光电耦合器总剂量辐照的噪声表征

 本文在研究光电耦合器工作原理、辐照理论及1/f噪声理论的基础上,分析了光电耦合器辐照噪声产生机理及特性,建立了光电耦合器总剂量辐照损伤噪声模型.研究结果表明,随着辐照总剂量增强, LED及光敏管氧化层中引入的氧化层陷阱密度增多,载流子数涨落增强,从而使电压噪声功率谱密度增加.实验结果验证理论分析的正确性,电压噪声功率谱密度可作为光电耦合器辐照损伤表征参量.     

光电探测器的电噪声及其应用

电噪声检测方法正在成为一种无损的电子器件可靠性表征手段,而人们对其在光电探测器方面应用的研究还较少.本文在总结光电探测器电噪声类型及产生机理的基础上,分析了光电探测器与电噪声相关的各项性能参数.电噪声不仅是影响光电探测器性能的重要物理量,而且与光电探测器材料缺陷、界面缺陷及深能级陷阱存在相关性.构造的适当噪声参量可以表征光电探测器中的上述缺陷.与电噪声相关的缺陷往往是导致器件失效的因素,借鉴电噪声用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管质量和可靠性表征的方法,本文提出了电噪声在表征光电探测器质量和可靠性方面的应用.     

40GPIN/TIA光电探测器接收组件的噪声分析

从理论上分析了40GPIN/TIA的各种噪声源,并通过各个噪声源产生噪声的机理,推导出了各种噪声的计算公式,从而可量化探讨探测器组件的噪声.根据仪器性能,采用测试噪声功率测试方法,对光电探测器接收组件的噪声进行了测试,测试结果与理论能很地好吻合.     

光电探测器噪声特性分析

光电探测器输出信号的真实性和稳定性是衡量其工作性能的重要指标.分析光电探测器的输出噪声,对提高器件工作性能的研究具有指导意义.针对光电探测器不同的噪声来源,从光电探测器噪声产生机理上全面分析了其输出噪声,给出了几种噪声电流的理论计算关系,为进一步研究光电探测器的噪声特征打下了一定的基础.     

光电探测器噪声分析及降低噪声的方法

探讨了光电探测器的噪声，分析了光电探测器的噪声电压、噪声电流的影响因素，并提出了解决的方法。根据探测器噪声影响因素，分析了普通检测电路存在的不足，设计了一种优化检测电路，通过减小电路带宽，减少噪声，从而提高系统的信噪比，增强探测器的探测能力。     

电子器件可靠性的噪声表征方法

随着电子器件朝着高性能、小尺寸和长寿命方向发展,传统的寿命试验可行性评价方法的局一日益显著。近年来得到的大量研究结果表明,对于大多数电子器件,噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映,噪声检测方法以其灵敏、普适、快速和非破坏性的突出优点,正在发展成为一种新型的电子器件可靠性表征工具。本文对该领域目前的研究进展做了概括性的评述。     

光电探测器的量子噪声特性研究

光电探测器在高新技术领域有着广泛应用,量子噪声是光电探测器的一个主要噪声源,它影响和决定着探测的灵敏度,在误差分析中是一个重要的因素.讨论了噪声与误差的联系与区别.在分析量子噪声来源的基础上,用实验验证了光电探测器一次光电子发射的概率满足泊松分布律,但倍增的光电子发射概率由于倍增噪声而不再遵守泊松分布律.引入噪声比例因子来描述和处理光电探测器的误差.     

光电探测器读出噪声分析方法

空间科学领域广泛应用多种类型光电探测器对探测目标的各个谱段进行精密测量。本文主要研究了光电二极管的等效电路模型和读出电路设计方案,给出了读出噪声分析方法,并且计算了光电二极管读出电路的输出噪声和等效输入电流噪声。     

光电探测器噪声分析及降低噪声的方法

本文探讨了光电探测器的噪声,分析了光电探测器的噪声电压、噪声电流的影响因素,并提出了解决的方法.根据探测器噪声影响因素,分析了普通检测电路的存在的不足,设计了一种优化检测电路,通过减小电路带宽,减少噪声,从而提高系统的信噪比,增强探测器的探测能力.     

电子器件可靠性的噪声表征方法

随着电子器件朝着高性能、小尺寸和长寿命方向发展，传统的寿命试验可靠性评价方法的局限性日益显著，近年来得到的大量研究结果表明，对于大多数电子器件，噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映，噪声检测方法以其灵敏、普适、快速和非破坏性的突出优点，正在发展成为一种新型的电子器件可靠性表征工具，本文对该领域目前的研究进展做了概括性的评述。     

MTM反熔丝单元的总剂量效应研究

对单个MTM(Metal-to-Metal)反熔丝单元的总剂量辐照效应进行了研究,模拟可编程器件实际应用环境,通过对不同尺寸、不同状态的MTM反熔丝单元在不同的偏置情况下进行总剂量辐照(总剂量达2 Mrad(Si)),得到MTM反熔丝单元关键参数随总剂量的变化情况。通过实验及数据分析,最终得到结论:MTM反熔丝单元不会因总剂量辐照而发生状态翻转。     

总剂量效应对CMOS图像传感器中光电二极管钳位电压的影响

钳位电压(Vpin)是影响CMOS图像传感器(CIS)中钳位光电二极管(PPD)电荷转移效率和满阱电荷容量的关键物理量.在辐照条件下,Vpin受辐射总剂量(TID)增加而升高,因此研究其机理对抗辐照CIS的设计有重要意义.文章利用TCAD仿真软件分析了 CIS器件的电学特性,研究了 Vpin受TID影响的机理.结果表明,当辐照引起的氧化物陷阱电荷浓度达到3×1016 cm-3时,浅沟槽隔离(STI)附近的耗尽区将PPD中的pin层与地极电学隔离,从而导致pin层电势易受到传输晶体管TG沟道电势影响而增加,使得相同电子注入条件下PPD可存储的电子增多,复位所需电压增大,导致Vpin随着辐射总剂量增加而增大.     

基于噪声奇异性的光耦器件爆裂噪声检测新法

为了准确客观地检测出爆裂噪声的存在,提出了基于噪声信号奇异性的光耦器件爆裂噪声检测方法.通过对光耦器件噪声样本的计算发现,含有大量爆裂噪声的样本,其平均H(o)lder指数接近于0,反映到局部奇异性指数分布直方图中,其最可几率所对应的h值也在0值附近.而不合爆裂噪声的样本平均H(o)lder指数则在-0.3附近.实验证实了奇异性检测方法可以明晰地区分良品组与次品组光耦器件.噪声奇异性参数可以作为爆裂噪声是否存在的客观依据.     

一种新型的噪声源模块的设计分析

针对模拟宽带放大器本身的热噪声具有高斯白噪声的特点,提出了一种基于模拟宽带放大器的噪声源模块的设计方法。介绍了该方法的设计方案,详细论述了设计中需要解决的问题以及解决方法,分析了设计中的关键技术。对噪声模块输出的噪声进行了测试,并对测试结果进行了分析。测试结果表明该方法产生的噪声信号具有良好的高斯白噪声的特性。     

基于退化量分布的高量程MEMS加速度计的可靠性评估

高量程MEMS微加速度计主要应用于航空、航天及军工等高可靠性要求的惯导领域。为了更好进行微加速度计的可靠性寿命预测,提出一种基于退化量分布,以实验数据拟合推导出分布模型参数的变化关系从而更加准确的评估微加速度计的可靠性寿命。实验研究结论表明采用新的评估方法能够获得更准确的微加速度计可靠性预测。     

总剂量辐射下几何尺寸对8型栅NMOS的影响研究

对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究.研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关态漏电流的影响相比直栅可以忽略不计;任一几何尺寸8型栅NMOS饱和漏极电流在不同辐射总剂量下相比直栅有着良好的稳定性.同时,小宽长...     

一种低功耗、宽变增益范围、极小噪声恶化的1.45GHz LNA

给出了一种新型的低噪声放大器的变增益方案.与传统的噪声恶化很严重的低噪声放大器变增益方案相比,该方案以3dB为步长,可以得到25dB的变增益范围,并且在低增益时的噪声恶化只有0.3～0.5dB.此外,这种变增益方案与传统方案相比,还有不需要额外功耗的优点.     

一种低功耗、宽变增益范围、极小噪声恶化的1.45GHz LNA

给出了一种新型的低噪声放大器的变增益方案.与传统的噪声恶化很严重的低噪声放大器变增益方案相比,该方案以3d B为步长,可以得到2 5 d B的变增益范围,并且在低增益时的噪声恶化只有0 .3～0 .5 d B.此外,这种变增益方案与传统方案相比,还有不需要额外功耗的优点     

SMV噪声抑制模块的分析和改进

介绍了可选模式声码器（SMV）算法的噪声抑制模块的原理,结合实例对该模块降噪的不足进行了分析。针对这些不足,结合谱减法的特点提出了改进方法。测试表明,所提出的改进算法能达到较好的降噪效果。     

数字T/R组件噪声系数测量

系统性地讨论了数字T/R 组件噪声系数的测量方法。详细分析了Y 因子法、冷源法的系统误差来源,给出了推导过程及修正方法。系统误差主要来自于环境温度对噪声源以及矩阵开关、测试电缆等陪试品的影响。定量分析了随机误差与I/Q 数据点数的关系。提出了电磁干扰环境下测量噪声系数的测试建议。提出的测量方法及修正方法可广泛应用于相控阵雷达数字T/R 组件噪声系数的测试。