提高晶体管稳态热阻测量精度的经验

简单论述了大功率MOS晶体管稳态热阻的测量原理，以及实现快速测量的必要途径，重点叙述了解决测量结果重复性的建议。     

提高晶体管稳态热阻测量精度的经验

简单论述了大功率MOS晶体管稳态热阻的测量原理,以及实现快速测量的必要途径,重点叙述了解决测量结果重复性的建议。     

大功率LED稳态热阻测试的关键因素

热阻值是衡量LED芯片和封装导热性能的主要参数,但在热阻的测试过程中时间、温度和电流等因素都会对结果造成直接影响,因此测试时应综合各种因素,透彻理解参数定义,根据相关标准灵活运用测试设备,以达到较高的测试精度和重复性.按照热阻测试步骤,详述影响其测试结果的因素,并提出较为准确的修正方法,设计了简单试验来验证测试结果是否符合理论分析.经试验证明,该测试方法可作为制定LED标准中的参考.     

改善晶体管稳态工作寿命试验方法的技术措施

1.引 言 晶体管稳态工作寿命试验是在给晶体管施加最大额定功率Ptotmax并在最高允许结温TJM下在规定时间内连续工作的可靠性试验项目。由此,可以了解器件在额定应力下的可靠性。国际标准、美国军用标准和我国有关标准都将其规定为必须的试验项目。本文将在分析现行试验方法所存在问题的基础,提出改善功率晶体管稳态工作寿命试验方法的技术措施——将直流连续工作改为连续脉冲工作。     

热阻的概念和测试方法

热阻是半导体器件的基本特性和重要参数指标，阐述了（稳态）热阻和瞬态热阻定的定义，热阻与电流的关系、附加热阻和平板形器件总热阻公式推导等概念。     

硅晶体管热阻测试系统

介绍了硅晶体管热阻测试原理，以及硅热阻测试系统的硬件和软件设计     

基于电学法的达林顿管稳态热阻测量方法研究

热阻是功率器件一个重要的热性能参数,影响着结温的高低,同时也用于确定器件结温以及功率器件的安全工作温度范围。每只器件热阻值由于工艺问题有一定偏差,由产品手册无法获得精确热阻值。从电学法测量结温原理出发,以达林顿管BDW47G为试验对象,测量并计算得到其温度系数M=-1.835 8 mV/℃。设计测量电路,并对测量中延迟时间造成的误差进行分析修正,得到达林顿管延迟时间为零时精确结温,最终获得达林顿管稳态热阻的测量计算方法。该方法有助于获得器件关键热性能参数,有助于老炼试验等对结温有要求的试验获得精确结温。     

大功率LED的热阻测量与结构分析

热阻的精确测量与器件结构分析是设计具有优良散热性能的大功率LED的前提。本文研究了大功率LED的光功率、环境温度和工作电流对热阻的影响规律,论述了积分式结构函数和微分式结构函数的推导过程及其主要性质,提出了大功率LED热阻的精确测量方法,并利用结构函数分析及辨识大功率LED器件的内部结构、尺寸、材料、制造缺陷和装配质量。     

准确测量大功率LED热阻的新方法

准确测量大功率LED的热阻,关键是准确地确定LED的结温增量.首先利用正向电压法获得LED的结温;通过测量LED的降温曲线,计算获得LED稳定工作时底座的温度,从而得到LED的结温相对底座温度的增量.然后,再与注入电功率相除,即可得到准确的热阻.与常规方法相比,避免了直接测量LED底座温度中界面热阻的影响,使得测量LED的热阻更加准确、方便.该方法还可以用于测量贴片封装LED等常规方法难以测量的LED以及用于分析大功率LED二次封装时引入的热阻,为评价大功率LED的封装质量提供了一种有效的评测手段.     

关于半导体器件热特性表征和控制技术的研究

根据对器件散热特性的分析,提出用特定脉宽的瞬态热阻抗表征器件的稳态散热特性.测量了特定器件热阻与温度的依赖关系,建议在实际工作中注意器件热阻并不为常数的客观事实.提出应力试验前后测量器件热阻可有效控制器件的某些制造缺陷.     

半导体功率发光二极管温升和热阻的测量及研究

通过电学测量方法得到了半导体功率发光二极管温升与热阻的加热响应曲线.曲线出现一个或多个台阶,反映了其内部的热阻构成与器件物理结构.同时采用遮光法对器件温升及热阻进行了修正.还应用瞬态加热响应原理对功率管的封装结构进行了监测.     

半导体功率发光二极管温升和热阻的测量及研究

通过电学测量方法得到了半导体功率发光二极管温升与热阻的加热响应曲线.曲线出现一个或多个台阶,反映了其内部的热阻构成与器件物理结构.同时采用遮光法对器件温升及热阻进行了修正.还应用瞬态加热响应原理对功率管的封装结构进行了监测.     

DC/DC变换器稳态建模的教学方法

本文介绍了一种为DC/DC变换器建立稳态模型,并利用稳态模型分析变换器的稳态工作特性的教学方法和研究思路。本方法所建模型既可以体现变换器的DC/DC变换功能,又可以包含变换器在稳态工作时的主要损耗。模型结构简单,运用简单的电路分析方法,就能够较为简便地得出直流变换器稳态工作时的主要电气特性。本文所介绍的建模方法是研究直流变换器稳态工作特性的有力工具,在教学研究中都具有较高的推广价值。     

扩散热阻对FR4/AlN复合材料导热性能的影响

首先,将AlN陶瓷表面金属化后分别切割成10 mm×10 mm×1.0mm、12 mm×12 mm×1.0 mm及15 mm×15 mm×1.0mm的方块,嵌入环氧树脂中制备成FR4/AlN复合材料;然后,利用SMT工艺将同款LED灯珠与上述内置三种不同尺寸AlN的复合基板材料组装成LED模组;最后,利用结温测试仪与半导体制冷温控台对三种LED模组分别进行了结温测试.同时,结合热仿真手段对复合材料水平面的温度分布情况进行了模拟研究.结果表明:上述三种尺寸陶瓷片对应LED的结温分别为96.95、92.94与91.81℃.热仿真结果显示,陶瓷片尺寸通过界面热阻对扩散热阻产生影响,增大陶瓷片尺寸有助于降低扩散热阻,进而改善FR4/AlN复合材料的整体散热性能.     

小封装二极管的热阻测试

随着封装体积的减小,半导体分立器件引线的外露部分也越来越小,这给引线温度的测试带来了巨大挑战.以封装外形为SOD-123FL的小电流整流二极管为例,介绍了结到引线的热阻和结到环境的热阻的测试方法.通过测量焊接于引线端部的小尺寸二极管芯片以及被测样品在不同温度下的热敏电压,实现了对小封装器件的引线温度和二极管本身结温的精密测量.     

热透镜效应对固体激光器输出影响研究

对含热透镜的固体激光器谐振腔进行理论分析,得到等效谐振腔的G参数,分析讨论G参数随泵浦功率的变化,给出了不同腔型输出功率的变化情况.采用TmYAP激光器作为研究对象,由实验验让了不同腔型激光输出功率的变化,得出对平平腔固体激光器而言,短腔适合高功率输出的结论.     

正弦稳态电路功率问题

正弦稳态电路功率的分析比较复杂,本文介绍了求解这些电路时遇到的问题,强调了表示电压相量的电流相量数学关系式的应用。     

半导体器件贮存可靠性快速评价方法

为解决复杂环境下半导体器件的贮存可靠性评估问题,结合半导体器件的贮存失效机理及其寿命-应力模型,提出了基于多贮存应力加速寿命试验的半导体器件贮存可靠性评估方法。在此基础上,以某款中频对数放大电路为研究对象,通过对加速寿命试验结果的分析,获得了电路在规定贮存时间下的可靠度。