共查询到18条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
本文对电解槽侧部破损的现象及破损的机理进行了分析,并提出了一些补救方法,以期对大型电解槽生产管理工作有一定帮助。 相似文献
2.
3.
张明谦 《有色金属(冶炼部分)》2005,(2):16-18
就大型预焙铝电解槽早期破损这一现象,结合近几年投产的部分铝厂尤其是连城铝业电解新系列启动的经验进行了分析,指出筑炉材料和筑炉质量、焙烧启动制度以及焙烧启动过程的管理是造成早期破损的主要原因,并针对这一现象提出了应对措施。 相似文献
4.
介绍了大型预焙铝电解槽侧部早期破损的修补方法——侧部碳央重塑法,此方法不需要停槽操作,经小修后的电解槽运行平稳,槽寿命平均延长345d。 相似文献
5.
近年来,我国电解铝生产槽逐步向大电流大容量发展,以解决能耗高、技经指标低的问题,但大型槽一旦发生漏槽,处理不及时后果不堪设想。本文就大型铝电解槽防止漏槽,在安全管理方面进行探讨,以减少或避免大型预焙铝电解槽漏槽引发安全事故,从而提高电解铝生产经营效益。 相似文献
6.
本文结合某铝业公司和中南大学联合开发的低电压节能技术,探讨了铝电解节能的途径,介绍了铝电解节能生产的经验和效果。 相似文献
7.
分析了电解槽侧部碳块破损的现象及原因,并提出了一些破损补救方法,以期对大型电解槽生产管理工作有一定帮助. 相似文献
8.
9.
阐述了铝电解槽阳极效应发生的机理和对电解生产的影响,介绍了阳极效应管理的重点工作和某厂350kA铝电解系列降低阳极效应系数的生产实践及取得的效益。 相似文献
10.
我国大型预焙铝电解槽发展中的若干问题探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对我国大型预焙槽发展所存在的问题进行了分析,提出应因地制宜,有条件发展的原则。不可一哄而上,要考虑经济规模、我国氧化铝、碳素制品的质量状况、设备制造水平、大型槽设计的“三场”基础等方面的因素。文中对上述问题提出了解决和改进的建议。 相似文献
11.
预焙铝电解槽早期槽帮的建立和后期的维护 总被引:1,自引:0,他引:1
邓发权 《有色金属材料与工程》2007,28(1):26-30
论述了预焙铝电解槽槽帮建立的意义;着重讲述了240kA预焙铝电解槽早期槽帮在高分子比、高温条件下的建立,以及后期在低温、低分子条件下的维护和生产实践。 相似文献
12.
采用球磨法将Ti60合金粉末与碳化硅纳米线(SiCnw)混合,通过放电等离子活化烧结工艺制备SiCnw/Ti60复合材料。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和万能力学试验机研究复合材料的组织形貌、物相结构和力学性能。结果表明,在Ti60合金中添加SiCnw后,基体晶粒尺寸显著减小,当SiCnw添加量为0.1%(质量分数)时,SiCnw/Ti60复合材料的晶粒尺寸较Ti60合金下降42%,抗拉强度提高2.7%,为1037 MPa。SiCnw在晶界处的均匀分布可起到钉扎效应,在拉伸过程中SiCnw承担了基体间的载荷传递,从而提高了SiCnw/Ti60复合材料的拉伸强度。 相似文献
13.
传统阴极炭块顶部是平坦的,阴极铝液流动时几乎没有阻力。使用表面凸起的阴极炭块进行研究,目的是增加铝电解槽中铝液流动的阻力,起到减波和减少铝液流动速度的作用,以此降低水平电流密度、阴极电压和铝液流速,保障铝电解槽生产安全稳定。通过COMSOL软件进行模拟,发现随着阴极炭块表面凸起块数的增加,阴极压降和水平电流密度均呈下降趋势,其中阴极压降最大降幅为39.8 mV,水平电流密度最大降幅为2 087 A/m2,并对某铝厂400 kA铝电解槽使用异形阴极炭块后进行测试,测试结果与模拟结果一致。 相似文献
14.
本文以国内某200 kA级系列铝电解槽侧部破损分析为基础,着重探讨了侧部炭块在不进行电解槽停槽的状态下,即在线进行局部更换和维护侧部炭块的技术开发实践. 相似文献
15.
16.
Diffusion interaction in the Cr – ZrC and Cr – HfC systems has been studied in the temperature range 1200-1400°C. The impurities contained in chromium or carbides were found to affect the interaction in the systems. Almost no interaction was observed when the systems were held at temperatures up to 1300°C for 100 h. At higher temperatures the carbides were reduced to ZrO2, HfO2, and Cr23C6 because of the presence of a slight amount of oxygen. Thermodynamic calculations indicated no interaction in these systems at temperatures up to 1600°C. A study of the interaction in the systems SiC – ZrC and SiC – HfC showed that a transition zone formed already in the stage of sample preparation by diffusion welding in vacuum (1300°C, vacuum of 10_3 Pa, with a load applied for 20 min). During annealing (1300°C, 50 h) the transition zone stratified, forming a solid solution of silicon in Zr(Hf)C and SiC inclusions in the SiC – Zr(Hf)C solid solution. A transition zone formed on the zirconium carbide side when SiC interacted with Zr(Hf)C. The interaction in SiC – Zr(Hf)C casts doubt on the use of them as a barrier without antidiffusion layers. 相似文献
17.