复盖氧化膜的半绝缘 GaAs 表面处导电层的形成

当用烷氧基硅酸盐和磷酸盐在本征 GaAs 的表面上生长一层 SiO_2或磷硅玻璃(PSG)时,掺 Cr 的本征 GaAs 表面附近形成一薄的导电层。导电层的厚度随热处理的时间和温度的增加而增厚,此导电层为 n 型,其电子浓度和迁移率分别为1～2×10~(17)厘米~(-3)和2500厘米~2/伏·秒。归纳起来,导电层形成的原因是本征 GaAs 中补偿不希望的施主的 Cr 浓度,因它向氧化膜中扩散而浓度减小。用从石英溅射生成的SiO_2或 Si_3N_4复盖本征 GaAs 就可以避免形成这样的导电层,Cr 在本征 GaAs 中扩散系数的激活能为3.6电子伏。     

测定外延层电阻率的面接触方法研究

评论了美国科学家C.C. Allen等于1966年发表的“测定外延层电阻率的点接触方法”之论文的局限性,从而提出了本方法。本方法从理论上解一维Poisson方程并与C.C。Allen法的公式相比较,获得某些公式。文中导出了面接触方法雪崩击穿电压V_(Ba)~∞(V)及点接触方法雪崩击穿电压V_(Bp)~∞(V)的比值为V_(Ba)~∞=0.456;同时还导出了点接触方法外延层耗尽层宽度为t_(min p)(μm)和面接触方法外延层耗尽层宽度t_(mina(μm)的比值为t_(minp)/t_(mina)=2.565。在实践上,为证实两种模型的功能,利用两种探针进行了对比测试。一种是通常被采用的点接触锇尖探针:另一种是利用φ0.8±0.1mm的银针,在银针顶上吸上φ0.4±0.1mm的汞球,以实现面接触。理论和实验吻合良好。     

内导电石墨层的涂覆

介绍了内导电石墨层在黑白显像管中的作用、内导电石墨乳的组成及要求、涂覆工艺；降低高压跳火的方法及确定内导电石墨层尺寸的原则。     

采用常温CVD法淀积形成多层布线层间绝缘膜

一、前言VLSI必须采用多层布线技术。特别是在逻辑系列器件中，布线层数现已达到4层以上，这就要求布线更加微细、更加可靠。要解决应力迁移和电子迁移的问题。对于应力迁移最大问题是要降低层间绝缘膜生成后的残留应力和由于热循环而产生的热应力。本文介绍在以往难以采用的低温，特别是在常温下也能形成良好的SiO2系绝缘膜的常温CVD法以及在层间绝缘膜上的应用。二、以往的CVD技术以往，层间绝缘膜是采用等离子CVD法、光CVD法等淀积而成。但要得到优质的SiO2膜，衬底温度至少要达到300℃左右。近年来，已在广泛研讨采用有机硅化物…     

透明导电ITO欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管

提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺.在这个结构里,ITO还作为窗口层材料,增强电流扩展,并应用了高反射率的金属作为反光镜.用Au-Sn合金(Au∶Sn＝8∶2,重量比)作为焊料,把带有金属反光镜的AlGaInP LED(RS-LED)外延片倒装键合到GaAs基板上,并去掉外延GaAs衬底,把被GaAs衬底吸收的光反射出去.与常规AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有分布布拉格反光镜(DBR)的AlGaInP吸收衬底LEDs(DBR-AS-LED)电、光特性的比较,用透明导电ITO做欧姆接触的AlGaInP薄膜RS-LED结构能极大提高光输出功率和发光强度.正向电流20 mA时,RS-LED的光输出功率分别是AS-LED和DBR-AS-LED的2.4倍和1.7倍;RS-LED 20 mA下峰值波长624 nm的轴向光强达到了179.6 mcd,分别是AS-LED 20 mA下峰值波长627 nm和DBR-AS-LED 20 mA下峰值波长623 nm轴向光强的2.2倍和1.3倍.     

双层布线两层铝引线间的导通技术

讨论了IC的双层布线工艺中两层铝引线在接触孔处怎样才能形成良好的欧姆接触的问题。接触不好的主要原因是第一次铝引线上的氧化物造成的,因此必须(1)去除第一次铝引线上的自然氧化物;(2)提高蒸发二次铝时的真空度,防止再生氧化物形成。另外,通过热处理可改善接触;淀积二次铝时衬底加热,有利于接触的均匀完善,而且大孔比小孔接触好。     

基于多层脉冲神经网络的非接触液位检测方法

尽管基于深度学习的非接触液位检测方法能够较好地完成检测任务,但其对计算资源的较高要求使其不适用于算力受限的嵌入式设备。为解决上述问题,该文首先提出了基于多层脉冲神经网络的非接触液位检测方法;其次,提出了单帧和帧差脉冲编码方法将视频流时间动态性编码成可重构的脉冲模式;最后在实际场景中对模型进行测试。实验结果表明,所提方法具有较高应用价值。     

一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统

研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理,并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统(Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au).在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金温度和50～120 s合金时间下形成欧姆接触,在400℃、60 s下典型的欧姆接触值为2.1x10-7Ω·cm2,同时合金后表面形貌光滑、平整.     

三维导电目标电磁散射的高阶多层快速多极子方法

为进一步提高电大尺寸目标散射求解能力,采用了基于多层快速多极子方法的高阶方法.与低阶相比,该方法所需未知量数目大大减少,而计算精度不变,因而具有比传统多层快速多极子方法更高的计算效率.给出的典型计算结果充分说明了高阶多层快速多极子方法的高效性.     

具有半导电层同轴电缆的工作场强

在高压脉冲电缆中大部份在绝缘介质和导体之间有一层半导电层。半导电层的形式有涂胶体石墨,有绕包(金属化纸带,加碳黑纸带,半导电塑料带及橡胶带);有挤出(半导电塑料,半导电橡胶)等。其目的首先是均匀导体表面的场强,提高电缆耐电压水平。特别是在编织导体上半导电层能均匀导体尖端的高电场强度,使编织导体单线之间及编织层与绝缘介     

铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的形成方法

本工作研究了低温固相反应形成铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的方法。介绍了用磁控溅射方法淀积金属薄膜和溅射工艺过程应注意的问题及其对肖特基势垒特性的影响。讨论了Ｈ＿２气氛中退火以形成优良肖特基势垒接触的方法与实验结果。     

铂—镍硅化物／硅接触肖特基势垒的形成方法

本工作研究了低温固相反应形成铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的方法。介绍了用磁控溅射方法淀积金属薄膜和溅射工艺过程应注意的问题及其对肖特基势垒特性的影响。讨论了Ｈ２气氛中退火以形成优良肖特基势垒接触的方法与实验结果。     

电介质半空间两耦合线天线的时域积分方程法

直接从时域为两平行线天线受电磁脉冲激励的瞬态过程建模,建立了自由空间中、大地视为理想导体和有损媒质时两天线耦合的仅由矢量磁位表达的时域积分方程组,并用时域矩量法(MOM)结合时间步进算法(MOT)快速求解.针对实例的计算结果与文献结果吻合,从中可分析天线间距和离地高度变化时媒质对线上电流的影响规律.在三米法电波暗室的实验进一步验证了算法的有效性.     

Si基GaN材料寄生导电层的研究

通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得了击穿电压超过320V的Si基GaN HEMT功率电子器件。     

T-MPLS和MPLS域间互联的两类方法

T-MPLS与MPLS域间互联的问题一直是业界研究和讨论的热点问题.分别介绍了两种T-MPLS与MPLS域间互联互通的方法:基于EVC(以太网虚拟连接)技术的域间互联互通方法和基于应用于TMPLS域的伪线(Pseudowires)技术的域间互联互通方法.并在此基础上对这两类方法的优缺点进行了分析和比较.     

双屏频率选择表面中间电介质层对传输特性的影响规律

应用模式匹配分析技术,研究了中间加载电介质层的双屏Y孔单元频率选择表面(FSS)的电磁波传输特性.讨论了中间电介质层介电常数、厚度以及传输损耗值对双屏FSS结构的中心频率、传输带宽及传输损耗的影响规律.计算结果表明,双屏FSS中间加载的电介质层可以优化传输特性.     

大功率隔离变压器的代用方法

检修大屏幕彩电需要使用容量为150～200VA的大功率隔离变压器。但市场上常见的是容量为100VA、电压为220V/220V隔离变压器。本文介绍两种用价格低廉、质量可靠、容易购买的普通电源变压器,组合成大功率变压器代替隔离变压器的方法。一、用两只容量为100VA、电压     

两种线性隔离放大器的对比研究

介绍了一种由普通运算放大器LF353和普通光耦TLP521组成的线性隔离放大器的新型设计方案.说明了该放大器的电路结构.该放大器和AD公司的AD201AN相比,除了在性能上和集成模拟隔离放大器相近外,还具有电路结构简单、易于实现、造价低廉等优点.