高速沉积金刚石薄膜

日本工业研究所通过改变附加电子化学气相沉积法(EACVD)的薄膜生成条件,成功地制得了结晶度与天然金刚石接近的金刚石薄膜。就金刚石薄膜的应用而论,结晶度与天然金刚石的相似性是估价标准。EACVD 法使用的设备比较简单,沉积速率比许多金刚石薄膜     

化学气相沉积金刚石薄膜

概述了金刚石膜的发展过程及近年来的发展趋势.阐述了有关的生长机制.对生长金刚石膜非常重要的几个问题有,提高金刚石成份的生长率;稳定金刚石结构,并清洗掉不需要的石墨,引入氢,控制其浓度;或以某种形式赋予石墨以一定能量,使其转变为金刚石.简单的介绍了化学输运过程方法和等离子体动力学方法,总结了研究中已经解决的问题和尚不清楚的问题.收集和整理了金刚石,金刚石膜和类金刚石的性能,进行了对比,并将金刚石膜与一些电子材料进行了比较,最后简述了可能的应用.人造金刚石膜具有优越的性能,这是任何其它材料无法与之比拟的,同时它的造价低廉,因此美国纽约时报惊呼,人造金刚石膜已为电子学、光学、机械加工、化学工业和军事科学开辟了一个新纪元.目前金刚石膜的研制使得东西方的科学家极为振奋,在日本、美国和苏联正在兴起“金刚石热”.     

激光低温沉积金刚石膜

用ＸｅＣｌ紫外与ＣＯ２红外复合激光化学气相沉积方法，在３４０℃硅衬底上沉积成高纯金刚石膜。     

电弧侧面金刚石薄膜的沉积

利用磁约束直流等离子体炬设备和Ａｒ＋Ｈ２＋ＣＨ４混合气体，在喷出的电弧侧面的无水冷的ＡｌＮ（氮化铝陶瓷）衬底上，成功的制备出金刚石薄膜。使用扫描电子显微镜、Ｘ射线衍射仪和Ｒａｍａｎ光谱研究了金刚石薄膜形貌、生长速率及质量。     

燃焰法沉积金刚石薄膜的实验研究

研究分析了燃焰法沉积金刚石薄膜时基片表面处理状态，燃烧气体流量比基片温度对薄膜成核密度、质量和晶体形态的影响。结果表明，在不同粒度的研磨粉研磨的基片表面上金刚石薄膜成核密度不同；燃烧气体流量配比对金刚石薄膜的质量影响很大；基片温度是影响金刚石薄膜晶体形态的一个重要因素。     

金刚石薄膜的沉积技术及其应用

本文介绍了金刚石气相合成的历史,金刚石薄膜的沉积方法、沉积机理以及金刚石薄膜的性能,分析了金刚石薄膜沉积技术的发展方向及其应用前景。     

液相电沉积金刚石薄膜的研究进展

评述了液相沉积(类)金刚石薄膜的研究现状,介绍了液相合成(类)金刚石薄膜的装置、液态源及薄膜的性能,分析了如何更好地提高(类)金刚石薄膜质量,并在此基础上提出了一种可能制备出高质量金刚石薄膜的脉冲电弧放电沉积装置.     

微波等离子体低温制备金刚石薄膜

用微波等离子体法在低于６００℃的条件下合成了金刚石薄膜，分别用Ｒａｍａｎ光谱、ＸＲＤ、ＸＰＳ，红外光谱对薄膜进行了表征；讨论了工艺条件同薄膜结构，特别是表面形貌的关系，指出低温有利于（１００）面的形成。     

金刚石晶粒和薄膜的侧向沉积

将传统的灯丝热解化学气相沉积系统改装成侧向沉积系统，并在其中进行了金刚石薄膜的正、侧向沉积。研究表明，侧向沉积的成核密度和生长度与正向沉积的情况基本相同，崦侧向沉积系统中金刚石颗粒和薄膜的沉积速率要比传统的沉积系统的高，但结构更趋复杂。讨论服基底对金刚石成核和生长过程的影响，深化了厂金刚石沉积机理的理解。     

燃焰法沉积金刚石薄膜的均匀性研究

研究了燃焰法沉积金刚石薄膜的质量均匀性,指出反应气体流量比是影响金刚石薄膜质量均匀性的主要因素,基片表面沉积区径向温度梯度使金刚石膜晶粒尺寸偏离沉积中心距离的增加而减小。     

塑料基体低温沉积ITO薄膜的研究

综述了塑料基体低温沉积ITO薄膜国内外的最新研究现状,并指出了现在存在的问题,认为实现低温沉积、保证薄膜的光电性能和改善薄膜表面质量是3个关键技术.同时结合自己的研究工作,提出了相应的解决方法和建议.     

低温沉积SiO2薄膜工艺的研究

利用等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）研究SiO2薄膜低温制备工艺,分析工艺条件对薄膜性能参数影响,通过调节射频功率优化薄膜应力,在150℃低温下获得接近零应力SiO2薄膜,薄膜沉积速率约为40nm／min,片内均匀性优于3％,折射率为1．46±0．003,并具有良好的附着力和抗蚀性能。由于沉积温度低,薄膜性能好,因此可以作为绝缘层或介质层,应用于柔性电子领域。     

等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜

本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展。重点评述了反应机理、发展历史、沉积方法、补底材料、检测手段。论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。     

等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜

本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展，重点评述了反应机理，发展历史，沉积方法，补底材料，检测手段，论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。     

电化学沉积类金刚石薄膜阳极材料影响研究

分别由石墨、铂、铜和不锈钢制成阳极,在较低温度条件(60~70℃)下电解丙酮/去离子水混合溶液沉积类金刚石薄膜。利用台阶仪、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDX)和拉曼光谱仪(Raman)对薄膜进行表征。结果表明:由石墨、铂作阳极制备了典型的非掺杂DLC薄膜,并且石墨阳极获得的DLC薄膜生长速率高、表面平整光滑;由铜阳极制备了铜掺杂的DLC薄膜;而在相同条件下,使用不锈钢作阳极没有获得碳薄膜。因此,阳极材料对液相电化学沉积DLC薄膜的成膜速率、表面形貌、成分和结构均有显著影响,需要根据所制备薄膜的类型以及阳极材料在反应溶液中的稳定性来选择阳极。     

陶瓷薄膜低温水溶液沉积评述

陶瓷薄膜的制备技术多种多样,如物理气相沉积、化学气相沉积、高温烧结和"溶胶-凝胶"法等.这些技术对制备条件都有较高的要求:如高温高真空等.近年发展起来的在低温条件下沉积陶瓷薄膜的技术为我们提供了一种设备简单,在接近室温、常压下可进行操作的方法.本文就这一新兴工艺及其机理进行了评述.     

自持金刚石厚膜上沉积ZnO薄膜的研究

ZnO/金刚石结构的表面声学波滤波器的性能主要取决于沉积ZnO薄膜的质量.本文用金属有机化合物气相沉积两步生长法在自持化学气相沉积金刚石厚膜的成核面上制备了ZnO薄膜,并用X射线衍射谱,扫描电子显微镜和室温光荧光谱对薄膜质量进行了表征.结果表明得到的ZnO薄膜取向一致,表面较均匀,光学质量良好.