氮化镓基雪崩光电二极管的研制

文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理.由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求,因此特别对材料进行了必要的筛选.通过一系列工艺上的改进,成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管,器件的光敏面直径是40μm;并对其进行了光电性能测试.测试结果表明,当反向偏压是58V时,漏电流大约是1.18×10-7 A,雪崩增益是3.     

氮化镓基雪崩光电二极管的研制

文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状，从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发，详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程，特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求，因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进，成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管，器件的光敏面直径是40μm；并对其进行了光电性能测试。测试结果表明，当反向偏压是58V时，漏电流大约是1．18×10-7A，雪崩增益是3。     

氮化镓基雪崩光电二极管的研制

文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状，从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发，详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程，特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求，因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进，成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管，器件的光敏面直径是40μm；并对其进行了光电性能测试。测试结果表明，当反向偏压是58V时，漏电流大约是1．18×10^-7A，雪崩增益是3。     

二○九所评选出1978～1979年度科技成果

经二○九所学术委员会讨论,评选出1978～1979年度科技成果如下: 砷酸二氢铯单晶的生长; 掺镁铌酸锂晶体的研制和生长; 雪崩光电二极管在激光测距机中的应用; 测定半导体导电类型的三探针全类型装置; 光电探测器灵敏度的标定和测量; 雪崩光电器件倍增、噪声、体漏电流测定; 光电探测器响应时间的测量;     

基于APD的电外差技术在无合作目标激光测距中的应用

在无合作目标相位式激光测距中,为了提高测程和改善信噪比,提出一种基于雪崩光电二极管的电外差测量技术.在该方法中,雪崩光电二极管通过电注入法可直接被作为混频器,它接收到的回波光信号在转换成电流信号时直接和一本振信号混频产生低频信号.实验结果表明,该方法可有效改善雪崩光电二极管输出信号的信噪比,提高无合作目标相位式激光测距的测程.     

雪崩光电二极管应用中的最佳噪声分配

导出了雪崩光电二极管应用中的最佳噪声分配关系式,据此提出了测量雪崩管最佳倍增特性的方法,并研制出了测量仪器,给出了雪崩光电二极管的测量结果.     

光通信接收机:雪崩光电二极管和PIN—FET组件的比较

使用以前的一种典型说法分析了光电二极管体漏电流和放大器噪声对接收灵敏度影响。用PIN光电二极管的接收机的灵敏度可以因在输入级使用性能优良的微波场效应管(FET)而得到很大的改进,在800—900nm波长与硅雪崩光电二极管(APD)比较,     

X波段砷化镓场效应晶体管的可靠性和失效模式分析

本报告中所用符号的定义 S.F.M. 扫描电子显微镜(以下简称扫描电镜) 直流参数 I_(DSS)——饱和漏电流;源接地,在5伏漏偏压下常规测量。 g_m——跨导;漏电流随栅偏压的变化。 V_p——夹断电压;将漏电流减小到10微安所需的栅压。 V_(f1),V_(f2)——分别为0.1毫安和1毫安电流时的栅二极管正向电压。 BV_(RGS)——反偏压栅二极管击穿电压;将源和漏短路在一起,在10微     

雪崩光电二极管最佳工作点的确定

本文根据雪崩管的倍增噪声特性,给出在最佳工作状态下,雪崩光电二极管的倍增噪声电流谱密度与放大器的等效输入噪声电流谱密度之间的数量关系,提出按照放大器本身的噪声电压在输出总噪声电压中所占的比例来确定雪崩光电二极管的最佳工作点的方法。用这种方法确定了厚耗尽层雪崩光电二极管的工作点,用该雪崩光电二级管作激光测距仪的探测器时,使测距仪的测程比用Pin硅光电二极管时提高一倍以上,接收灵敏度提高约二十八倍。     

光纤通信变换器用光电二极管微型组件

雪崩式光电二极管微型组件,在光纤通信网中,常常作为变换器使用,其工作波段为1.0至1.3微米。这种光电二极管组件采用Ⅲ-Ⅴ族化合物制成,它包含一个InP雪崩区和一个独立的InGaAsP吸收区(如图1所示)。采用混合结构的目的在于将漏电流大大减小。Zn重掺杂InP基片、N型InP层、P型InP层和N型InGaAsP层组成。Zn从基片向N-InP外延层扩散,形成了P-InP层;另外,还剩下一层N-InP,其厚度则应符合设计的要求,大致为1.4微米。 光通过基片照射到雪崩式光电二极管上,其响应速度与量子效率均可达到最佳状态。若外加偏压接近于雪崩电压,则耗尽区向InGaAsP层扩展,并恰好可扩展到InGaAsP层中;如果耗尽区扩展太深,那么漏     

光通信基础知识(十二)

雪崩光电二极管和普通光电二极管的区别在于:雪崩光电二极管有内部电流增益,而普通的光电二极管(包括pin光电二极管)是没有内部电流增益的。雪崩光电二极管又叫APD管,APD是英文Avalanche Photo diode的缩写。对于一般的光电二极管来说,一个入射光子最多只能产生一个光电子(或光生电子-空穴对);但对于APD管来说,入射一个光子,可以产生10个到100个电子,所得到的光电流也大大地相应增加。对于长距离的光通信系统来说,使用APD管无疑是很有好处的。雪崩光电二极管的内部电流增益是怎样产生的呢?我们知道,在反向偏置二极管的     

硅中离子注入RTA剩余损伤对p－n结反向漏电流的影响

采用静电计测量了ＢＦ￣＋２、Ｆ￣＋Ｂ￣＋和Ａｒ￣＋＋Ｂ￣＋注入硅ＲＴＡ二极管的反向漏电流；借助高压透射电镜观察了ＢＦ￣＋２、Ｆ￣＋＋Ｂ“和Ａｒ￣＋＋Ｂ￣＋注入硅ＲＴＡ剩余损伤；深入讨论了剩余损伤对二极管反向漏电流的影响。结果表明，１）ＢＦ￣＋２注入二极管的反向漏电流最小，２）注入层剩余损伤和ＲＴＡ期间导致的热应力可能是影响二极管反向漏电流的主要原因。     

高压下陶瓷空封光电耦合器内部气体放电电流特性研究

陶瓷空封光电耦合器存在高压下的内部气体放电,分析其放电电流特性有助于器件可靠性研究。提出了基于体电流和气体放电电流的陶瓷空封光电耦合器漏电流模型,并针对高压下漏电流测试能力不足的现状,设计了基于悬浮供电的漏电流检测系统,通过对高压下器件漏电流的测试及对比分析,实现了对内部气体放电电流特性的定量评估。     

可作光子计数的雪崩光电二极管

对于光电倍增管不适用的高灵敏度弱光探测应用，存在一种固体替代器件，即雪崩光电二极管。这种器件在半导体内产生光电倍增，而光电倍增管在真空中产生电子倍增。雪崩光电二极管具有与半导体技术有关的微型化优点。由于这种器件能对单光子计数和探测很短时间间隔，它们已在光雷达、测距仪探测器和超灵敏光谱学方面找到日益增长的应用。另外，雪崩光电二极管在光纤通讯方面正与PIN光电二极管相竞争。雪崩光电二极管如何工作与任何光电二极管，样，雪崩光电二极管中由两类半导体组成的p-n结只允许电流在一个方向流动。光电二极管由一个掺有…     

薄膜光电接收器的研制

<正> 引言 光纤通信是通信史上又一次革命,其应用日益广泛。在短波长(0.8～0.9μm范围)光纤通信系统中,接收机通常采用硅雪崩光电二极管(APD)或硅PIN光电二极管。 D·R·Smith根据光电二极管和前置放大器参数,分析了PIN接收机和AFD接收机的噪声性能,指出把PIN光电二极管和一个输入电容低、漏电流小的FET前置放大器混合集成,可降低前置放大器的噪声,能显著改进PIN光电二极管接收机的灵敏     

低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管

根据器件结构的优化设计,严格控制生长参数以及理想的器件制备工艺获得了低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管。测量了百余支器件,0.9V_b下漏电流I_d<20nA;响应度～(0.7—0.8)mA/mW,最大倍增30—85(入射光波长1.3μm,功率1.6μW),参与倍增的暗电流l_(dm)最小可达0.25nA。     

雪崩光电二极管最佳偏置电路

文中对雪崩光电二极管的温度影响因素作了一般性讨论,给出了几种稳定方式.文中简要介绍了雪崩光电二极管的倍增噪声电流谱密度与等效输入噪声电流谱密度推出的结果.根据结论进行最佳倍增稳定偏置电路设计,给出了参考电路.使用这种自动偏置最佳状态电路,使探测系统性能大为改善.     

GC-1型光电二极管动态测试仪

GC-1型光电二极管动态测试仪是一种新型的雪崩光电二极管与PIN光电二极管的测量仪器。根据“白”噪声中的脉冲探测理论和雪崩管应用中的最佳噪声分配原理设计了这种仪器。建立了测量雪崩管最佳倍增因子的方法,同时考虑到常规测量和激光测距应用的特殊需要,又增加了其它的测量功能。本文对仪器的组成结构以及使用范围做了较详细的介绍。此仪器于1985年12月通过部级鉴定。     

用于长波长光纤系统最佳化的 PIN 光电二极管

<正> 一、引言在1.25μm～1.3μm 波长范围内光纤具有较低损耗的特性,当前在开拓这方面的兴趣促进了用于光纤接收机的高效、快速探测器的发展。市售的锗雪崩光电二极管的波长能与这种系统相匹配,然而,缺点是过剩倍增噪声高、漏电流大。作为另一种途径,人们广泛地研究了三元或四元系Ⅲ-Ⅴ族合金雪崩光电二极管。然而,已经证明,制造一种在工作偏置下效率和暗电流都满意的可靠的Ⅲ-Ⅴ族合金雪崩光电二极管是非常困难的。因为即使是最好的外延生长Ⅲ-Ⅴ族合金层也有相当高的缺陷密度,结果会导致微等离子体机构为主的击穿。再有一种途径,利用 pin 光电二极管与高阻抗 FET 前置放大器相连接     

几种新型雪崩光电二极管

简要介绍了近期报导的多级雪崩光电二极管、电子和空穴分区电离雪崩光电二极管及超晶格雪崩光电二极管的结构、工作原理及有关结果.