9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器

用分子束外延方法生长了ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０＾３Ｖ／Ｗ。     

GexSi1—x／Si异质结长波长红外探测器

描述了 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结长波长红外探测器的基本工作原理及结构,并结合器件介绍了实现异质结生长的各种工艺,如 MBE,CVD 等。     

GexSi1—x／Si超晶格红外探测器最佳结构

通过对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格机理的研究，算出了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格红外探测器的最佳结构参数，以对１．３μｍ红外光有最大的利用率。     

P^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光发射长波红外探测器量子效率模型

本文在对原有模型改进的基础上建立了一个Ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射长波红外探测器量子效率的解析模型。与原有模型相比，其特点是考虑了载流子输运作用对量子效率的影响。理论计算与实际结果比较表明，该模型与现有模型相比能更好地与实际相符合。     

P^＋—Ge0.3Si0.7／P—Si异质结内光发射红外探测器77K的特性

首次报导了一种改进结构的Ｐ＾＋Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７／Ｐ－Ｓｉ异质结内光发射长波长红外探测器在７７Ｋ下的电学特性和光学响应特性。     

P^＋—GexSi1—x／P—Si异质结内光发射（HIP）长波长红外探测器结构的…

本对Ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｐ－Ｓｉ异质结内光发射以长红探测器的电极结构进行了改进，并在国内首次报道了这种器件在７７Ｋ下的电学特性和光学响应特性。     

9μmp~＋－Ge_xSi_（1－x）／p－Si异质结内光电红外探测器

用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．     

GexSi1—x／Si异质结脊形光波导结构参数的研究

通过对ＧｅｘＳｉ１－ｘ脊形光波导中的ＴＥ模式的理论分析与计算，得出了不同内脊高ｂ对应的脊宽Ｗ与外脊高ｈ的关系曲线。为这种脊形光波导的结构设计提供了可以信赖的依据。     

GexSi1—x／Si异质结器件的研制现状

介绍了应变层GexSi1-x/Si异质结构的生长，材料特性及其在异质结双极晶体管（HBT），双极反型沟道场效应晶体管（BICFET），调制掺杂场效应晶体管（MODFET），谐振隧道二极管，负阻效应晶体管（NERFET），毫米波混合隧道雪崩渡越时间（MITATT）二极管入和光电探测器等器件中的应用状况，并指出了其发展前景。     

GeSi／Si异质结红外探测器结构参数设计

文章对分子束外延的GeSi／Si异质结红外探测器关键参数进行了分析研究,采用经典理论对器件结构参数进行了计算,结果与实验数据吻合。     

GexSi1—x／Si红外探测器量子效率的理论计算

通过对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ红外探测器结构及机理的研究，建立了计算量子效率的模型，并计算了内量子效率与波长的关系，与他人的实验结果符合得很好。     

p—GeSi／n^＋—Si异质结电光调制器

文章介绍了硅基光电子器件－ｐ－ＧｅＳｉ／ｎ＾＋－Ｓｉ异质结电光调制器的初步试验研究之后，给出了所研制调制器的调制深度为９０％时的调制电流约１８０ｍＡ。为了进一步减小调制电流和提高调制频率，提出了一些改进措施。     

Si电光调制器与GeSi／Si异质结探测器的集成

提出了一种调制器与探测器集成的方案。它是在＜１００＞ｎ＾＋－Ｓｉ衬底上用外延、两次扩散等常规工艺先制作Ｓｉ脊表波导光调制器，接着在调制器光输出端的波导上用分子束外延和反应离子刻蚀制作ｐ－Ｇｅ０．６Ｓｉ０．４／ｐ－Ｓｉ探测器。     

Ge_xSi_（1－x）／Si超晶格红外探测器最佳结构

通过对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格机理的研究，算出了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格红外探测器的最佳结构参数，以对１．３μｍ红外光有最大的利用率。     

层叠结构的Si0.65Ge0.35/Si红外探测器的微结构研究

采用定位的横断面透射电子显微术观察Ｐ＾＋－Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器的微结构。该器件光敏区由６层Ｐ＋－Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３６和５层ＵＤ－Ｓｉ层组成,每层都比较平整,各层厚度分别为６ｎｍ和３２ｎｍ,在Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ＵＤ－Ｓｉ界面处存在应力场,但未到晶体缺陷,非晶ＳｉＯ２台阶上的Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５和ＵＤ－Ｓｉ层是波浪状的多晶层,光敏区的边界处存在小于