电子器件基础

0212610场致发射阵列阴极电子枪的设计及模拟研究[刊]/李兴辉//液晶与显示.—2002,17(1).—55～58(C)0212611碳纳米管高温热稳定性与结构的关系[刊]/姚振华//     

通用工艺与设备

0505081提高铝尖锥场致发射阵列阴极发射性能的研究[刊,中]/李兴辉//液晶与显示,—2004,19(5).—343-347(C)0910 电子工艺0505082高速光通信电路用 CMOS 工艺展望=Prospects ofCMOS Technology for High-Speed Optical Communica-tion Circuits(Invited Paper)[刊.英]/B.Razavi//IEEEJournal of Solid-State Circuits.—2002.37(9).—1135(E)     

终端设备与显示设备

0606234 显示图像清晰度的视觉感知研究[刊,中]/刘璐//应用科学学报．-2005,23(6)．-610-614(C) 0606235 基于S3C44B0X的LCD驱动开发及其在Linux下的实现[刊,中]/郝英华//电子工程师．-2005,31(11)．- 48-50(E)     

半导体与微电子技术

0309468碳纳米管阵列密度对其场发射性能的影响[刊]/朱亚波//真空科学与技术学报.—2002,22(增刊).—26～29(L) 0309469纳米结构的制备及其应用[刊]/卢刚//微电子学.—2002.32(6).—416～418(D)     

计算技术与计算机及网络设备

0606864 基于小波包分解变换的图像数字水印嵌入算法研究 [刊,中]/付炜//应用科学学报．-2005,23(6)．-658- 660(C) 0606865 基于校园网的流媒体教学互动系统设计与实现[刊, 中]/欧新良//微计算机应用．-2005,26(6)．-694- 697(C)     

终端设备与显示设备

0617487LCM12864ZK图形液晶显示模块并行实用技术〔刊,中〕/胡建波//信息技术与信息化.—2006,(1).—67-69(D)本文以北京青云创新科技发展有限公司生产的LCM12864ZK图形液晶显示模块为例,主要介绍了LCM12864ZK图形液晶显示模块的结构特征、指令系统及与51系列单片机的接口技术、编程实例。参50617488航空雷达综合显示系统仿真模拟〔刊,中〕/谭歆//计算机测量与控制.—2006,14(4).—502-504(C)0617489碳纳米管场致发射显示(CNT-FED)的新型灰度等级调制方式〔刊,中〕/李晨//真空科学与技术学报.—2006,25(增刊).—32-35(L)碳纳米管…     

材料制备工艺

0007596对向靶溅射制备 CN 膜研究[刊]/姜恩永//真空科学与技术学报.—1999,19(增刊).—108～110(C)0007597WC 和 Si 衬底生长金刚石薄膜的研究[刊]/邵淑敏//真空科学与技术学报.—1999,19(增刊).—65～71(C)     

化合物半导体

0003573气相沉积法分子筛封装 SnO_2纳米半导体材料的研究[刊]/张义华//功能材料.—1999,30(6).—651～652,662(C)0003574SnO_2/Fe_2O_3纳米复合粉的制备与表征[刊]/潘登余//功能材料与器件学报.—1999.5(4).—323～326(C)0003575正交实验方法研究 PECVD 碳化硅薄膜的防水汽扩散性质[刊]/姜利军//功能材料与器件学报.—1999,5(4).—318～322(C)0003576     

金属与导电材料

0219472邻硝基苯甲酸合镧配合物稳定常数的测定[刊]/吕天喜//浙江师范大学学报(自然科学版).—2002,25(2).—147～150(C)0219473分散剂对纳米相二氧化锡制备的影响[刊]/杨林宏//上海大学学报(自然科学版).—2002,8(3).—209～212(C)0219474非晶态 Fe-Ni-Cr 合金的电沉积优化新工艺[刊]/何湘柱//湘潭矿业学院学报.—2002.17(2).—40～43(C)采用正交试验法对镜面非晶态 Fe-Ni-Cr 合金的电沉积新工艺进行了研究,采用 X-ray 衍射和扫描电     

晶体与微声材料

0219487用光子级联发射测量 SrAl_(12)O_(19)中Pr~(3 3)P。能级的量子效率[刊]/黄世华//发光学报—2002,23(3).—223～227(E)0219488闪烁晶体的发光研究进展[刊]/施朝淑//发光学报.—2002,23(3).—217—222(E)0219489均-文石晶须的制备及机理探讨[刊]/张利//四川大学学报(工程科学版).—2002,34(3).—46～49(D)0219490近非临界相位匹配温度调谐 MgO:LiNbO_3OPO[刊]/吕卫//光电子·激光.—2002,13(3).—240～243,263(D)     

半导体微电子技术与纳米技术

0505019Ⅲ族氮化物及其二维电子气输运特性的研究进展[刊,中]/薛舫时//固体电子学研究与进展.—2004,24(3).—265-274(D2)0505020大面积取向生长碳纳米管的 ECR-CVD 方法制备与表征[刊,中]/王志//真空科学与技术学报.—2004.24(5).—385-388(L3)0505021退火对 AlGaInP/GaInP 多量子阱 LED 外延片性能的影响[刊,中]/李述体//发光学报.—2004,25(5).—510-514(E3)     

材料

0205840铽改性铌酸锶钡晶体的介电性和热电性[刊]/赵明磊//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—409～412(C)0205841Pb(1-x)La_xTiO_3薄膜的制备及介电性质的研究[刊]/朱卫东//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—405～408(C)     

通用工艺与设备

0217401RH 脱碳模型的建立和测试[刊]/李青//上海大学学报(自然科学版).—2002,8(2).—119～123(C)0217402磷酸酯淀粉在纯棉细特高密织物浆纱中的应用[刊]/张兰香//天津工业大学学报.—2002,21(2).—74～75(C)0217403原纱性能和浆纱性能的相关分析[刊]/王鸿博//天津工业大学学报.—2002,21(2).—62～64(C)     

金属与导电材料

0114698纳米硬质合金制备工艺的研究与发展[刊]/钱开友//上海大学学报(自然科学版).—2001.7(2).—133～136(C)0114699微乳液法制取 ZnO 超细粉末[刊]/张海平//上海大学学报(自然科学版).—2001.7(2).—128～132(C)     

元素半导体

0003568ITO 作填料的涂层光谱特性研究[刊]/於定华//功能材料.—1999,30(6).—660～662(C)0003569乙烯对 CVD 法制备硅薄膜性能的影响[刊]/张溪文//功能材料.—1999,30(6).—649～650(C)0003570修正 Tersoff 势在熔态硅分子动力学模拟中的应用[刊]/周正有//功能材料与器件学报.—1999,5(4).—273～280(C)     

其它相关学科与技术

0313902内陆干旱半干旱盆地地下水生态环境指标研究[刊]/张长春//湘潭矿业学院学报.—2003,18(1).—24～27(C)0313903爆炸挤压成井药量估算的理论与实践[刊]/林大能//湘潭矿业学院学报.—2003,18(1).—21～23,65(C)0313904散体介质锚拉支架支护作用模拟分析[刊]/张春明.—2003,18(1).—17～20(C)     

总论

0507301信息时代产品综合设计方法研究[刊,中]/张阿维//西安工程科技学院学报.—2004,18(4).—344-348(C2)0507302论高校财务资金管理中的若干问题及其对策[刊,中]/王芳//西安工程科技学院学报.—2004,18(4).—401-404(C2)0507303创新型人才培养与高校图书馆文献资源建设理论模型[刊,中]/张逸新//江南大学学报(自然科学版).—2004,3(6).—625-629,632(D2)     

0300材料

0518865硝基苯加氢合成对氨基苯酚的工艺研究[刊,中]/李广学//合肥工业大学学报(自然科学版).—2005,28(4).—389-393(C2)0518866木棉/三维卷曲中空涤纶复合浮力材料的探讨[刊,中]/衣卫京//西安工程科技学院学报.—2005,19(2).—236-239(C)0518867乙酸乙酯键联卟啉的合成与表征[刊,中]/范少华//河南科技大学学报(自然科学版).—2005,26(2).—98-101(L2)     

半导体与微电子技术

0625942三级结构场致发射显示器件的制作〔刊,中〕/李玉魁//液晶与显示.—2006,21(3).—232-235(C)利用钙钠玻璃作为阴极和阳极面板,并采用低熔点玻璃粉进行高温烧结,制作了三极管型的碳纳米管阴极场致发射平板显示器件样品。高效的烧结排气工艺提高了器件的制作成功率,避免了碳纳米管阴极和阳极荧光粉的损伤。改进的消气剂装配确保了器件的良好密封性能。整体显示器件具有高的显示亮度和低的制作成本。参70625943一种有效提高CNTs/CNFs阴极场发射性能的热处理方法〔刊,中〕/郭平生//光电子·激光.—2006,17(6).—681-684(E)半导体与微…     

电测量与仪表

2002848VXI 总线 C 尺寸双通道功率计的设计[刊]/田明宏//计算机自动测量与控制.—1999,7(4).—8～10,29(AC)从硬件与软件两方面阐述 VXI 总线 C 尺寸双通道通过式功率计的设计方法。对如何提高功率计的精度采取了一定的措施。参72002849用于高功率微波测量的电磁探针研究[刊]/李永忠//国防科技大学学报.—1999,21(5).—72-74(K)线电流元和面电流元近区场的简化计算(见2003261)