半导体蓝绿激光器的发展现状

近年来皮长半导体绿激光器的取得了引人瞩目的进展。文章介绍了利用ＺｎＳｅ和ＧａＮ两大材料轩蓝绿激光器必须解决的关键技术问题。以及蓝绿半导体激光器目前的发展现状。     

短波长半导体激光器开发动向

对ＧａＮ和ＺｎＳｅ系两类主要材料制备蓝绿色激光器方面的问题和发展动向作了介绍。     

半导体光电子器件的应用

半导体光电子器件大致分为两类:一类是将电能转变为光能的发光器件;一类是把光能转变为电能的光敏元器件.这些光电器件在工业自动控制、家用电器、少年科技模型和儿童玩具、现代通讯技术、报警以及医学和农业等诸方面均有极其广泛的应用.本文在简述光电器件工作原理的基础上,着重介绍其报警方面的应用实例.光电元器件的工作原理发光器件主要有发光二极管、发光三极管和半导体激光器件等.这些器件都是将电讯号转变成光讯号的器件,它们的基本结构是pn结,如图1所示.发光方式有多种,但用得最多的是利用pn结正向注入的少子,通过直接或间接复合而产生光的辐射,对于直接跃迁的半导体,辐射光的波长由材料的禁带宽度确定,其关系式为     

超高精度DVD用蓝光半导体激光器的发展

激光波长是限制DVD记录密度提高的关键因素,研制短波长激光器是超高密度VD用光源的重要发展方向。这里介绍这种短波长蓝光激光器（如GaN,ZnSe,SHG等）的特点及应用展望。     

半导体发光器件技术现状及其产业发展趋势

本文根据最新资料，综述了上前国内外半导体发光器件的现状和发展趋势，并对我国应如何发展光电器件提出建议。     

半导体金刚石与器件

本文介绍了半导体金刚石材料的结构、光电特性及其器件的特点,总结了与器件制备相关工艺的发展和这种器件的研制历史与现状,同时还指出了金刚石器件走向实用化所需克服的困难。     

半导体超晶格材料和光电子器件的研究和发展

半导体超晶格材料和以这些材料为基础的光电子器件是半导体科学和技术的一个新生长点。 超晶格材料是新一代半导体材料,它为新一代光电子器件奠定了基础。而这些新一代光电子器件正是廿一世纪光电子产业的核心。 半导体超晶格材料的研究和发展,把半导体光电子器件的研究和发展推进到一个崭新的阶段。可以预言,正如廿世纪是电子产业的时代一样,廿一世纪必定是光电子产业的时代。     

半导体发光器件产业现状

半导体发光器件产业现状朱野根（中国光学学电子行业协会副理事长，光电器件分会理事长，苏州２１５００７）ＴｈｅＣｕｒｒｅｎｔＳｔａｔｕｓｏｆＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅｓＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓ￥作为二十世纪科学技术发展的重要标志，高新技术产业支柱之...     

第五届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术会议

<正> 由中国电子学会半导体与集成技术和电子材料学会主持召开的第五届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1988年10月31日～11月6日在江西庐山召开。参加这次学术会议的有来自全国各地的有关研究所、高等院校、国家专利局、工厂等单位的代表154人。会议编辑出版的论文集共刊出155篇论文。大会报告了六篇论文,它们是:中国科学院半导体研究所研究员、所长王启民的《半导体光电子器件与OEIC的发展》;中国科学院上海冶金所研究员彭瑞伍的《Ⅲ-V族锑化物材料的进展》;中国科学院半导体所研究员梁骏吾的《Ⅲ—V族化合物中杂质与缺陷的相互作用》;中国科学院长春物理所高级工程师吕安德的《原子层外延及其进展》;河北半导体研究所高级工程师、副总工程师梁春广的《InAIAs/InGaAs/InP MESFET研究》;南京电子器件研究所高级工程师黄廷荣的《化合物半导体光逻辑器件研究现状及研究战略》。     

蓝绿光半导体光电子器件的研究与发展现状

综述了CaN和ZnSe两大系列半导体光电子器件的研究与发展现状,重点讨论了材料的生长方法,给出了器件发展的最高水平。     

第七届全国化合物半导体和微波、光电器件学术会议简况

<正>由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第七届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1992年8月26日至30日在河北省北戴河召开。参加这次学术年会的代表来自全国40个单位,184人。机电部总工程师俞忠钰出席了大会,并就我国电于工业的发展作了重要讲话。会议录用论文176篇,其中特邀报告8篇,在大会上宣读了4篇。它们是:国家自然科学基金委员会许振嘉研究员的“金属-砷化镓研究”;北京大学秦国刚教授的“发可见光的多孔硅”;北京电子管厂苏里曼高级工程师的“InP异质结晶体管”和河北半导体研究所所长毕克允的“集中力量发展我国的砷化镓技术”。     

AIN膜及其在半导体光电器件中的应用

本文报道溅射AlN膜及其应用于半导体光电器件的实验研究结果。测定了不同条件下溅射的AlN膜厚度、淀积速率、折射率和击穿电场强度。首次用AlN膜做器件的端面保护和减反射膜以及表面钝化膜均获得成功。几种常用介质膜的实验数据对比分析表明AlN膜在半导体光电器件领域将有广阔应用前景。     

半导体量子点的器件应用

半导体量子点的生长和性质已成为当今研究的热点。以Ｓ－Ｋ生长模式已成功地生长了无缺陷的半导体量子点。由于其较强的量子效应,量子点结构的光电器件和电子器件有望比量子阱结构的器件具有更好的性能。介绍了量子点在光电器件中的一些应用,包括单电子晶体管、激光器和红外探测器等。     

第六届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议简况

<正>由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第六届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术年会,于1990年10月29日至11月3日在湖南省大庸市科技中心召开.参加这次学术年会的有来自全国71个单位的304人.本届会议共收到论文368篇,录用286篇,其中特邀报告29篇.会上宣读219篇,大会特邀报告5篇.它们是自然科学基金委员会许振嘉研究员的“GaAs表面能谱研究”;中国科学院半导体研究所副所长郑东研究员的“第三届国际亚太微波会情况”;河北半导体研究所副所长梁春广高级工程师的“GaAs HEMT     

半导体光电子器件的研究进展

文章综述ＣＬＥＯ’９４及ＩＱＥＣ’９４会议报道的有关光电子器件的发展状况，叙述了大功率ＬＤ、蓝绿光ＬＤ、垂直腔面发射半导体激光器、可调谐ＬＤ及ＯＥＩＣ的最新研究进展。     

半导体和陶瓷敏感器件的发展

本文概述敏感材料及其功能效应,半导体和陶瓷敏感器件的发展。指出集成、薄膜和多功能是敏感器件的主要发展方向。     

光电器件近年来的发展趋向

文章从不电器件的单元技术、成像器件和垂直腔面发射半导体激光器三方面评述电器件的进展，说明它是一个充满活力的研究领域。     

用超高速光电采样技术研究半导体微波器件时域特性和频域特性

本文采用超高速光电采样技术研究了半导体微波器件和单片微波集成电路（ＭＩＭＩＣ）的时域特性和频域特性．阐述了该方法的原理及优越性，对时域波形进行了分析和修正．并利用ＦＦＴ技术将时域波形转换为频域图形，得到半导体微波器件的Ｓ参数．我们建立的系统测量可达１００ＧＨｚ以上