共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
文章首先概述了SDH/SONET网络的规划原则和电信管理网原理结构,接着着重论述了SDH/SONET网络结构与管理、SDH/SONET管理信息模型以及SDH/SONET管理网络的主要功能,最后给出SDH/SONET网络管理平台的一般组成,指出它是扩大管理能力,实现智能化网络的保证。 相似文献
4.
ISODE是国际ISODEConsortium研制和发行的OSI网络系统软件包。会晤层是面向信息处理的OSI应用层和面向数据传输的OSI运输层之间的接口,是结构化通信的基础平台。作者完整地剖析了ISODE会晤层源代码,总结其设计方法和实现结构,并描述了部分会晤层服务功能的处理流程。研究和分析ISODE会晤层的实现对自主开发OSI网络软件有重要的借鉴和指导作用。 相似文献
5.
α—Fe2O3薄膜的制备,结构和气敏特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用等离子增强化学气相淀积工艺(PECVD)制备出了Fe2O3薄膜,用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度,研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤倔和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度,共检测下限可达1ppm,而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感,具有优良的选择性。 相似文献
6.
通过制备适合于增强近红外区激发SERS的银纳米基底,采用Nd:YAG的1064nm作为激发光源,对二十种蛋白质氨基酸分子的结构进行了全面系统的NIR-SERS研究。同时据此对氨基酸分子系列进行分类研究,讨论了进一步提高其NIR-SERS灵敏度的方法。结果表明,由于各类氨基酸分子的结构不同,获得其NIR-SERS光谱的方法也不同。 相似文献
7.
8.
利用常规的LEED和高分辨率的SPA-LEED技术研究了标称(337)的Si表面原子结构.经过反复的离子轰击(700eVAr+)和1300K退火之后的这种表面形成稳定的(5,5,12)晶面,即结构周期为(337)+(225)+(337)的有序的原子排列.这一事实说明:Si(5,5,12)是比Si(337)更为稳定的晶面.LEED和SPA-LEED图像证实,稳定的Si(5,5,12)表面为(2×1)原子再构,即沿[110]方向的周期是体内结构周期的两倍,而沿[665]方向的周期与体内结构周期相同. 相似文献
9.
阐述了ADSL中EOC的功能,EOC帧结构,EOC命令,以及EOC协议,对在ADSL数据帧中插入EOC帧这一问题也进行了讨论。 相似文献
10.
赵近 《电子产品可靠性与环境试验》1995,(1):14-20,6
本文简要地回顾了CMOS电路芯片上ESD保护电路设计技术发展概况,给出了在中小规模、大规模及超大规模各阶段的CMOS电路芯片上ESD保护电路的主流技术,双寄生的SCR结构VLSI CMOS芯片上ESD保护电路的最新设计技术,就其ESD保护原理、设计技术及取得的成果做了较详细分析和探讨。对于研制高密度、高速度的VLSI CMOS电路。开展高ESD失效阈值电压,小几何尺寸及低RC延迟时间常数保护电路的 相似文献
11.
本文介绍了电子数据交换(EDI)的概念、原理以及在消息处理系统(MHS)通信平台上的实现过程;讨论了为在中国现有条件下实现EDI,对EDI通信平面的开放性要求以及网络组织结构的形式,并对EDI的服务组织结构提出了自已的看法。 相似文献
12.
本文探讨了用X射线能谱仪(EDS)分析卤化银微晶的空间分辨率和吸收修正问题。对SEM-EDS和STEM-EDS两种不同分析模式的空间分辨率进行计算,表明STEM-EDS是研究单个卤化银微晶内碘的含量及分布的有效方法。并对定量分析数据和吸收修正参数进行了讨论,结果证明微晶不同区域厚度的差异,对碘含量的定量测定的影响可以忽略。 相似文献
13.
14.
15.
16.
EEPROM单元结构的变革及发展方向 总被引:3,自引:2,他引:3
扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)发展史上的各种结构如FAMOS、MNOS、SIMOS、DIFMOS、FETMOS(FLOTOX)等,比较了它们的优缺点,着重论述了EEPROM结构今后的变革方向。 相似文献
17.
用SEM研究高聚物的微观形态结构 总被引:5,自引:1,他引:4
用扫描电子显微镜(SEM),对HDPE/CaCO3填充高聚物、PP/EPDM高聚物共混物和PA/CF增强复合材料的微观结构形态进行了研究,并分析了各材料的改性机理,证明了SEM技术在高分子多相体系的形态结构、界面状况、损伤机制及材料性能预测等研究中发挥着重要作用。 相似文献
18.
直接耦合场效应逻辑(DCFL)具有简单的结构、良好的速度/功耗性能,是GaAsFETLSI电路中一种重要的逻辑形式。传统E/D型DCFL电路具有较低的成品率和较差的温度特性,本文研究了改进的E/E型DCFL电路。对E/D、E/E型DCFL电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较,E/E逻辑具有良好的高温性能。经优化设计,最后制作出单门延迟约100ps、单门功耗约1mW的E/D和E/E型DCFL电路,且E/E型电路较E/D型电路具有更高的成品率。 相似文献
19.
应用DLTS、SIMS和PL技术详细研究MBE生长的PM-HEMT结构中深能级。样品的DLTS谱表明在PM-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱,其能级位置分别位于导带下的0.64eV和0.79eV处。SIMS和PL谱表明深电子陷阱与ALGaAs层时原氧含量和光致发光(PL)响应有直接的联系,它们影响PM-HEMT结构的电性能,应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理, 相似文献