低压沟槽功率MOSFET导通电阻的最优化设计

研究了低压沟槽功率MOSFET(<100V)在不同耐压下导通电阻最优化设计的差别。给出了确定不同耐压MOSFET参数的方法,简要分析了沟槽MOSFET的导通电阻;利用Sentaurus软件对器件的电性能进行模拟仿真。理论和仿真结果均表明,耐压高的沟槽MOSFET的导通电阻比耐压低的沟槽MOSFET更接近理想导通电阻,并且,最优导通电阻和最优沟槽宽度随着耐压的提高而逐渐增大。     

瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET

正瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150 mΩ(栅源间电压为10 V时的标称值)的600 V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600 V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率     

一种900V超结VDMOSFET器件的设计与仿真

功率MOSFET在现代电子工业中已经得到了广泛的运用,然而在高压功率MOSFET器件中,如何平衡功率MOSFET的击穿电压与导通电阻的冲突一直是研究热点。结合超结理论和传统功率VDMOSFET的生产工艺设计了一款高压超结VDMOSFET器件,运用半导体器件仿真软件对器件结构进行优化,得到P柱区和N柱区掺杂浓度和厚度的最优值和工艺参数。仿真结果表明,设计的超结VDMOSFET器件击穿电压和导通电阻分别为946 V和0.83Ω,很好地平衡了功率MOSFET击穿电压与导通电阻的冲突。     

利用新一代功率MOSFET——QFET改进开关电源的性能

新型功率MOSFET——QFET带有低通态电阻和栅极电荷。利用MOSFET——QEFT开关能够提高开关电源的效率。     

功率MOSFET的研究与进展

器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。     

低Rds(on)P沟道技术

功率MOSFET常用于便携和无线产品中，其应用包括电池保护、负载管理和DC-DC转换等。对于这些应用，功率MOSFET最重要的特性便是其漏极－源极导通电阻Rds(on)。Rds(on)较小的功率MOSFET能够延长电池寿命，提高功率转化效率。同时，便携产品(如手机以及PDA等)的尺寸也在缩小，因此需要减小功率MOSFET的封装尺寸。近年来，为同时减小Rds(on)和封装尺寸，生产这些功率MOSFET的硅技术有了很大的改进，功率MOSFET是典型的立式器件，漏极位于芯片的底部，源极和栅极位于上部表面。功率MOSFET经两次扩散过程制成，先进行一次体…     

Power MOSFET系列

Toshiba公司推出了一系列新的功率MOSFET产品,主要用于优化汽车中使用的风机、泵以及其他汽车运动控制应用。新MOSFET系列将导通电阻、输入电容以及封装 设计组合在一起，比以前的汽车MOSFET提供更好的散热和功率性能。     

SiZ710DT:功率MOSFET

Vishay推出采用PowerPAIR 6 mm×3.7 mm封装和TrenchFET GenⅢ技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET——SiZ710DT,新器件比其前一代器件的导通电阻减小43%,同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET,导通电阻低。SiZ710DT的低边Channel 2 MOSFET利用了非对称结构在优化空间上的     

理解功率MOSFET的R_(DS(ON))温度系数特性

通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件,在其内部也是有许多小晶胞并联而成,晶胞的导通电阻具有正的温度系数,因此并联工作没有问题。     

功率MOSFET发展趋势

近年来，节能成为电源技术的主旋律，如何降低功耗也是功率分立半导体发展的主要驱动力。就功率MOSFET而言，供应商主要通过降低导通电阻和开发新的封装形式来满足新的需求。改进MOSFET性能的关键因素是改善栅极电荷、降低导通阻值RDS(on)，并通过创新封装技术增加单位电流密度。飞兆在开发诸如功率BGA和FLMP(倒装引脚铸模封装)等创新封装技术上已取得实质成果。     

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。因此，栅极驱动器的负载能力必须足够大，以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容（CEI）的充电。在计算栅极驱动电流时，最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容（CISS）和CEI混为一谈，于是会使用下面这个公…     

瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET

瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：SuperJunction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”,将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

Vishay的17款新器件扩充600VN沟道功率MOSFET系列

Vishay Intertechnology,Inc宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件．将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39-600mr／,将最高电流等级扩展至7-73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术,使公司进入使用功率转换技术的增量市场,包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。     

IR针对汽油和柴油发动机压电喷射系统推出优化版车用功率MOSFET产品

国际整流器公司推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。AUIRFR4292和AUIRFS6535采用IR最新一代已被验证的车用功率MOSFET技术,扩展了IR的车用MOSFET产品系列,将击穿电压提高到了300 V。250 V的AUIRFR4292采用DPAK封装,最大导通电阻达345 mΩ,而300 V的AUIRFS6535采用标准D2PAK封装,其最大导通电阻为185 mΩ。     

功率MOSFET晶体管的导通电阻显著降低

STMicroelectronics公司(位于美国麻塞诸塞州的Lexington)提出了一种新的制造功率MOSFET晶体管的技术。与传统的功率MOSFET晶体管相比可以将导通电阻降低至原来的三分之一到四分之一。导通电阻可随电压的变化而变化。此项技术称为MultipleDrain Mesh(MDmesh),与该公司的已经获得专利保护的MeshOverlay horizontal layout相结合构成了新颖的漏极构造。 漏极分成许多小区,由许多垂直的p-型漏极条和许多薄的水平的n-型源极条平行排列构成。这样的漏极构成方式可以将击穿电压提高一倍。 该公司还宣称,此种技术还具有     

一种新颖的功率MOSFET SPICE宏模型

提出了一种新颖的功率MOSFET宏模型结构,详细介绍了宏模型建立的整个流程;并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度。此模型考虑了功率MOSFET必要的二阶效应,并采用行为级模型来处理JFET电阻。     

评估MOSFET在重复性未钳位感应开关/短路条件下的瞬态结温

功率MOSFET数十年以来一直是电子设计的基础,为多种应用提供开关功能,并替代了简单的晶体管器件。在大多数情况下,它们用于对系统设计的大功率电路进行控制及稳压。技术进步及商业压力已经使市场上出现更紧凑、更高密度、更低噪声及更高性价比的MOSFET,替代过去的大尺寸、低能效MOSFET。对于相同的导通电阻而言,基于沟槽拓扑结构的功率MOSFET要求的尺寸与利用传统平面     

SiZ710DT：功率MOSFET

Vishay推出采用PowerPAIR6mm×3．7mm封装和TrenchFETGenIII技术的非对称双通道TrenchFET功率MoSFET——SiZ710DT,新器件比其前一代器件的导通电阻减小43％,同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET,导通电阻低。     

飞利浦扩展LFPAK封装的功率MOSFET系列

皇家飞利浦电子集团扩展其功率MOSFET产品系列 ,推出创新的SOT6 6 9无损封装 (LFPAK)。新LFPAK器件针对DC/DC转换器应用而设计 ,具有体积更小、效率更高、性能更加优化等特点 ,可用于众多新应用 ,如笔记本电脑、台式机、服务器、高频应用等。飞利浦的LFPAK封装MOSFET主要特点有接近于零的封装电阻和主板连接低热阻 ,以增强功率功能。MOSFET还具有低封装电感 ,从而提高了开关速度 ,使飞利浦LFPAK封装的MOSFET产品特别适用于企业计算等高频应用。小体积与卓越的热性能使功率损失降到最低 ,以帮助要求尽量减小产品体积的…