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实验室质量保证与数据准确可靠（中） 总被引：1，自引：0，他引：1
三、质量评定技术 实验室的质量体系与企业的质量体系最大的区别在于技术能力的要求，实验室质量体系的有效性最终体现在测量能力和其可靠性上。因此，在测量过程中，对输出数据的质量进行技术评定是实验室质量管理的重要工作。质量评定技术是为确定输出数据的质量而对测量过程实施的监督。ＩＳＯ／ＩＥＣ１７０２５标准的５．９、５．４．５．２注２（ＩＳＯ／ＩＥＣ导则２５中 ５．６）、ＩＳＯ １００１２－２给出了其评定的基本要求。图１列出了可能采用的方法，ＩＳＯ５７５２给出了其中若干方法的具体步骤。用一组已知或未知成分的稳… 相似文献
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２校准和检测实验室质量保证要求许多国家采用ＩＳＯ／ＩＥＣ导则２５作为实验室建立质量体系和确认实验室能力的依据。经济合作与发展组织（ＯＥＣＤ）制订的优秀实验室工作规范（ＧＬＰ）和国际标准化组织分布的ＩＳＯ９０００系列标准对实验室能力也提出有关要求。实验... 相似文献
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根据国际标准化组织（ＩＳＯ）与国际电工委员会（ＩＥＣ）的有关规定，实验室一般分为校准实验室、检定实验室、检测实验室和检验实验室。这些实验室按其从事工作的领域分别具有各自的特点。ＩＳＯ／ＩＥＣ有关导则规定，所谓校准（ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ）是指：“在规... 相似文献
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ＩＳＯ／ＩＥＣ导则６６《环境管理体系评审和注册机构的通用要求》于１９９９年７月底发布,它是作为现行的ＩＳＯ／ＩＥＣ导则６２∶１９９６《对质量管理体系认证机构通用要求》的类似文件。这两个导则都是由ＩＳＯ合格评定委员会（ＩＳＯ／ＣＡＳＣＯ）制定的。为了满足不断增多的ＩＳＯ１４００１认证活动的需要,ＣＡＳＣＯ制定了导则６６,这是其在环境管理领域制定的第一个文件。除了工作组的代表之外,导则６６还吸收了ＩＳＯ／ＴＣ１７６（质量管理和质量保证技术委员会）、ＩＳＯ／ＴＣ２０７（环境管理技术委员会）和ＩＡＦ… 相似文献
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利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＴｉＮ／ｎ－ＧａＡｓ体系。ＳＩＭＳ结果表明，退火后Ｔｉ的浓度剖面向胂化镓衬底略有移动，Ｎ则基本救济为；ＤＬＴＳ观察到的Ｅｃ＝０．２１ｅＶ处的Ｔｉ＾３＋＊３ｄ）／Ｔｉ＾３＋（３ｄ＾２）单受主中心，但其浓度较ＥＬ２要小得多。根据实验结果，探讨了退火后难熔金属氮化物／ｎ－ＧｓＡｓ体系电学特性改善的原因。 相似文献
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按国际标准要求正确选配测量设备（一）辽宁省技术监督局梁春裕ＩＳＯ９０００系列标准强调“测量设备应具备予期使用所要求的计量特性”（ＩＳＯ１００１２中的４．２）。可见，如何根据使用要求正确选配测量设备是采用国际标准关键问题之一，本义运用Ｍｃｐ值原理给出解... 相似文献
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ＩＳＯ1 70 2 5与ＩＳＯ/ＩＥＣ导则 2 5相比 ,主要发生如下变化 :一、名称的变化从“校准和检测 (验 )实验室能力的通用要求”改为“检测和校准实验室能力的通用要求”。我们知道ＩＳＯ/ＩＥＣ导则 2 5至今有四个版本即 1 978年版和 1 980年版 ,这两个版本都是针对检测实验室的 ;到了 1 990年版即我国的ＧＢ/Ｔ1 54 81 -1 995版才注重于校准实验室和检测实验室两者的活动 ,但是还是偏重于检测实验室 ;到了 1 999版即ＩＳＯ/ＩＥＣ1 70 2 5,是在ＩＳＯ/ＩＥＣ导则 2 5和ＥＮ450 0 1广泛的实施经验基础上制订的并替代了这两个文件 ,同时上升… 相似文献
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《技术监督实用技术》1998,(3)
国际认可论坛多边承认协议ＩＡＦ／ＭＬＡ１．依据国际认可论坛（ＩＡＦ）的有关规则和程序，作为评审的结果签订本协议。２．本协议的签约机构为签署本协议的认可机构（即“签约机构”，统称“ＭＬＡ集团”）。３．每个签约机构都应遵守ＭＬＡ的条件。每个签约机构均应：... 相似文献
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燃烧合成AlN-TiC陶瓷及致密化机理分析 总被引：1，自引：0，他引：1
采用ＳＨＳ工艺,在１００ＭＰａ高压氮气下,制备了致密的ＡＩＮ－ＴｉＣ陶瓷,相对密度达９５％,抗弯强度达２４０ＭＰａ．研究表明,ＡＩ－Ｎ２－ＴｉＣ体系ＳＨＳ过程中,当反应温度升至６６０℃时,ＡＩ熔化．高温下熔融ＡＩ在ＴｉＣ表面发生漫流现象,在ＳＨＳ反应区发生液相烧结,从而使反应区孔隙率显著下降,当开气孔闭合时在气相等静压作用下形成致密产物．随着ＴｉＣ含量增加,液相烧结作用增强,产物致密度显著提高,抗弯强度及断裂韧性提高．ＡＩ－Ｎ２－ＴｉＣ体系的ＳＨＳ致密化主要发生在燃烧波蔓延方向,具有明显的方向性． 相似文献
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磺酸基共聚凝胶在有机溶剂中的溶胀特性 总被引：4，自引：0，他引：4
以２－丙烯酰胺基－２－甲基丙磺酸（ＡＭＰＳ）与甲基丙烯酸－２－羟基丙酯（ＨＰＭ）为单体，Ｎ，Ｎ’－亚甲基双丙烯酰胺（ＢＩＳ）为交联剂，合成了带磺酸基团的共聚强电解质凝胶，在纯水、乙醇、二甲基亚砚以及乙醇／四氢呋喃混合溶剂中进行了溶胀实验。随交中ＡＭＰＳ摩尔分数增加，凝胶在纯水、乙醇、二甲基亚砜中的溶胀比均增大；对同一凝胶试样，当乙醇／四氢呋喃混合溶剂中四氢呋喃浓度增加则溶胀比减小；当ＢＩＳ用量由１ 相似文献
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ＡｌＮ陶恣成分怀发对于ＡｌＮ的性能具有决定性作用，用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）和Ｘ射线衍（ＸＲＤ）对清华大学材料系电子封装用的ＡｌＮ陶瓷进行了研究。ＳＩＭＳ谱表明ＡｌＮ衬底中除Ａｌ，Ｎ以我有Ｃ，Ｏ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｙ等元素，其中有些是表面污染。衬底的ＳＩＭＳ深度分析表明样品Ｏ，Ｃａ，Ｙ信号都很强，且分布均匀，说明样口 含有Ｙ２Ｏ３，ＣａＯ添加剂，ＡｌＮ样品的ＸＲＤ谱与ＡｌＮ的ＪＣＰＤＳ卡片对照，在测量范 相似文献
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二次离子质谱的深度分辨本领 总被引：3，自引：0，他引：3
深度剖析是二次离子质谱在半导体以及各种其它薄膜材料分析中最重要的应用，深度分辨本领是表征其分析能力的重要参数，国际标准化组织（ＩＳＯ）最近 在研究和制定这方面的国际标准。本文在概述了ＳＬＭＳ深度分辨本领影响因素的基础上，推导了δ掺杂层深度分辨函数的解析表达式，讨论了其物理意义，特别是分辨参数的定义。在ＣＡＭＥＣＡ ＩＭＳ ４ｆ仪器上用５．５ｋｅＶ的氧束对Ｓｉ中ＧａＡｓδ掺杂多层膜样品进行了深度剖析，讨论了所得分辨参数及影响因素。结合国外实验室ＩＳＯ巡回测试的结果，对深度分辨参数的定义和评估方法进行了简要评述。 相似文献
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近年来，实验证明ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术可以明显减小甚至消除ＳＩＭＳ分析中的基体效应，已成功地应用于某些半导体与金属中，适于对痕量杂质以及基体组分进行分析。现将ＭＳｃ＾＋－ＳＩＭＳ技术推广应用来表征金属与陶瓷界面反应导致的组分变化。对不同温度退火的金属（Ｔｉ）与陶瓷（Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ等）界面进行了分析，成功地观察到了界面的组分变化，为其他技术进一步证实，并且获得了新的结果。 相似文献
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结合Ａｌ／Ａｏ２Ｏ３／Ａｕ结构的ＭＩＭ（ｍｅｔａｌ／ｉｎｓｕｌａｔｏｒ／ｍｅｔａｌ）隧道结Ｉ－Ｕ－特性、深度Ａｕｇｅｒ谱及结发光后结面透明度的测试与观察，对共发光衰减机制进行了研究。结果表明，由于ＭＩＭ结工作时，通过隧道电流等产生的大量焦耳上起底电极Ａｌ膜不断氧化，中间栅ＡＩ２Ｏ３的厚度不断增加，从而使得隧穿电子激发表面等离极化激元（ｓｕｒｆａｃｅ ｐｌａｓｍｏｎ ｐｏｌａｒｉｔｏｎ，ＳＰＰ）的强 相似文献
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介绍了国家ＣＩＭＳ工程技术中心（ＣＩＭＳＥＲＣ）业已完成的仿真支撑环境。它由三部分组成，即用于ＣＩＭＳ横向集成及支持生产计划与控制的一体化制造仿真软件ＩＭＳＳ，用于ＣＩＭＳ纵向集成的递阶控制仿真器ＡＨＣＳＥ，及支持ＣＡＤ／ＣＡＰＰ／ＣＡＭ与加工过程集成的加工过程仿真器ＭＰＳ。从功能、关键技术及性能评价三方面分别对各部分进行了介绍。 相似文献
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