射频高压试验装置测量不确定度分析

阐述了射频高压的试验原理,确定了系统的测量不确定度的来源,并以中国电子科技集团公司第二十三研究所研制的RF-3500型射频高压试验装置为例,结合实际测试数据给出了具体的测量不确定度分析.     

自镇流LED灯的光效测量的不确定度评定

通过对自镇流LED灯的功率和光通量测摄的不确定度进行分析,建立起光效测量的数学模型,并对影响测试结果的各个不确定度分量进行分析和计算,最终绘出测试结果的不确定度报告。     

谐波测量不确定度分析

文章叙述了谐波的测量方法、通过建立数学模型来分析在谐波检测中,所引入的不确定度分最,并对引人的不确定度进行了评定。     

基于蒙特卡罗法的虚拟仪器测量不确定度应用

本文把蒙特卡罗法应用于虚拟仪器测量不确定度评定中,对今后虚拟仪器精度领域的研究是一个借鉴。对虚拟仪器的测量不确定度进行评定和验证是个极其重要的问题,采用蒙特卡罗法重要思想就是,确定一个统计量,其数学期望正好等于所要求的值,样本方差等于理论方差的估计值。     

无线发射设备功率测量不确定度计算的研究

本文以最为常见的功率测量为例,分析了无线设备测量中的各种影响因素,并给出了相应不确定度的计算方法.     

电子天平示值误差测量结果的不确定度评定

一切测量结果都不可避免地具有不确定度，结合实际应用的情况，详细介绍了电子天平示值误差测量结果的不确定度评定方法。     

LTE射频测试不确定度分析及评估方法

本文首先介绍了射频测试中测量不确定度的影响因素;然后,结合LTE终端射频测试,以功率测试项为例,详细描述了评估、计算过程;最后阐明了评估测量不确定度的重要性和意义。     

采用频谱分析仪测量信号源功率电平及校准不确定度

文章提出了采用频谱分析仪测量信号源输出功率电平的实现方法,并对该方法的不确定度进行了分析,解决了在没有接收杌的情况下射频信号源功率电平检定的问题.     

基于三通道脉冲宽度调制的LED调光调色

为了实现发光二极管(LED)的精确调光,根 据重心原理,结合脉冲宽度调制(PWM),推导出混合光的色品坐标 与占空比的函数关系;采用红/绿/蓝、红/绿/冷白和暖白/绿/蓝3种LED光源模块进行 实验验证,并且 以光效、显色指数和最大光通量3个指标对混光效果进行评价。实验结果表明:建议的计算 模型能精确地指导LED的光 色调节,混合光的色品坐标的设定值和测量值之间的误差小于0.002,色温误差在50 K以内。 用光谱丰富的 冷白和暖白LED分别代替红/绿/蓝光源模块中的蓝光和红光,能提高混合光的显色指数,暖 白/绿/蓝光源模块的混光效果最佳。     

基于相对辐射强度的非接触式LED结温测量法

提出了一种新的非接触式发光二极管(LED)结温测量的相对辐射强度法。利用该方法对不同功率、不同封装材料、不同颜色的LED进行结温测量,并与正向电压法测得的结果进行比较。结果表明,相对辐射强度法能准确地确定其结温,采用硅凝胶封装的大功率LED,误差在4℃以内;而采用环氧树脂封装的直径5mmLED,当其结温不超过80℃时,误差在6℃以内。     

两种高温老化方式对功率白光LED光热参数的影响

测试和比较了大功率白光LED在高温耐电(HTCD)和高温存储(HTS)两种老化条件的光热性能变化。结果表明,在HTCD老化下,光通量衰减达到40～60%;而HTS下的衰减只有10～14%。这说明,电流应力对LED的寿命影响比较大。利用热阻瞬态响应法测试和结构函数理论分析两种高温老化条件下LED的热特性,结果表明,在HTCD老化下LED热阻的变化较HTS更为明显,并且热阻变化大多体现在导热Ag胶层。这主要是由于高温条件下电流应力引起Ag颗粒的空间分布不均,使粘结界面产生空隙导致热阻发生不同程度的改变。     

双通道PWM的冷暖白光LED混色模型研究

LED光色度的动态调节是实现智能照明的基础, 采用冷暖白光LED和双通道脉冲宽度调制(PWM)法,基于1931CIE标准建立混合光源模型,推导出混合光源色坐标、相关色温 、最大亮度、显色指数与双通道调制脉冲 占空比比值的关系式。采用暖白光(色温3282 K)和冷白光(色温12930K)两种白光LED进行 混色实验, 通过微控制器输出PWM信号控制LED驱动电源,改变冷色光和暖色光的比重,得到的混合 光源色坐 标、最大亮度、相关色温及显色指数值与理论计算值吻合很好,证明了理论模型的正确性。 理论和实验结 果还表明,混合光源在双通道调制脉冲占空比比值为1的附近可得到低色温、高显色性和大 光通量的混合白光。     

基于顺向电压法的LED接面温度自动测量系统

采用顺向电压法测量LED的接面温度。通过使用数据采集卡,建立高功率LED的自动化接面温度测量系统,并以市场上现有的高功率LED为例进行了测量与对比,建立了高功率LED的I-V特性曲线及其电流—接面温度曲线,最后对测量结果与特性曲线进行了分析讨论。     

大功率LED针翅式散热器散热性能数值模拟

发光二极管(LED)作为新一代光源,得到广泛应用.然而在工作过程中,大部分的电能会转变为热能,使LED的结温升高,可靠性降低.为了使LED芯片产生的热量能够及时有效地散发出去,通常采用翅片散热方法对其进行散热.采用数值模拟的方法对大功率LED针翅式散热器的散热性能进行了研究.为了验证模型的准确性,利用K型热电偶和安捷伦数据采集仪对散热器进行了实验测试.实验结果表明,该数值模型方程能够很好地模拟散热器的散热性能.此外,研究了大功率LED针翅式散热器的几何参数(翅片高度、半径、排数、列数)对LED散热性能(结温、对流换热系数和热阻)的影响,并且对翅片结构进行了优化分析.     

白光LED色度特性研究

为了解决白光发光二极管（LED）光衰问题,采用包膜技术对YAG：Ce^3＋荧光粉进行了实验。分别用Al2O3和La2O3对YAG：Ce^3＋荧光粉包覆,然后封装成白光LED。实验结果表明：La2O3较Al2O3包覆的YAG：Ce^3＋荧光粉初始光强强;包膜后的白光LED的光衰和光色变化都非常缓慢,表现出良好的光学稳定性。     

GaN基蓝光器件的研究进展

本文对近几年ＧａＮ基蓝光器件，包括ＧａＮ基发光二极管和激光二极管的发展历程进行了全面介绍和评价。指出ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ的研究开发技术将在１－２年内走向成熟，从而实现大规模商业化生产，而ＧａＮ基蓝光ＬＤ也将在近二年内实用化。     

Remarkable improvement in emission efficiency of ZnCdSe/Zn(S)Se LEDs by thermal annealing

Thermal annealing effects on optical and electrical characteristics for p-type and n-type II–VI compound layers (ZnSe, ZnSSe, and MgZnSSe) and on the emission efficiency of ZnCdSe/Zn(S)Se 6 quantum well (QW) light emitting diodes (LEDs) grown by molecular beam epitaxy were investigated. It was clarified that serious degradation of optical and electrical characteristics was not observed up to an annealing temperature of 400°C. In the case of p-MgZnSSe, the maximum permitted annealing temperature was lower than that of Zn(S)Se. The light output of the ZnCdSe/Zn(S)Se multi QW LEDs was enhanced by a factor of three at optimum thermal annealing conditions. The study suggests that this thermal effect for LEDs was produced by the improved crystal quality of ZnCdSe QWs by thermal annealing.     

Emerging trend for LED wafer level packaging

Currently most light emitting diode (LED)components are made with individual chip packaging technology.The main manufacturing processes follow conventional chip-based IC packaging.In the past several y...