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1.
利用高能球磨和直流快速热压技术,制备ZnxGe1-xTe(x= 0, 0.01, 0.02, 0.03, 0.04)合金,研究合金的物相、微观结构以及Zn掺杂对GeTe材料热电性能的影响。结果表明:所有的样品都由单相GeTe组成;Zn掺杂可以在一定程度上改善GeTe基体的热电性能,其中成分Zn0.02Ge0.98Te和Zn0.03Ge0.97Te的热电性能较好,其ZT值在773 K时分别达到了1.4和1.33。 相似文献
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为了提高SnO2纳米线基气敏传感器在实际应用中存在着灵敏度低、选择性差等问题,采用物理热蒸发法制备纯SnO2纳米线和不同质量百分比(7%,8%,9%,10%)的Zn掺杂SnO2纳米线,将制得的气敏基料制备成旁热式气敏元件,应用静态配气法对浓度均为500ppm的无水乙醇蒸汽、CO及CH4分别进行气敏性能测试.实验结果显示,Zn掺杂SnO2纳米线相比纯SnO2纳米线的气敏性能有了明显提高(乙醇提高2.46倍,CO提高13.88倍,CH4提高1.43倍),并得出无水乙醇气敏性能在工作温度为280℃最高,CO,CH4在300℃最好.当Zn的掺杂比例为质量百分含量为9%时,各种比例材料所制成的气敏元件气敏性能最高. 相似文献
3.
利用水热法制备了Zn1-xCrxO稀磁纳米材料,采用XRD、FESEM、EDS、PL和VSM等方法对样品的结构与性能进行了表征与分析,考察了Cr掺杂量对Zn1-xCrxO样品的结构与性能影响。XRD分析表明Zn1-xCrxO样品为ZnO六方纤锌矿结构,随着Cr掺杂量增加样品的结晶性能下降,并且样品的形貌由较好的六角棒状结构逐渐变得杂乱;磁滞回线分析表明Zn1-xCrxO样品具有良好的室温铁磁性,Cr掺杂量不同,样品的磁性不同;PL谱表明适量Cr掺杂对ZnO的发光性能有促进作用。 相似文献
4.
采用固相反应法制备Ni0.5Zn0.5Nd2-xFe2-3O4铁氧体,通过X射线衍射仪(XRD)、阻抗分析仪和振动样品磁强计(VSM)对样品的物相、结构和电磁性能进行表征,讨论了Ni0.5Zn0.5NdxFe2-xO4(x=0.002~0.010)铁氧体的结构和电磁性能。结果表明:Nd^3+掺杂量z〉0.008时,样品中出现了杂相NdFeO3;随着Nd^3+掺杂量的增加,晶格常数呈现先增大后不变,而密度、介电常数和介电损耗角正切呈现先增大后减小(z=0.008时出现最大值),但饱和磁化强度呈现逐渐减小(z=0.010时有最小值71.22emu/g);并且所有样品的介电损耗角正切均出现峰值,表现异常的介电行为。 相似文献
5.
利用非磁性Ga离子对Na0.8CoO2的Co位进行了掺杂,得到了单相的Na0.8Co1-zGazO2(0≤z≤0.15)样品.通过对材料的晶体结构和电输运特性的研究发现:Ga的固溶极限约等于0.2;Ga离子掺杂后晶胞参数c明显增大;Ga的掺杂虽然使Na0.8CoO2的电阻率有所升高,但对其金属导电行为无显著影响. 相似文献
6.
全无机卤化物钙钛矿材料(CsPbX3, X=Cl, Br, I) 由于其优异的光学性能, 在光电领域具有广阔的发展前景,但全无机钙钛矿量子点对水、空气等外界环境特别的敏感限制了其发展。因此, 提高全无机钙钛矿量子点的稳定性非常重要。通过掺杂Zn2+ 取代CsPbX3中的部分Pb, 进一步包覆聚苯乙烯(PS), 然后利用静电纺丝技术制备出Zn掺杂CsPbI3@PS 复合纤维薄膜。CsPbI3纳米晶在聚合物纤维中原位生长, 制得的PS 电纺薄膜不仅具有CsPbI3 钙钛矿量子点的荧光性质, 而且其稳定性显著提高, 可保存2 个月仍具有荧光效果, 并且实现其在白光二极管(WLED)器件上的应用。 相似文献
7.
采用化学共沉淀法制备出Zn/Sn共掺杂MgO纳米粉末,利用旋涂法将其涂覆在等离子体显示器(AC PDP)的前基板上作为功能层,以改善AC PDP的放电性能。X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和扫描式电子显微镜(SEM)的分析结果表明,Zn和Sn原子被成功掺入MgO晶格中。紫外-可见分光光度计的测试结果显示,Zn/Sn共掺杂MgO功能层的加入使基板的可见光透过率降低了4%~7%。在200~450 torr、7% Xe+Ne的放电条件下,与传统AC PDP相比,新型功能层的加入有效降低了AC PDP的着火电压和维持电压。因此,该功能层对于提高AC PDP的放电效率和降低其功耗具有重要意义。 相似文献
8.
掺杂对一些钨青铜铌酸盐晶体结构及性能影响 总被引:1,自引:1,他引:1
研究了掺杂对钨青铜(TB)型铌酸盐晶体的结构、生长及性能的影响。使用X射线衍射技术研究了掺铬铌酸锶钡晶体的晶格常数。在TB型铌酸盐晶体的合成中,掺杂实际是晶体分子设计的一部分。TB型铌酸盐晶体中掺杂离子的占位及数量与晶体中阳离子的种类及组成是密切相关的。 相似文献
9.
研究了Al掺杂对采用直流磁控溅射方法制备的ZnO薄膜结构及光学性能的影响。X射线衍射结果揭示薄膜具有良好的C轴择优取向生长特性,同时,衬底温度对它们的透射谱和荧光谱有着明显影响,所有薄膜都有大于86%的可见光透过率和陡峭的本征吸收边,但ZAO薄膜的光学透过率略低。Al掺杂导致了更宽的光学带隙,光致发光光谱显示ZnO具有较强的近带本征吸收峰和深能级发射峰,但Al掺杂使得深能级发射峰降低。随着衬底温度的升高,近带边吸收峰蓝移,与光学带隙Eg变化趋势一致。 相似文献
10.
本文采用粉晶X射线衍射和红外光谱等方法研究了人工合成的含Zn云母的结构。这种含Zn云母具有二八面体与三八面体过渡型结构,其多型为2M_1型。Zn~(2+)对Mg~(2+)的类质同象取代将引起这种云母晶体结构的畸变。 相似文献
11.
计算了未掺杂与Sr掺杂的LaMnO3 钙钛矿氧化物的热力学数据 .计算与实验结果吻合较好 .这些热力学数据可以用来估计复合物的化学稳定性值以及与其它材料间的化学反应性 . 相似文献
12.
利用3DSMAX7.0软件提供的NURBS曲线建模放样技术,通过设定三维组织最小结构单元经纬纱线的结构参数,对NURBS曲线上控制点的三维坐标进行调整、成组编辑,以圆形模拟纱线的截面,实现三维组织的结构模拟,给出三维正交分层接结和Noobed三维组织模拟效果. 相似文献
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14.
用高温固相法制备掺镁的CaTiO3:pr^3+红色长余辉发光材料,并测试材料的激发光谱、发射光谱和余辉衰减曲线.研究Pr^3+、MgO和H3PO3的不同掺入量对CaTiO3:Pr^3+红色发光材料的发光性能的影响.XRD分析表明,所合成的样品为MgCaTiO3正交晶系的晶体结构.发射光谱峰值位于614nm,对应了Pr^3+的1↑D23↑F4跃迁,研究发现,在还原气氛下,掺入35%(摩尔分数,以下同)的MgO,65%的CaCO3,0.125%的Pr^3+,10%的H3BO3,1200℃下反应2h,所得的掺镁的CaTiO3:Pr^3+红色长余辉发光材料的发光性能最好. 相似文献
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微波介质陶瓷和复合钙钛矿结构的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
姜从盛 《武汉理工大学学报》2004,26(4):18-21
微波介质陶瓷是现代移动通信技术中被广泛应用的关键新材料。分析了微波介质陶瓷的分类和应用,讨论了钙钛矿结构的特点和微波介质陶瓷的性能要求,提出了复合钙钛矿结构将会在微波介质陶瓷的研究开发领域得到广泛应用。 相似文献
16.
制备了电子掺杂钙钛矿锰氧化物庞磁电阻材料La0.9Sb0.1MnO3,并在不同温度测量了La0.9Sb0.1MnO3的电子自旋共振谱.观察到La0.9Sb0.1MnO3体系存在相分离现象,实验证明,这种电子掺杂的锰氧化物具有复杂的磁结构,随温度升高样品逐渐由铁磁态向顺磁态转变,在220~260K的过渡温区,样品的磁状态最复杂,存在铁磁、顺磁多个磁相共存的现象.通过分解电子自旋共振的积分吸收谱,分析了La0.9Sb0.1MnO3样品磁性随温度的演变过程,并讨论了电子掺杂锰氧化物的磁不均匀性和相分离现象. 相似文献
17.
论述了钙钛矿型氧化物电子能带结构的几种常用计算方法:即赝势方法、线性缀加平面波方法(LAPW)、全电势LAPW方法(FLAPW)和线性化Muffin-tin轨道方法(LMTO)等,并采用赝势方法计算了BaTiO3材料的电子能带结构和光学性质,且将计算所得结果与FLAPW方法、TB-LMTO方法及其它方法的计算结果进行比较,发现这些能带计算方法有着各自的优缺点,但总体来说赝势方法和FLAPW方法是目前基于密度泛函理论(DFT)中计算能带结构较为准确的第一性原理计算方法. 相似文献
18.
用PM3量子化学方法全优化计算了异亮氨酸及其热分解中间产物、终产物分子的总能量、键级等。通过对键级、定域轨道能以及总能量与键长变化关系的分析,提出了异亮氨酸热分解反应的机理。 相似文献
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研究了无铬钝化铝管处理技术,即利用锰酸盐表面处理技术制备铝管钝化膜,锰酸盐的配方为10 g/L KMnO4+20 g/L Na2HPO4+1.0 g/L KF,调节溶液pH值为9.5;其处理工艺为60℃条件下处理10min。并用硫酸铜点滴实验、海水腐蚀实验、碱浸实验对制备的铝管锰酸盐钝化膜与铬酸盐钝化膜、空白样进行对比实验,结果表明,铝管表面的锰酸盐钝化膜显著提高了铝管的耐蚀性能,其耐蚀效果超过了常规的铬酸盐钝化膜。电化学Tafel极化曲线测试结果表明:锰酸盐钝化膜的存在使得铝的自腐蚀电位明显正移,自腐蚀电流密度显著下降,从而有效降低了铝管腐蚀速率。 相似文献
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用溶胶凝胶法合成GdAl3(BO3)4:Eu3 红色荧光粉.晶化温度为960℃,晶化时间为2 h;用X射线衍射进行结构表征,并用Jade5程序对GdAl3(BO3)4:Eu3 粉末样品的X射线衍射数据进行了指标化.结果表明:GdAl3(BO3)4:Eu3 为六方晶系,晶胞参数a=9.299 2 nm,c=7.257 7 nm;荧光性能测试结果为:室温613 nm监测,其激发光谱峰为:270,391,400,472,542,728,766和791nm.在270 nm激发下,最大发射峰为613 nm. 相似文献