Ta2O5介质膜和Ta2O5—SiO双层介质膜绝缘特性的实验研究

本文介绍了采用直流磁控反应溅射沉积的Ta_2O_5介质膜及由用同样方法沉积的Ta_2O_5膜和电阻式蒸发沉积的SiO膜组成的双层介质膜的绝缘特性。     

半导体用超薄介质膜的生长和特性

随着集成电路器件物理尺寸的减少,介质膜的厚度也必然相应减少。而介质膜厚度的减小又会产生一些不希望有的物理的和电学的效应,特别是通常采用的二氧化硅介质膜厚小于15nm时,这些影响更为突出。在介绍这类薄二氧化硅的生长动力学和特性时,还分析了用氮氧化硅或氮化硅来代替二氧化硅的可能性,并对这种介质的性质及其在未来半导体工艺中应用的可能性作了比较。     

用于VLSI的新型介质膜电荷特性的测试研究

介绍了采用高频C—V测试技术对快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性进行的测试研究及实验结果分析。分析表明,采用氮化后再氧化处理是减少快速热氮化的SiO_xN_y膜中固定电荷的有效途径。     

非线性介质膜波导中高阶TE模的色散特性

用微扰方法对非线性波动方程求解,导出了各阶近似下非线性介质膜波导中高阶TE模的色散方程和截止波长。研究了高阶TE模的色散特性。计算结果表明,具有功率激发阈值的高阶模的一个传播功率可能对应两个不同的传播常数,具有光学开关的特性。     

多层介质膜红外空芯光纤的传输特性

提出了一种计算多层介质膜空芯光纤损耗谱特性的方法,理论分析了介质—金属膜结构红外空芯光纤的传输损耗特性.将各层膜的厚度、材料色散和表面粗糙度等特性引入理论计算后,根据实测损耗谱估算了每层介质膜厚度.通过比较实测和理论计算损耗谱,调整优化了工艺参数.采用液相镀膜法,制作了在中红外波长带有低损耗特性的Ag/SiO2/AgI/SiO2三层介质膜结构空芯光纤.     

快速热氮化SiO_xN_y薄介质膜的电荷特性与光学性质

对于快速热氮化（ＲＴＮ）的ＳｉＯｘＮｙ薄膜（ＲＴＮＦ），本文不仅采用Ｂ－Ｔ处理高频Ｃ－Ｖ测试研究了它的电荷特性，而且还借用椭圆偏振谱技术和俄歇电子能谱分析研究了它的光学性质和微结构组分，同时还讨论了电学特性与光学性质间的相关性．实验结果表明：氮化后再氧化退火是减少ＲＴＮＦ中固定电荷的有效途径，结合Ｂ－Ｔ处理高频Ｃ－Ｖ测试技术仍适用于这种薄膜中碱金属可动离子密度的测量．研究结果还给出：类似于禁带中央界面陷阱密度，该薄膜折射率随氮化时间呈现出“回转效应”变化关系．测试分析结果并初步提出一个直接与膜的微结构组分     

用于ULSI电路的超薄栅介质膜研究

制备出６～７ｎｍ超薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ。通过对器件性能的研究发现，适当条件下Ｎ２Ｏ制备的超薄ＳｉＯｘＮｙ膜比ＳｉＯ２膜更适合ＵＬＳＩ的应用。     

双层介质膜厚度和折射率的测定

本文叙述了利用椭圆仪测量双层介质膜的厚度和折射率的原理和方法。     

高质量介质膜的淀积

打开一块当今集成电路的封帽,一层层剥去,就会在几个不同膜层发现CVD淀积的介质材料。首先,在钝化层,有保护芯片不受潮湿、不受灰尘影响、不被划伤的氮化硅或氮氧化合物薄膜。 再往下一点的芯片中,金属互连线之间,是二氧化硅和/或硼磷硅玻璃(BPSG)层。它们把金属线彼此隔离开来,并且平整化以便形成较好的台阶覆盖。BPSG和二氧     

薄膜偏光分束镜的设计与性能测试

基于MacNeille薄膜偏光分束镜的设计原理,以LaK2(1.64)玻璃为基底,采用ZrO2和SiO2为高低膜料进行膜系设计。对制作的棱镜进行测试,结果表明,透射p光偏振特性优良,其消光比高达2.1×10-4,同时发现其消光比受视场角的影响比较大,入射角越小其消光比越高。     

高功率激光对光学介质薄膜破坏机理的研究进展

本文综述了高功率激光对光学介质薄膜破坏的几种机理,着重阐述了激光等离子体及其扩展时产生的冲击波对光学介质薄膜的破坏作用.     

Thermal-sensitive BST thin film capacitors for dielectric bolometer prepared by RF magnetron sputtering

We have been developing a monolithic microbolometer technology for uncooled infrared focal plane arrays (Uncooled IRFPAs) along the route from fabricating pixels of thin-film dielectric bolometers on micromachined silicon substrates. In the paper, the thermal-sensitive barium strontium titanate (BST) thin film capacitors for that objective prepared by Radio-Frequency Magnetron sputtering have been investigated focusing on the condition of fabrication of BST thin films. Capacitor-Temperature properties of the thermal-sensitive BST thin film capacitors have been measured with impedance analyzer. According to the Capacitor-temperature curves, these indicated that the temperature coefficient of dielectric constant (TCD) within the ambient temperature region highly depended on the Radio-Frequency Magnetron sputtering condition of fabrication of BST thin films. BST thin film capacitors with TCD-value more than 21%/K have been prepared on the optimized condition. That is a good base for preparation of dielectric bolometer mode of uncooled IRFPAs.     

Cd掺杂BZCN薄膜的制备及其介电性能

用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明,沉积温度为600℃,退火温度为700℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz,测试电场强度为1.33×106 V/cm的条件下,介电可调率达到11.8%,tanδ小于0.004 2。     

A photo-oxidation generated low-k dielectric film deposited by reactive evaporation of SiO

A non-stoichiometric silicon oxide film has been deposited by evaporating SiO as a source material in Ar and O₂ mixed gas. The film is composed of SiO and SiO₂, and has a porous structure. The SiO₂ results from some part of SiO reacting with O₂ and its amount depends on the pressure in the chamber. The residual SiO in the film can be photo-oxidized into SiO₂ by ultraviolet radiation with a Hg lamp. The dielectric constant of the film after photo-oxidation is 1.89±0.04 (at frequency of 1 MHz), which shows that this porous structure film is promising for potential application as a low-k dielectric.     

固体电解质钽电容器介质膜晶化机理及其失效分析

从场致晶化和热致晶化的角度对固体电介质钽电容器介质膜晶化现象和机理进行了讨论,并结合CA45-H-35V-470μF固体电解质钽电容器的失效分析对介质膜晶化引起电容器失效进行了进一步的说明.采用筛选、物理分析和降额使用的方法,可有效避免介质膜晶化引起的钽电解电容器失效.     

高介电性纳米复合氧化膜的研究

首次在溴的丙酮溶液中,以钽作阳极,多孔型氧化铝为阴极,通过直流电沉积方法制备Ta/Al2O3复合氧化膜。结果表明:阳极钽在阴极氧化铝的表面和多孔结构内部均有沉积,并以纳米结构与多孔氧化铝结合生成复合氧化膜。     

PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性.分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件.     

Fe2O3：SnO2薄膜的气敏透射光学特性

用溶胶－－凝胶法制备Ｆｅ２Ｏ３：ＳｎＯ２薄膜，研究了它的气敏透射光学特性，分析了实验结果，并解析了气敏光学透射机理。     

PECVD法低温形成SiOxNy介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析

采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能.