钇系,铋系超导材料

1986年LaBaCuO超导体实现临界温度达30K,1987年YBaCuO超导体临界温度达90K,稀土金属作为高温超导的主要材料显露头角。1988年铋系(BiSrCaCuO)超导的临界温度达110K,继而铊系(TlBaCaCuO)的超导临界温度于同年也达到120K,因此认为继稀土之后首先是铋系占主要位置,     

国外简讯

日本日立制作所日立研究所的超导研究小组合成出一种非铜系氧化物高温超导体——含钒的复合氧化物Tl-Sr-V-O。这种材料的临界温度为132K超过1988年2月所发现的铊系超导体的122K,刷新了最高临界温度的记录。以往多数的高温超导     

粉末冶金领域的新开拓—高临界温度超导材料

简述了高临界温度超导材料的发现,制造方法和应用,并分析了新材料的应用前景。     

超导新材料

日本科学家发现一种普通的金属化合物——二硼化镁冷却到绝对温度39K（零下234摄氏度）时,会表现出超导特性。它是迄今发现的临界温度最高、性质特别稳定的一种金属化合物,为研制低成本高性能的超导材料开辟了新路。 此前发现的超导材料要么临界温度极低,要么成分复杂而且成本高昂,或者能够承载的电流强度较小。如果要大规模应用,例如制造超导输电线路,这些材料都不太经济实用。 日本青山学院的科学家说,他们将纯度为99.9％的镁粉与纯度为99％的无定形硼粉按1比2     

高温超导材料实用化的新进展

高临界温度超导电性的发现至今已逾１１年，今天高温超导体正处于实用化发展的适宜时机，特别是钇系和铋系超导材料。国际材料研究学会９７年秋季大会于１２月１～５日在美国波士顿召开，题为“应用高温超导耐用材料的稳定性”的Ｔ分会场介绍了高温超导工艺及实用化的新进展，一些公司报告了超导工业的进程规划。     

用激光照射法制备Nb_3Ga超导材料

Nb_3Ga化合物超导性能优良,临界温度为19.7K,临界磁场强度超过30忒斯拉,但该化合物硬而脆,无法加工成材,至今尚未实用。日本金属材料研究所开发用激光照射法制备Nb_3Ga化合物超导材料获得成功,在世界上处于领先地位。     

铁基超导材料的研发

正超导体不同于一般金属导体,一方面在某个临界温度以下电阻突降至零;另一方面还具有完全抗磁性。一旦进入超导态,外界磁场完全进不去,材料内部磁感应强度为零。由于这两大特性,超导体在强、弱电领域具有重要的应用前景。利用超导材料替代普通金属材料,可以节约输电过程中造成的大量热损耗;可以组建超导发电机、变压器、储能环;可     

商用Bi-2212的应用概述:线材、带材、缆线和导体

高温超导材料具有零电阻、完全抗磁性和约瑟夫森效应的特性,在电力,强电磁体等领域展现出巨大的市场潜力.Bi系超导材料的临界温度高于液氮的沸点(77K),能制成带材和线材,且可承载的电流大,被认为是一种具有良好应用前景的实用化超导材料.本综述报道了为制作高场托克马克,加速器,偶极子和大型螺线管的高温超导电缆和导线的研究进展和现状.     

薄膜超导体的临界温度

一、前言 在解决高温超导体问题方面;Nb_3Ge薄膜在23.2K过渡到超导状态,取得了一定的成就。然而正如一些人所指出的,这远不是极限,用具有强烈的晶格不稳定的薄膜系统的方法可以进一步提高临界温度。六十年代末,麦克米伦创立了超导强耦合理论,提出软化声子谱可以提高T_c,非晶态超导膜则是软化声子谱的重要手段,因而     

铋系超导薄膜

日本名古屋大学早川尚夫教授等的研究小组与日本特殊陶业公司共同研制成临界温度达97K的铋系超导薄膜。 铋系超导体虽在整体上其临界温度(115K)比钇系的(90K)高,但因构成五元系的元素种类多,晶体结构复杂,致使薄膜化时的临界温度下降。早     

科学家发现有机聚合物超导材料

美国朗讯科技公司贝尔实验室的科学家发现一种有机聚合物在低温下表现出超导特性 ,这是人们首次发现有机聚合物能够成为超导材料。往有机聚合物掺入一些杂质 ,能使它具备较强的导电性 ,这已经为科学界所熟知。但此前从未发现任何有机聚合物具有超导特性。利用有机聚合物———聚 (3己基噻吩 ) (Ｐ3ＨＴ)的溶液 ,制造出结构有规则的Ｐ3ＨＴ薄膜 ,并用场效应晶体管往薄膜中注入电荷。结果发现 ,在温度降到绝对温度 2 35度 (约零下2 70 8℃ )时 ,薄膜表现出了超导特性。尽管这一成果中超导材料的临界温度很低 ,但这已经是相当重要的新进展。…     

高性能的Nb_3Ge超导材料膜

在将Nb型超导材料研制成超导元件之后,日本电信电话公用公司电讯研究试验室用磁控管溅射法研制临界温度Tc高达21.4～22.2°C,电特性均匀和重现性良好的Nb_3Ge膜最近已经成功。该实验室还用活性溅射(reaction sputtering)法研制成功了与现有薄膜特性相似的NbN膜,虽然它的衬底温度低到300°C(它的衬底温度比一般所采用的温度低     

钼的加入对A15Nb_3Al的超导临界温度T_c的影响

Ｍｅｉｓｅｉ大学的Ｋ .Ｙ .Ｈｗａｎｇ等人根据Ａ15Ｎｂ3Ａｌ系合金的超导临界温度Ｔｃ 随晶格参数减小而升高这一总趋势基础上研究了添加钼对Ａ15Ｎｂ3Ａｌ合金的Ｔｃ 的影响。随着钼含量的增加 ,Ａ15相的晶格参数单调递减 ,在加入Ｍｏ 2 %到 3.5% (摩尔分数 )时 ,Ｎｂ2 0 % (摩尔分数 )合金的Ｔｃ 高于不含钼的合金的超导临界温度Ｔｃ( 0 ) ,并于 2 %钼 (摩尔分数 )时达到峰值 14.8Ｋ ,它比Ｔｃ( 0 ) 大约高 2Ｋ。当钼含量高于 5% (摩尔分数 )时 ,钼对Ｎｂ3Ａｌ合金的Ｔｃ 强化作用消失。钼的加入对A15Nb_3Al的超导临界温度T_c的影响@吕雪丽     

添加金属可提高超导特性

日本大阪大学的超导研究小组,通过向钇(铋)系混合氧化物超导体中添加各种金属而大幅度地提高其超导特性。 在钇系混合氧化物超导体中添加3％的银,可使临界电流密度Jc的最大值达到375A/cm~2、在5000高斯的磁场中,其临界温度Tc超过85K。另     

铋系超导薄膜

日本特殊陶业综合研究所与名古屋大学工学部的早川尚夫研究室共同研制成功成膜后不需热处理的具有95K临界温度的高温相铋系超导薄膜。 首先在基片上生成一层厚约70A的铋—锶—铜氧化物的半导体相以作为缓冲层,然后在此缓冲层上再形成一层厚约700A的高温相超导薄膜,基片温度为760℃。其结果,可获得临界温度为95K的     

铊系超导体临界温度受氧量控制

日本电气基础研究所用精密的重量测定法,已查明铊系氧化物超导体的临界温度是由微量氧的变化所决定的。 铜-氧层采用一层铊、钡、铜氧化物,首先在氧气中进行热处理,并尽量注入氧气,结果便成为金属的非超导体。紧接着一点一点地除去氧气,结果发现其超导临界温度大体上接氧气的减少量成比     

铌—钛低温超导材料焊接技术的研究状况述评

1986年高温超导材料的发现为超导技术研究翻开了崭新的一页,10多年的研究也确实取得了很大的进展．但是由于在材料物理特性、制备工艺,特别是成材技术上的困难,本世纪应用于强电强磁场工程领域,从而替代传统低温超导材料的可能性不大．世界各国在低温超导材料及其应用上的研究投入仍占所有超导研究经费的很大比例．Nb－Ti超导材料在超导应用领域的重要地位短期内依然难以取代．70年代开始,以Nb一下超导材料制作的实用超导磁体已进入大型化阶段,这不仅对超导材料的性能提出更为严格的要求,而且对导体的长度也要求愈长愈好．例如,现…     

采用热分析法研究超导材料Th-Ba-Pb-Cu-O系的热学性质

自1986年1月,在瑞士苏黎世IBM研究所的缪勒博士和贝特诺兹发现Ba-La-Cu-O系在30K时出现超导性转变以来,在世界范围内迅速兴起了一股研究高临界温度超导体的“超导热”。美国休斯顿大学的华裔教授朱经武和中科院物理所赵忠贤分别发布了     

稀土超导陶瓷材料研究情况介绍

超导现象是于1911年由荷兰科学家H.K.Onlies把Hg冷却到4.2K时,电阻突然消失而首次发现的。然而到1973年发现Nb_3 Ge超导体为止,以它的临界温度23K为最高值,每年平均增长了O.27K的临界温度。其后13年间临界温度几乎没有什么提高。然而到了1986年1月由美国国际商用机     

高温超导电性(理论机制评述)

高临界温度氧化物陶瓷的发现,对理论家提出一个艰巨的课题。目前需建立其超导对机制,弄清楚是否存在与金属氧化物不同的其它高Tc值的化合物,评价进一步提高