极管和金刚石场效应管，这不能不说是...     

碳纳米薄膜材料的研究进展

碳纳米薄膜是一种新型碳纳米材料,因其具有优良的物理和化学性能、很好地应用前景而受到了广泛关注。综述了无定形碳膜、石墨烯膜、类金刚石碳(DLC)膜、金刚石膜、CNx膜和碳纳米管(CNT)膜的制备方法和结构的研究进展,总结了其在不同领域的潜在应用价值。探讨了该研究领域亟待解决的问题以及今后的发展前景。今后一段时间内对碳纳米薄膜材料的制备和应用研究将会更加深入,研究应致力于碳纳米薄膜制备方法的简单化,寻求价格低廉的碳源,同时对应用开发还要有所拓展。     

磁约束微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜

采用国内研制的电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)设备,在单晶硅衬底上沉积了金刚石薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和激光拉曼谱仪(RAM)的测试,证明所沉积的薄膜具有明确的金刚石特征。所采用的ECRCVD设备,具有低压沉积、大面积均匀和低温生长的优点。这种方法在合成金刚石光学膜、半导体膜以及其它薄膜方面,很有发展潜力。     

金刚石薄膜的结构特征与电导率的相关性

讨论了ＣＶＤ金刚石薄膜作为半导体材料的一些基本特性，主要叙述了金刚石薄膜的生长习性和结构特征对其电性能的影响，即其电导率的“尺度交 ”和“晶面效应”，以及这些效应对由金刚薄膜制备的半导体器件性能的影响。     

行业新闻

报道法国造出高导金刚石半导体 法国国家科研中心固体物理和结晶实验室的科学家将氢元素加入含有硼的P型金刚石半导体中,结果发现,被研究材料转化成了一种N型金刚石半导体,其导电性比过去用传统方法制造的金刚石半导体高出近一万倍。用金刚石半导体膜制作的芯片能在几百摄氏度的高温下正常工作。     

金刚石薄膜抛光技术

各种化学气相沉积和金刚石薄膜技术的发展,为金刚石薄膜在光学、超硬工具涂层等领域提供了广阔的应用前景。而这些应用需要对沉积获得的金刚石膜粗糙表面进行抛光。本文介绍了新近发展的金刚石薄膜抛光技术。并对其发展前景进行了探讨。     

发展前景广阔的新材料——金刚石薄膜

发展前景广阔的新材料──金刚石薄膜沈阳市辽中化工总厂李萍近年来，合成金刚石薄膜已经成为世界科技先进国家研制开发的最热门的新材料之一。据日本的有关专家预测，到２０００年，由于半导体领域的大量需求，其市场贸易额将会达到９８０多亿美元。由此可见了，金刚石薄...     

新的光学薄膜——类金刚石碳膜

众所周知,金刚石非常有用,但在某些工业领域里,比如半导体工业或光学工业中,需要金刚石薄膜。到目前为止,虽很少制得真正的金刚石薄膜,却也获得了很大的进展。采用等离子体淀积技术或离子束工艺已制备出了类金刚石的碳膜,这种碳膜也可称它为菱形碳膜或无定形碳膜。其电阻率可达10~(12)Ω·cm,折射率为1.9～2.0,在2～20μm间没有严重的吸收带,莫氏硬度达8级。用它作锗的增透膜,锗片厚度为1mm,在10.6μm处透射率可达93～95％。一、制备类金刚石碳膜的几种方法热分解淀积在低压下热分解烃气使碳沉     

电子束辅助热丝CVD法在Si（100）衬底上织构生长金刚石薄膜

电子束辅助热丝ＣＶＤ法在Ｓｉ（１００）衬底上织构生长金刚石薄膜傅广生，王晓辉，于威，韩理（河北大学物理系保定０７１００２）织构生长的金刚石薄膜以其优异的光学、半导体和电学性能而具广泛的应用前景，它一直受到众多研究者的关注。由于金刚石与所用的衬底材料（...     

脉冲激光沉积类金刚石膜和生物相容性

类金刚石膜具有很高的硬度、很小的摩擦系数、很高的化学稳定性和很好的生物相容性,在生物医学领域中具有巨大的应用价值。首先,论述了类金刚石薄膜的微观结构、物理化学特性和生物相容性以及它们之间的相互联系。总结了脉冲激光沉积类金刚石薄膜过程中实验参数对类金刚石薄膜的微观结构和特性的影响。为类金刚石薄膜的研究与生物医学应用提供一个参考。     

HFCVD方法沉积金刚石薄膜的生长研究

本文讨论了金刚石薄膜应用于光学领域所偶到的问题，研究了热丝方法生长应用于光学膜的金刚石薄膜过程中，衬底表面的预处理和沉积条件如碳源浓度、衬底温度等对制备膜晶粒尺度和晶粒间界以及膜表面形貌的影响。     

有磁场的等离子体CVD法合成金刚石

最近几年,金刚石由于具有出色的物理性能和化学性能,除了期待它在工具、研磨材料上的应用之外,还期待它在半导体材料、光学材料、热沉、音响材料等方面得到应用,特别是现在能用气相合成法很容易制成多晶金刚石薄膜,这些方面的应用研究也就更进一步了。把金刚石薄膜用作这样的材料时,除了高速成膜之外,需要大面积、均匀成膜。本文叙述的     

原位测量高压下氮碳膜的光致发光效应和结构相变的探索研究

1989年由Cohen提议，可能存在八C。N。其硬度可能等于或超过金刚石，此后国际上引起了广泛兴趣与探索。到目前为止，可以说仍未获得足够量的人C。N。样品以研究其特性。与此同时，氮碳薄膜的制备与研究同样令人瞩目。氮碳薄膜一般是无定形高含氮的薄膜，在力学和光电性质方面已显示其优良的物性，它不同于只含碳的金刚石膜，由于NC成键的多样性，使其在结构与物性上显现出复杂性。本项工作中采用直流等离子空心往石墨靶，在含氮、氮气氛中混合放电制备氛碳薄膜，获得CN小一IO～SOat％）薄膜，并应用XP民AES等手段，以及红外、可见紫…     

直流等离子体CVD法在Si（100）衬底上局部定向核化及外延生长金刚石膜

低压气相法合成的金刚石薄膜和天然金刚石一样,具有优异的力学、光学、电学、化学及热学性质。可广泛应用于机械、电子和光学等工业领域,因而引起了人们极大的兴趣。金刚石还具有半导体性质。并能在多种衬底上利用低压气相合成金刚石膜,还可进行选择性的掺入需要的杂质。这就为制备金刚石半导体器件提供了可能性。实验表明,在金刚石膜生长过程中进行掺杂强烈地依赖于晶体生长方向     

金刚石镶嵌非晶碳膜和类金刚石薄膜的场致电子发射研究

报道了在钼衬底上利用微波等离子体化学气相淀积技术制备金刚石镶嵌非晶碳膜，在硅衬底上用脉冲激光淀积技术（pulsedLaserDeposition）制备类金刚石薄膜，并对其场发射特性和机理进行了进一步的研究。用金刚石镶嵌非晶碳膜作阴极，在2．1V／μm的场强下便有电子发射，最大发射电流密度为4mA／cm2。实验表明，金刚石镶嵌非晶碳膜是制做场效发射冷阴极的合适材料。