深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

光纤同步网讲座（六）：SDH／SONET网络建设与管理

文章首先概述了ＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ网络的规划原则和电信管理网原理结构，接着着重论述了ＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ网络结构与管理、ＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ管理信息模型以及ＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ管理网络的主要功能，最后给出ＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ网络管理平台的一般组成，指出它是扩大管理能力，实现智能化网络的保证。     

ISODE会晤层剖析

ＩＳＯＤＥ是国际ＩＳＯＤＥＣｏｎｓｏｒｔｉｕｍ研制和发行的ＯＳＩ网络系统软件包。会晤层是面向信息处理的ＯＳＩ应用层和面向数据传输的ＯＳＩ运输层之间的接口，是结构化通信的基础平台。作者完整地剖析了ＩＳＯＤＥ会晤层源代码，总结其设计方法和实现结构，并描述了部分会晤层服务功能的处理流程。研究和分析ＩＳＯＤＥ会晤层的实现对自主开发ＯＳＩ网络软件有重要的借鉴和指导作用。     

α—Fe2O3薄膜的制备,结构和气敏特性

采用等离子增强化学气相淀积工艺（ＰＥＣＶＤ）制备出了Ｆｅ２Ｏ３薄膜，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度，研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤倔和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度，共检测下限可达１ｐｐｍ，而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感，具有优良的选择性。     

Nd：YAG 1064nm激发的氨基酸系列的近红外表面增强拉曼散射（NIR—SERS）

通过制备适合于增强近红外区激发ＳＥＲＳ的银纳米基底，采用Ｎｄ：ＹＡＧ的１０６４ｎｍ作为激发光源，对二十种蛋白质氨基酸分子的结构进行了全面系统的ＮＩＲ－ＳＥＲＳ研究。同时据此对氨基酸分子系列进行分类研究，讨论了进一步提高其ＮＩＲ－ＳＥＲＳ灵敏度的方法。结果表明，由于各类氨基酸分子的结构不同，获得其ＮＩＲ－ＳＥＲＳ光谱的方法也不同。     

Si1-xGex/Si多层异质外延结构的研究

对制作的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多层异质外延结构进行了研究。并对其做了反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扩展电阻（ＳＲ）等测量，给出了利用这种结构研制出的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的输出特性曲线。     

Si(5,5,12)——一个大元胞的稳定表面

利用常规的ＬＥＥＤ和高分辨率的ＳＰＡ－ＬＥＥＤ技术研究了标称（３３７）的Ｓｉ表面原子结构．经过反复的离子轰击（７００ｅＶＡｒ＋）和１３００Ｋ退火之后的这种表面形成稳定的（５，５，１２）晶面，即结构周期为（３３７）＋（２２５）＋（３３７）的有序的原子排列．这一事实说明：Ｓｉ（５，５，１２）是比Ｓｉ（３３７）更为稳定的晶面．ＬＥＥＤ和ＳＰＡ－ＬＥＥＤ图像证实，稳定的Ｓｉ（５，５，１２）表面为（２×１）原子再构，即沿［１１０］方向的周期是体内结构周期的两倍，而沿［６６５］方向的周期与体内结构周期相同．     

ADSL的操作和维护

阐述了ＡＤＳＬ中ＥＯＣ的功能，ＥＯＣ帧结构，ＥＯＣ命令，以及ＥＯＣ协议，对在ＡＤＳＬ数据帧中插入ＥＯＣ帧这一问题也进行了讨论。     

CMOS电路芯片ESD保护电路设计技术的发展

本文简要地回顾了ＣＭＯＳ电路芯片上ＥＳＤ保护电路设计技术发展概况，给出了在中小规模、大规模及超大规模各阶段的ＣＭＯＳ电路芯片上ＥＳＤ保护电路的主流技术，双寄生的ＳＣＲ结构ＶＬＳＩ ＣＭＯＳ芯片上ＥＳＤ保护电路的最新设计技术，就其ＥＳＤ保护原理、设计技术及取得的成果做了较详细分析和探讨。对于研制高密度、高速度的ＶＬＳＩ ＣＭＯＳ电路。开展高ＥＳＤ失效阈值电压，小几何尺寸及低ＲＣ延迟时间常数保护电路的     

电子数据交换（EDI）—原理,实现和网络组织结构

本文介绍了电子数据交换（ＥＤＩ）的概念、原理以及在消息处理系统（ＭＨＳ）通信平台上的实现过程；讨论了为在中国现有条件下实现ＥＤＩ，对ＥＤＩ通信平面的开放性要求以及网络组织结构的形式，并对ＥＤＩ的服务组织结构提出了自已的看法。     

分析卤化银微晶的EDS方法探讨

本文探讨了用Ｘ射线能谱仪（ＥＤＳ）分析卤化银微晶的空间分辨率和吸收修正问题。对ＳＥＭ－ＥＤＳ和ＳＴＥＭ－ＥＤＳ两种不同分析模式的空间分辨率进行计算，表明ＳＴＥＭ－ＥＤＳ是研究单个卤化银微晶内碘的含量及分布的有效方法。并对定量分析数据和吸收修正参数进行了讨论，结果证明微晶不同区域厚度的差异，对碘含量的定量测定的影响可以忽略。     

ADSS光缆若干问题探讨

本文讨论了ＡＤＳＳ光缆技术,包括ＩＥＥＥ－Ｐ１２２２草案,ＡＤＳＳ光缆结构、工艺及性能,并简介了ＡＤＳＳ光缆的一些实验结果。     

网络操作系统（下）

网络操作系统（下）张保栋六、Ｎｅｔｗａｒｅ的结构Ｎｅｔｗａｒｅ的核心处于文件ＳＥＲＶＥＲ．ＥＸＥ中。为了加载ＮＯＳ，你可从ＤＯＳ上运行这个程序。我们知道，重要文件都保存在硬盘的ＤＯＳ分区中。服务器程序从ＤＯＳ上运行之后，Ｎｅｔｗａｒｅ便将处理器从实时...     

SDH SMS－150

ＳＤＨＳＭＳ－１５０同步数字系列（ＳＤＨ）网的通信基础结构已在发达国家的ＣＥＰＴ相关市场中进入引入阶段，即使在发展中国家的这一市场中，ＳＤＨ也格外令人关注。ＮＥＣ已认识到这一市场动态，并开发了ＳＤＨ产品。ＮＥＣ的产品体系都以用户化联网平台（ＣＮＰ）的...     

EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

用SEM研究高聚物的微观形态结构

用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）,对ＨＤＰＥ／ＣａＣＯ３填充高聚物、ＰＰ／ＥＰＤＭ高聚物共混物和ＰＡ／ＣＦ增强复合材料的微观结构形态进行了研究,并分析了各材料的改性机理,证明了ＳＥＭ技术在高分子多相体系的形态结构、界面状况、损伤机制及材料性能预测等研究中发挥着重要作用。     

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟约１００ｐｓ、单门功耗约１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路，且Ｅ／Ｅ型电路较Ｅ／Ｄ型电路具有更高的成品率。     

MBE生长的PM—HEMT结构中深电子陷阱及其钝化／消除

应用ＤＬＴＳ、ＳＩＭＳ和ＰＬ技术详细研究ＭＢＥ生长的ＰＭ－ＨＥＭＴ结构中深能级。样品的ＤＬＴＳ谱表明在ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱，其能级位置分别位于导带下的０．６４ｅＶ和０．７９ｅＶ处。ＳＩＭＳ和ＰＬ谱表明深电子陷阱与ＡＬＧａＡｓ层时原氧含量和光致发光（ＰＬ）响应有直接的联系，它们影响ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的电性能，应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理，     

Si_(1-x)Ge_x/Si多层异质外延结构的研究

对制作的 Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多层异质外延结构进行了研究。并对其做了反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扩展电阻（ＳＲ）等测量,给出了利用这种结构研制出的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的输出特性曲线。