衰减相移掩模光刻技术研究

论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究,给出了光刻曝光实验部分结果,并与我刻方法作了比较。     

微光刻相移掩模技术研究

本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的清晰抗蚀剂图形 ,证明了相移掩模在提高光刻分辨率、延长光刻技术寿命以及推进光刻技术极限发展方面的优良性能     

边缘相移掩模技术

论述了边缘相移掩模的原理、制作方法和工艺步骤，并给出了一些实验结果。     

相移掩模方法及其一维数值模拟

相移掩模方法是一种新的光刻技术，它可以提高现有光刻设备的分辨率，使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理，用部分相干光成象理论分析了用于光刻的投影照相系统的成象特性，导出了一维成象的简化公式，对一维光栅结构进行了计算机数值模拟并给出了模拟结果。     

用于KrF准分子激光光刻的衰减相移掩模

讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法,利用自行设计、建立的KrF准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究,给出了实验结果,并与传统光刻方法作了比较.     

相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术

详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法、改善光刻图形质量的机理及邻近效应校正掩模的一些设计问题。     

用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术

用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相结合构成的混合掩模最适合用于193nmArF光刻,以产生100nm节点抗蚀剂图形。     

制作光纤光栅的相移掩模-双光束干涉曝光方法

介绍将无铬相移掩模技术和双光束干涉曝光技术用于制作纳米级图形光纤光栅的基本原 理和实验系统设计。提出一种用可移动反射镜使写入光束扫描固定在一起的相移掩模和光纤组合体制作光纤光栅的方法,既便于系统调整,增强曝光能量,又可方便制作高分辨力、长尺寸光纤光栅,无论是周期光栅,还是非周期光栅。     

部分相干因子σ及其在相移掩模（PSM）模拟软件中的应用

从Ｈｏｐｋｉｎｓ公式出发，分析部分相干因子σ的物理意义，同时主要讨论在建立相移掩软件中部分相干因子σ的应用。     

相移掩模和离轴照明在ArF浸没式光刻中对工艺窗口的影响

研究了交替型相移掩模及离轴照明对65nm分辨率ArF浸没式光刻的影响,在3／4环形照明和3／4四极照明方式下,分别选用传统掩模和交替型相移掩模,研究65nm线宽的密集线条、半密集线条、孤立线条在较大的曝光系统参数范围内,对光刻工艺窗口的改善。并对在不同的照明方式、掩模结构下获得的工艺窗口进行了比较,结果表明：①在较大焦深(DOF)范围内,满足光刻性能要求可以有较大范围的曝光系统参数配置;②相时于传统照明和传统掩模,采用交替型相移掩模或者离轴照明,焦深均可提高100％-150％。     

扩展傅里叶衍射理论在相移掩模中的应用

针对现代光刻中,超大教值孔径的情况下,通过简单的傅里叶衍射理论模拟掩模的传递函数的方法不够精确,必须得考虑倾斜照明带来的阴影效应.因此本文针对交替式相移掩模,提出了一种考虑阴影效应的近似模型.重新定义了阴影比率的公式.该方法是傅里叶衍射理论的扩展,是一种依赖于入射角的函数.分别给出了交替式相移掩模空间域和空间频率域的传递函数的表达式.并对提出的近似模型的衍射效率以及干涉场光强分布进行了仿真.结果表明,衍射效率和干涉场的强度分布是随着入射角的改变而改变的,不同线宽的衍射效率也不同.并且衍射效率是关于零度入射角对称分布.