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设计了一种用于射频系统的低功耗、中速中精度差分输入逐次逼近型(SAR)A/D转换器。采样完成后采用下极板对接的逻辑算法,10位SAR A/D转换器只需9位DAC即可满足其精度要求。DAC阵列采用分段电容结构,节省了芯片面积。比较器采用前置运算放大器加锁存器的结构,达到了同时兼顾速度和精度的要求。该A/D转换器芯片采用GSMC 0.13 μm 1P7M CMOS工艺制造,其核心电路尺寸为500 μm×360 μm,采用1.2 V的单电源供电。测试结果表明,当采样频率为10 MS/s,输入信号频率为2 MHz时,该SAR A/D转换器达到8.45位的有效精度,总功耗为2.17 mW;当采样频率为5 MS/s,输入信号频率为1 MHz时,该SAR A/D转换器达到8.75位的有效精度,总功耗为2.07 mW。 相似文献
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介绍了一种基于0.35μmGeSi-BiCMOS工艺的1GSPS采样/保持电路。该电路采用全差分开环结构,使用局部反馈提高开环缓冲放大器的线性度;采用增益、失调数字校正电路补偿高频输入信号衰减和工艺匹配误差造成的失调。在1GS/s采样率、484.375MHz输入信号频率、3.3V电源电压下进行仿真。结果显示,电路的SFDR达到75.6dB,THD为-74.9dB,功耗87mW。将该采样/保持电路用于一个8位1GSPSA/D转换器。流片测试结果表明,在1GSPS采样率,240.123MHz和5.123MHz输入信号下,8位A/D转换器的SNR为41.39dB和43.19dB。 相似文献
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基于65 nm CMOS工艺,设计了一种新型的CMOS主从式采样/保持电路。采用全差分开环主从式的双通道采样结构,提高了电路的线性度。采用负电压产生技术,解决了纳米级工艺下电源电压低的问题。采用Cadence Spectre软件对电路进行仿真分析。仿真结果显示,在1.9 V电源电压、相干采样下,当输入频率为1.247 5 GHz,峰-峰值为0.4 V的正弦波信号,采样率为2.5 GS/s,负载为0.8 pF时,电路的无杂散动态范围(SFDR)为78.31 dB,总谐波失真(THD)为-75.69 dB,有效位为11.51位,可用于超高速A/D转换器中。 相似文献
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设计了一种可以与晶体管跨导运算放大器特性高度比拟的运放宏模型.用该宏模型替换采样/保持电路和MDAC模块中的晶体管级放大器电路,进行FFT分析;在仿真结果相差3.2%的情况下,仿真时间为原来的1.7%,大大缩短了流水线ADC的验证周期.在该方法的指导下,设计了一个10位20 MS/s 流水线A/D转换器.在2.3 MHz输入信号下测试,该A/D转换器的ENOB为8.7位,SFDR为73 dBc;当输入信号接近奈奎斯特频率时,ENOB为8.1位. 相似文献
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介绍了一种采用0.35μm BiCMOS工艺的双路双差分采样保持电路。该电路分辨率为8位,采样率达到250 MSPS。该电路新颖的特点为利用交替工作方式,降低了电路对速度的要求。经过电路模拟仿真,在250 MSPS,输入信号为Vp-p=1 V,电源电压3.3 V时,信噪比(SNR)为55.8 dB,积分线性误差(INL)和微分线性误差(DNL)均小于8位A/D转换器的±0.2 LSB,电源电流为28 mA。样品测试结果:SNR为47.6 dB,INL、DNL小于8位A/D转换器的±0.8 LSB。 相似文献
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提出了一种基于两步转换法(5 6)的高速高精度A/D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗及面积。采用这种结构,设计了一个10位40 MHz的A/D转换器,并用0.6μm BiCMOS工艺实现。经过电路模拟仿真,在40 MHz转换速率,1 V输入信号(Vp-p),5 V电源电压时,信噪比(SNR)为63.3 dB,积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)均小于10位转换器的±0.5 LSB,电源电流为85.4 mA。样品测试结果:SNR为55 dB,INL和DNL小于10位转换器的±1.75 LSB。 相似文献