扩展电阻技术

本文扼要地阐述了扩展电阻技术的原理,并指出了该技术发展过程中遇到的难点及最终解决办法——定标曲线、薄层修正等.同时介绍了扩展电阻仪的应用.     

半导体放电管和扩展电阻技术在放电管开发中的应用

半导体放电管是新一代抗电浪涌保护器件。本文概略地叙述了放电管的结构、特性和主要的电参数。分析了这些电参数与硅片的物理参数以及扩散的结深和掺杂浓度分布的关系。同时介绍了扩展电阻探针在半导体放电管的开发、制管工艺的监控和失效分析中的应用。     

扩展电阻技术在硅,硅基材料测试中的应用

本文利用扩展电阻技术对半导体硅、硅基材料进行测试分析 ,从而用以开发新材料和评估材料的质量。     

扩展电阻探针在硅材料研究上的应用

主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面的应用。     

扩展电阻技术测试外延片外延厚度误差分析

扩展电阻法利用测量纵向深度电阻率的变化获得外延片厚度.实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较大的问题,从三个方面分析了产生的原因,其中两方面存在于样品制备过程:样品研磨角度不等于垫块角度造成的误差;研磨斜面两条边缘不平行造成的误差.另外一方面存在于测试过程,测试仪两探针起始位置偏离样品表面和研磨斜面的边界线造成的误差.由样品制备引起的误差占实际误差的大多数,所有误差均可通过计算公式进行修正.     

扩展电阻修正因子的计算

根据单层突变结理论,借助电子计算机计算扩展电阻修正因子.以表格的形式给出修正因子与H_1=h_1/a和k_1=p_2-p_1/p_2+p_1的函数关系.在没有计算机的条件下,这些数表可用于手工修正.     

用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算

利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响.     

用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算

利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布.在适当的测量深度,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定,从而得到硅片中硼原子的深度分布.用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响.若探针针尖半径为r0,测量斜面的角度为ξ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时,可以近似认为深度分辨率为7.86r0sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响.     

快速自动测量的扩展电阻探针

一 引言 由于扩展电阻探针测量半导体材料电阻率具有极高的空间分辨率(一般可达10~(-9)cm~3),因此它被用来测量电阻率的微区分布和研究各种缺陷的电学行为等。 大规模集成电路的飞跃发展,对半导体材料提出了各种新的要求。为了提高器件性能和成品率,要求元件参数的一致性,对材料的完整性和均匀性就提出了苛刻的要求。为使扩展电阻法在研究适用于     

ADSL技术及其应用

介绍了ADSL宽带接入网技术和三种调制技术，最后阐述了ADSL在用户接入网中的一种应用并展示了ADSL的发展。     

图象压缩技术及其应用

本文介绍当前图象数据压缩技术的研究与应用，对于静态图象重点讨论以人眼视觉感知特性为指导的压缩技术，对于动态图象压缩技术，着重介绍ＭＰＥＧ－２及正在发展中的ＭＰＥＧ－４的一些目标和特点，以及基于模型的编码方法，文中还简介了图象压缩技术的应用和产品研制情况。     

光纤放大器技术与应用

介绍了光纤放大器（ＯＦＡ）的原理、结构及工作模式;分析了影响ＯＦＡ的传输应用的主要因素;结合我国现有光纤光缆情况,论述了ＯＦＡ的工程应用设计。     

格的归约理论和它在密码学中的应用

介绍和讨论了格理论在公钥密码体制中的应用.利用格的归约技术可以分析研究计算部分密钥位与整个密钥位的计算复杂性.在均匀模式下,计算基于公钥系统的Okamoto协议的2loglogp密钥位与计算整个密钥的难度是相同的.用格的理论建立了一个公钥密码系统,且该系统是安全的,除非能够在多项式时间内从n维格L中找到最短的非零向量.     

超宽带技术及其在CATV中的应用

本首先说明了超宽带(UWB)无线通信技术的概念及其基本工作原理．包括信号特性、多址方式、收发机结构及UWB无线标准等。最后介绍了UWB应用于宽带同轴电缆．特别是CATV／HFCS系统中的技术。     

THz射线成像技术及其应用

THz射线是介于微波和红外光之间的电磁波，可被用于图像分析系统，实现对物体的无损检测、分析蛋白质等大分子的三维乃至四维结构。本文介绍了THz射线的概念、特点、应用及其发展前景。     

二探针扩展电阻分布法在IC芯片制造中的应用

论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法,该法中两个精确排列的探针,沿着被测晶片的磨制斜面边移动,边测试,得出系列数据.二探针扩展电阻分布法采用平式针尖无凹痕接触模型和多层理论计算扩展电阻.总结了为提高测试准确性,在测试中需要注意的事项.较高的空间分辨率和先进的多层算法,使二探针扩展电阻分布法能够测试多种结构复杂的样品.因此,在IC芯片制造过程中,二探针扩展电阻分布法广泛应用于外延、注入和扩散等工艺,为工程师调试新工艺、优化工艺条件以及进行失效分析等工作,提供电阻率.深度曲线图和载流子浓度-深度曲线图等数据.