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以乙二醇为溶剂,醋酸为催化剂,部分无机盐代替醇盐的溶胶-凝胶工艺制备了不同平均晶粒尺寸的纯SrBi2Ta2O9(SBT)纳米粉末,晶相粉末晶粒大小为4—70nm.用XRD、TG.DTA、TEM系统研究了SBT纳米相的形成过程.通过改变干凝胶的热处理温度和热处理时间,研究了温度与时间参数对SBT晶粒长大的影响规律.研究表明,碳的燃烧和二氧化碳的蒸发对纳米团簇的长大具有一定的阻碍作用.SBT相的晶化行为分为金属.氧团簇向玻璃态转变和玻璃态到晶态的转变过程,玻璃态到晶态的转变温度区间为500—550℃.两个过程的长大激活能分别为:Ea1=0.709eV,Ea2=0.093eV.温度是晶粒长大的主要因素,热处理时间对晶粒长大影响不明显. 相似文献
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采用熔盐法在K2CO3和Na2CO3的熔盐(K2CO3/Na2CO3=45/55)中800℃并保温2h的条件下制备出了单相、纯钙态矿型结构的Na0.5K0.5NbO3粉体,运用XRD以及SEM技术对所得粉体进行了相组成及显微结构分析。结果表明:随着盐含量的增加,晶体结构从正交相转变为四方相,晶粒大小先增加而后稍微减小,并且获得较好的介电压电性:ε33^T/ε0(1kHz)=45-264,tgδ=1.5%~2.6%,Tc=402℃,Tτ-o=202℃,d33=88-98pC/N,Qm=465-574,Kp=29.09%~30.47%,在10kHz频率下,介电损耗有一点改变。NKN将有可能成为用于高频下的无铅压电陶瓷之一。 相似文献
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工艺参数对熔盐法制备钛酸铋粉体影响的研究 总被引:10,自引:0,他引:10
研究了工艺参数对熔盐法制备钛酸铋粉体晶粒形貌和尺寸的影响.发现温度、盐的种类和盐的用量能够较显著地影响晶粒的形貌和尺寸.在氯盐中,晶粒尺寸随着温度的升高而逐渐增大,晶粒最终发育为较规则的圆片状,晶粒生长按照Ostwald液相生长机理来进行.在硫酸盐中,晶粒尺寸明显大于相同条件下在氯盐中的尺寸,且晶粒形貌呈不规则片状.当原料与盐的比例<1时,随着盐用量的增加,晶粒尺寸减小,形貌更加不规则.通过调整工艺参数能够控制颗粒的尺寸和形貌,制备具有各向异性生长的钛酸铋片状粉体. 相似文献
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以Al(NO3)3、LaPO4和柠檬酸为原料,采用低温燃烧方法合成Al2O3-LaPO4复合粉体.在相同热压烧结条件下,ALC50(采用燃烧法合成的复合粉体)相对密度比ALM50(采用球磨混合的复合粉体)提高2.5%,达到98.5%.断口形貌分析显示ALC50中晶粒(平均0.56μm)明显比ALM50中晶粒(平均L74μm)细化.ALC50的强度、韧性分别比ALM50增加11.1%、11.2%,而硬度基本相同.由于弱界面的增加,ALC50钻孔速率比ALM50提高近50%. 相似文献
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用金属有机物分解法分别制备了SrBi2Ta2O9(SBT)薄膜和粉末样品. XRD和SEM结果显示SBT粉末经历氮氢混合气氛400℃退火处理后发生了还原反应,金属Bi和δ-Bi2O3析出,成针状结构聚集在表面,晶体结构没有被破坏. SBT薄膜在500℃退火处理时,表面出现Bi的球形及针状结构聚集体,相对于薄膜结构,SBT粉末中的Bi元素在较低温度时更容易被还原. Bi的大量缺失严重影响薄膜的铁电性能,当退火时间为5.5min时,SBT薄膜剩余极化强度Pr下降了约43%,但是在109极化反转后仍然保持了良好的抗疲劳特性;退火时间超过8.5min时,薄膜被击穿,铁电性能消失. 相似文献
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无机盐制备氧化铝纳米粉及其物理化学的研究 总被引:34,自引:0,他引:34
本文以廉价的分析纯AlCl3.6H2O为原料,采用溶胶-冷冻干燥法制备出γ-AlOOH(Boehmite)粉料.经500和1100℃下煅烧,分别制得平均粒径6和30um的γ-和α-Al2O3纳米粉.同时,作出了Al-H2O系25和90℃时的电位~pH图,并采用Temkin-Schwarzman方法和回归分析手段,对Al(OH)3热分解过程进行了热力学分析·Al-H2O系的电位~pH图和Al(OH)3热分解的热力学分析,为γ-AlOOH溶胶的形成和γ-AlOOH粉料的热处理提供了一定的指导作用. 相似文献
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采用机械化学法,利用离子交换反应,通过离子交换、层离和沉淀过程制备了高比表面积的H2Ti4O9纳米晶体.采用XRD、TEM、热分析、N2吸附脱附等温过程和吸收光谱对制备的H2Ti4O9纳米晶体进行了表征.结果表明,以TiO2纳米晶片形式存在的微晶Ti4O9^2-,其径向尺寸低于50nm,纳米晶片的比表面积取决于反应溶液的pH值和对前驱物K2Ti4O9球磨的时间.将K2Ti4O9球磨2h后悬浮于1mol/L HCl溶液中搅拌,进行离子交换反应,最后将溶液pH值调整至8,沉淀后所得产物H2Ti4O9的比表面积达328.4m^2·g^1. 相似文献
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采用sol-gel工艺制备了Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结. 研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响. 研究表明: 成膜温度较低时,SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜, 但随退火温度升高, Bi4Ti3O12薄膜沿c轴择优生长的趋势增强; 经不同退火温度处理的Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性, 且回滞窗口随退火温度升高而增大, 经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V; 在550~700℃范围内, Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/\\p-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降, 当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大, 经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10-7A/cm2的最低值. 相似文献
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