共查询到19条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
微波二极管变频器的频域分析 总被引:2,自引:1,他引:1
本文采用频域延拓交调波平衡法(FDCIBM)分析微波二极管变频器,讨论了本振(LO)和中频(IF)(或LO和射频(RF))输入均为大信号时的变频器分析,推导了上,下变频器统一的频域交调波平衡方程,并给出了一个微波巴伦二极管上变频器的分析和测量结果。 相似文献
2.
微波上变频器是雷达、通讯等电子设备不可缺少的部件,其电路种类繁多、较为复杂。工作于厘米波段的上变频器,目前多采用微波集成电路,用氧化铝陶瓷做为电路基片,用半导体二极管或双极晶体管的非线性进行变频,用微带网络进行匹配,用微带滤波器进行滤波,有的还采用平衡型电路,进一步提高隔离度。这些电路结构复杂,研制周期较长,成本较高。有少数文献报道了用双栅场效应管制成的上变频器,但只介绍了性能和电原理图,没有介绍电路细节,效率 相似文献
3.
首次对微波接收机的相噪进行了理论建模,并提 出了一种基于光子技术的新型微波接收机,该接收机采用微波光子 链路来代替电缆,使用光电振荡器代替电子振荡器来作为本振源,并基于上述理论模型分析 了该种接收机较传统电子式接收 机在相噪指标上的优越性。让10 GHz载波信号分别通过电、光两种接 收机,对比输出信号的相噪情况,实验结果表明:通 过传统电子接收机接收后,载波信号相噪在1kHz频偏增加了30 dB; 而对于本文所提新型光子式接收机,载波信号相噪在 1kHz频偏仅增加10 dB,说明了该种新型接收机在集成了微波光子链 路与光电振荡器两种新型光子技术后,相噪指标得到了显著提高。 相似文献
4.
该文介绍了一种工作于毫米波频段的宽中频(IF)下变频器.该下变频器基于无源双平衡的设计架构,片上集成了射频(RF)和本振(LO)巴伦.为了优化无源下变频器的增益、带宽和隔离度性能,电路设计中引入了栅极感性化技术.测试结果表明,该下变频器的中频带宽覆盖0.5~12?GHz.在频率为30?GHz、幅度为4?dBm的LO信号... 相似文献
5.
为了获得一种体积小、重量很轻的微波合成器,已研制了两种新型多功能单片GaAs MMIC和LSI。MMIC(单片微波集成电路)包括压控振荡器、双输出缓冲放大器、平衡一不平衡变换器和动态/静态预定标器。为了把这些功能集成在一个单片上,利用一种单面MMIC结构,就使每个电路的尺寸大大减小。LSI(大规模集成电路)包括双模预定标器、可编程计数器和相位/频率比较器。通过将这两个单片并入到一个结构上,一种Ku波段微波合成器便成功地制造在一个11×23mm~2的平面封装内。 相似文献
6.
7.
8.
1 卫星电视下变频器 (高频头 )的作用卫星电视低噪声下变频器又称为高频头 (也称卫星电视的室外单元 ) ,它是由微波低噪声放大器 ,微波混频器 ,第一本振和第一中频前置放大器组成 ,其框图如图 1所示。图 1 高频头的原理框图一般的卫星电视接收系统主要包括 :(1)天线 ;(2 )馈源 ;(3)低噪声下变频器 ,也称为高频头 (是由低噪声放大器与下变频器集成的组件 ) ,用LNB表示 ;(4 )电缆线 ;(5)端子接头 ;(6 )卫星接收机 ;(7)电视接收机。卫星电视接收系统框图如图2所示。由于卫星电视接收系统中的地面天线接收到的卫星下行微波信号经过约 4 0 0… 相似文献
9.
结合混合微波集成电路(HMIC)工艺和砷化镓单片微波集成电路(MMIC)工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器.采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性.由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,低噪声放大器单片的输入匹配采用外部金丝键合线匹配,有效降低了低噪声放大器单片的噪声系数.限幅器采用混合集成工艺制成,能够耐受较大功率.利用微波仿真软件,设计制作了兰格(Lange)电桥、限幅电路和低噪声放大器输入匹配等电路.最终产品尺寸仅为22 mm×16 mm×6 mm,在2.7~3.5 GHz内增益27 ~ 28 dB,噪声系数小于1.3 dB,驻波比小于1.3,该平衡限幅MMIC低噪声放大器可承受功率超过200 W、占空比为15%的脉冲功率冲击. 相似文献
10.
《电子产品世界》2017,24(6)
近日,ADI推出双平衡混频器LTC5553,该器件在3GHz至20GHz范围内提供高带宽匹配能力,可用作上变频器或下变频器.LTC5553在14GHz时提供出色的23.9dBm IIP3线性度,在17GHz时线性度为21.5dBm.该器件集成了一个仅需要0dBm输入驱动的LO缓冲器,因此,实际上不再需要外部大功率LO放大器电路.此外,LTC5553芯片上集成了宽带平衡-不平衡转换器.所有端口在各自规定的频率范围内都以单端、50Ω匹配模式运行.该混频器具有出色的端口至端口隔离度,在17GHz时LO至RF泄漏为-32dBm,因此,降低了外部滤波要求.所有这些特点都使得能够大限度减少外部组件、简化设计,并提供尺寸非常小的解决方案. 相似文献
11.
A low cost high isolation sub-harmonic microwave up-converter is designed using a substrate integrated waveguide (SIW). By employing the cutoff mode concept of SIW, the up-converter has effectively suppressed the output components of local oscillator (LO) frequency and image frequency. Experimental results show an additional 50 dB isolation is achieved with the SIW. 相似文献
12.
13.
This paper presents the design and implementation of Ka band broadband hybrid integrated image rejection mixer with a fourth harmonic mixer as unit mixer. Detailed design and analysis have been carried out. The mixer was fabricated by hybrid microwave integrated circuit (HMIC) process based on the thin film ceramic substrate which can reduce the cost compared to monolithic microwave integrated circuit (MMIC). The measured results showed conversion loss less than 11.2 dB and image rejection ratio (IRR) more than 20 dB in 4 GHz RF bandwidth. It can also play the role of up-converter from the test data. 相似文献
14.
《Microwave Theory and Techniques》1984,32(7):679-683
The performance of the K-band balanced FET up-converter is described. A novel circuit configuration effective in enhancing conversion gain in the FET up-converter is proposed. An analysis using a simplified circuit model shows the effect of LO feedback in the balanced circuit. A conversion gain of 0.9 dB was experimentally obtained at 20 GHz. Maximum output power was 15.9 dBm. 相似文献
15.
An up-converter with gain and stabilized frequency can be realized through the sideband locking of an IMPATT oscillator. An up-converter with a gain of 13.3 dB (microwave to microwave) and an output power of 13.3 dBm over the bandwidth 30 MHz is realized and operated at 10.18 GHz. 相似文献
16.
文中介绍了一种应用于宽带无线接入系统发射机的K波段单平衡上变频器的设计方法,并给出了仿真结果和电路版图。电路选用Alpha公司的砷化镓肖特基势垒二极管,采用易于实现的环形电桥结构。通过在环形电桥的一个端口附加45。相移实现了上边带单平衡混频,变频损耗小于6dB,三阶交调系数为39dB,输入1dB压缩点为10dBm。整个电路具有低成本、低变频损耗的特点。 相似文献
17.
Madihian M. Desclos L. Maruhashi K. Onda K. Kuzuhara M. 《Microwave Theory and Techniques》1998,46(7):1003-1006
This paper deals with the design considerations, fabrication process, and performance of coplanar waveguide (CPW) heterojunction FET (HJFET) down- and up-converter monolithic microwave integrated circuits (MMIC's) for V-band wireless system applications. To realize a mixer featuring a simple structure with inherently isolated ports, and yet permitting independent port matching and low local oscillator (LO) power operation, a “source-injection” concept is utilized by treating the HJFET as a three-port device in which the LO signal is injected through the source terminal, the RF (or IF) signal through the gate terminal, and the IF (or RF) signal is extracted from the drain terminal. The down-converter chip incorporates an image-rejection filter and a source-injection mixer. The up-converter chip incorporates a source-injection mixer and an output RF filter. With an LO power and frequency of 7 dBm and 60.4 GHz, both converters can operate at any IF frequency within 0.5-2 GHz, with a corresponding conversion gain within -7 to -12 dB, primarily dominated by the related filter's insertion loss. Chip size is 3.3 mm×2 mm for the down-converter, and 3.5 mm×1.8 mm for the up-converter 相似文献
18.