GaAs半导体脉冲激光器的激励源

本文阐述了GaAs半导体脉冲激光器的电气特性及对激励源的要求。给出了较成熟的GaAs半导体脉冲激光器的激励源,并介绍了该激励源的工作原理。     

改善连续半导体激光器驱动源性能的研究

阐述了改善连续半导体激光器驱动电源性能的有效措施。从而提高了半导体驱动电源的抗干扰能力和恒流电流输出的稳定性。进而保证了半导体激光器的工作寿命和工作稳定性等性能。使该半导体激光器驱动电源进入了实用阶段。     

双区半导体激光器的混沌同步研究

给出了双区半导体激光器产生混沌的条件,研究了双区半导体激光器的混沌及其同步,利用混沌驱动法和连续变量反馈法实现了激光器的混沌同步,通过计算最大条件Lyapunov指数随注入强度及反馈权重的变化,得到了可以达到混沌同步的注入参数及反馈权重的取值范围,最后又对两种方法进行了对比分析。     

连续半导体激光器驱动电源

本文介绍了由单片机控制的连续半导体圾光器驱动电源,系统的阐述了其工作原理、软硬件构成。实际应用表明,本驱动电源具有智能化程度高、抗干扰能力强、电源稳定度高、对激光器无损害等优点。     

光纤型半导体激光器线阵工艺研究

采用计算机控制技术、激光器调制技术、光纤耦合技术、微透镜聚焦技术,研究了半导体激光器的线阵.利用线阵组合原理展示了半导体激光器线阵技术的原理和实现过程,扩展了线阵技术在快速成型、显示技术等方面的应用领域.     

半导体激光器减反射膜的涂镀

通过对ＧａＡｌＡｓ激光器谐振腔前腔面涂镀ＳｉＯ工艺，分析涂层特性，透射率由无膜时的６９％提高到９２％，提高激光输出功率和工作寿命。     

堆积式列阵半导体激光器

本文介绍堆积式列阵半导体激光器,着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系列激光器。由于它们的Ｔｏ小,受环境温度影响大,用一般结构作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器。它的Ｔ０值可达１００￣１４０Ｋ,单个１．３μｍ激光器,脉冲峰值功率超过３ｗ（瓦）,单个１．５５μｍ激光器,脉丫峰值功率超过２Ｗ。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现,列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和;而减步的比率随着     

窄脉冲大电流半导体激光器驱动的研究

比较了半导体激光器驱动的几种设计方案,提出一种新的以VMOS功率场效应管为核心的半导体激光器的驱动方案,设计了脉宽可调,重复频率可选,具有恒温控制的激励器。     

高功率窄脉冲半导体激光器模块的研究

为获得脉冲宽度窄、前沿上升速度快的大功率激光输出,以提高激光引信等武器装备抗干扰的性能,设计出了一种由高压电源、驱动电路及多管芯激光器组成的高功率窄脉冲半导体激光器模块。激光器采用多管芯串并联组合发光的方式,驱动电路部分实现高压储能放电,使用了高速开关断器件MOSFET作为LD放电回路的开关,应用板载技术进行封装。在较大光功率输出的同时,脉冲波形宽度更窄、前沿上升速度更快。最后经OrCAD/Pspice软件进行仿真分析。实验结果表明,模块实现了高功率窄脉冲的激光输出,得到脉冲宽度为8ns、上升时间为2ns的窄脉冲,最大输出功率可达200W。     

GaAs基大功率半导体激光器无氧解理钝化技术研究

大功率半导体激光器失效的一个主要原因是半导体激光器的腔面退化,由于空气中解理时氧化而引起。针对性地设计了一种与磁控溅射台配合使用的惰性载气保护条件下的无氧解理操作台。采用磁控反应溅射腔面SiNx钝化膜工艺,获得了最高输出功率比未镀膜的器件高65.7%,比湿法钝化技术的器件提高约21%的器件。证明无氧解理SiNx钝化技术是一种有效的减少腔面界面态,提高大功率半导体激光器COD阈值的技术手段。     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ,峰值波长为 ８０６～８０９ ｎｍ。     

锑化物中红外半导体激光器研究进展

2～5微米中红外波段是极其重要的大气窗口,工作在该波段的半导体激光器的应用领域非常广泛。锑化物具有独特的能带结构,其禁带宽度可调范围较大,对应的发光波长可以覆盖整个中红外波段,因此一直是研究的重点和热点。本文简要介绍了锑化物半导体激光器的几种结构,锑化物激光器的外延生长方法和存在的困难,综述了当前国内外的研究进展。     

半导体激光器在高速调制中Pattern 效应的研究

本文对半导体激充器在高速调制中所出现的 Pattern 效应现象进行了较为详细的理论分析和实验研究.得出了提高偏流可抑制 Pattern 效应的结论.     

脉冲型半导体激光测距关键技术研究进展

根据激光测距仪小型化、低功耗、智能化、高精度的发展方向,详细阐述了脉冲型半导体激光测距系统的测距原理及其基本结构,针对国内外在测量距离和测量精度方面的最新进展与发展现状进行了总结和评述,并在此基础上对系统中的时间间隔测量方法、回波信号的处理及检测方法等关键技术进行了详细的分析.随着激光测距技术不断优化提升,其将不断满足科学研究及工业、军事等实际应用领域对高精度测量的需求,据此展望了该种类型测距系统的研究方向及发展前景.     

准连续半导体激光高频调制技术研究

介绍了一种由信号放大电路、电流调制电路、过流保护电路、具有慢启动功能的直流偏置电路高度集成的半导体激光高频调制系统,此高频调制系统采用了结构简单的直接调制方式,这种调制方式是利用频率可调的调制信号去控制半导体激光器发射的激光光强,从而实现半导体激光高频调制.设计了半导体激光高频调制驱动输出的调制电流幅度为9.1A,调制电流频率达到了100MHz,直流偏置在1A内连续可调,实现了脉冲宽度均匀与非均匀两种情况,在均匀情况下占空比达到了50%.     

大功率GaAs基半导体激光器腔面膜一次性制备技术

大量研究表明,大功率半导体激光器失效的一个主要表现就是半导体激光器的腔面退化,而空气中的灰尘与腔面氧化变质是其主要诱因。使用了新型的镀膜机真空室内180°自翻转机构制备半导体激光器腔面膜,大大降低半导体激光器腔面在大气条件下的暴露时间。从过程上直接降低自然氧化物和杂质产生的几率,减少腔面自然氧化物的诱导缺陷和杂质的非辐射复合中心。从大功率半导体激光器腔面膜一次性制备实验的结果表明,该技术制备的半导体激光器外推寿命对比常规实验提高了12.56%,同时还有效的提高了器件的最大输出功率。