10kW全固态发射机的功率放大器

介绍全固态TS-10C型功率放大器原理和特点及其优缺点。     

浅谈10kW全固态调频发射机

10 kW全固态调频发射机是由两部一模一样的5 kW功放经功率合成后输出,每个5 kW功放是由5个一模一样的1 kW放大单元,经功率分配,合成网络输出。     

VHF频段小型化千瓦级GaN功率放大器

为了满足VHF频段对高功率放大器小型化的需求，设计并制备了一款基于0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的VHF频段小型化千瓦级功率放大器。通过采用多节微带电容网络和高介电常数的印制电路板(PCB)实现了末级功率放大器匹配电路的小型化；以高通滤波器作为级间匹配电路，在减小电路尺寸的同时，提高了链路增益；采用混合集成工艺，实现了电源调制器、前级驱动功率放大器和末级功率放大器等各单元的小型化高密度集成。测试结果表明，在0.24～0.30 GHz频带内，该功率放大器的工作电压为50 V,工作脉宽为100μs,在占空比10%、输入功率10 dBm的工作条件下，带内输出功率大于1 000 W,功率附加效率约为60%～69%,功率增益大于50 dB,功放体积为46 mm×30 mm×6 mm。     

UHF 1 kW全固态电视发射机的功率合成

随着科学技术的不断进步,全固态电视发射机将逐步替代电子管电视发射机.这主要是由于射频大功率晶体管和射频功放模块组件产品的不断开发,以及全固态机以其体积小、可靠性高、维护方便和运行费用低等独特的优点,再加上国内生产厂生产工艺的逐步成熟,在价格方面也逐步下降,已能被国内多数电视台所接受,全固态发射机在国内的市场日趋扩大.     

一种基于双级支线功分／功合网络的毫米波固态功率放大器

本文综合考虑影响合成效率的因素以及毫米波段的工艺精度，设计了一种改进型的双级支线功分／功合网络，改善了驻波比和幅相特性，保证了良好的合成效率．并在此基础上，研制了一种高性能的毫米波固态功率放大器，在38～40GH：的通带内，实现34．8dBm输出功率，55dB增益的良好电性能，具有结构简单、加工简易等特点.     

全固态电视发射机功率放大器电路及维护

1引言 由于"西新工程"的实施,宁夏回族自治区基本上完成全区电视发射机的全固态更新任务.由于全固态电视发射机功放单元和供电单元采用积木化、冗余化设计,有完善的保护、指示功能,以及热插拔和激励器主备自动切换,这就决定了电视发射机维护理念和维护方式发生改变,使得发射机功率放大器模块成为发射机主要的维护对象.本文以北京吉兆公司生产的GME1114VHF10 kW合放式全固态电视发射机为例,介绍全固态电视发射机功率放大器电路及其维护.     

Ku波段波导内空间功率合成功率放大器

随着散射通信技术的发展,对Ku频段通信系统的发射功率的要求越来越大。目前在散射通信系统Ku频段上广泛使用的功率放大器多为平面电路合成,电路合成由于传输线损耗以及电路结构随器件数量增加成非线性增长,其能够合成的固态器件数目受到限制,不能满足散射通信发射功率要求。本文介绍了一种功率容量能达到40W,散热能力达到140W,体积较小、结构设计简单、装配加工方便、性能稳定的一种Ku波段功率放大器。     

VHF宽带功率放大器设计

仿真并设计了一款VHF波段宽带大功率放大器.匹配网络采用传输线变压器宽带匹配技术以及微带混合电路,使功率极好地传输.末级采用多个放大器功率合成来满足大功率的要求.采用了负反馈网络改善电路性能,通过预失真网络的调整得到较好的功率平坦度,采用输出耦合反馈控制电路保证功放正常工作.该功放在20 MHz-90 MHz频段内输出功率大于50 dBm,且具有较好的增益平坦度和较高的效率.给出了测试结果,满足设计要求.     

反向功率放大器的有损合成技术分析

本文主要分析反向功率放大系统中功率合成端口之间的作用，无损合成和有损合成，重点分析有损功率合成的的功率和效率。     

双频高效功率放大器设计

为了提高多模通信系统前端放大器的利用率问题,基于复合左右手传输线的理论,提出了一种双频高效功率放大器的设计方法。采用负载牵引和源牵引法确定放大器高效工作状态的最佳负载阻抗和最佳源阻抗,利用复合左右手传输线的频率偏移和非线性相位来设计放大器匹配网络。通过ADS软件仿真,放大器同时工作在0．5GHz和1．2GHz的频率点时,输出功率分别为39．9dBm和37．9dBm,工作效率分别为55．7％和51．3％。     

一种Ka波段功率合成器的研究

讨论一种可用于毫米波通讯及雷达功率源的两路非谐振功率分配／合成器的设计及其参数仿真问题。这种功率分配／合成器结构简单，合成效率高．是功率合成的理想途径。     

一种高线性宽带功率合成的射频功率放大器

针对5G通信微基站,提出一种基于GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺,芯片面积为1.3 mm×1.4 mm的高线性宽带宽的射频功率放大器。该放大器采用了异相功率合成方式和J类输出匹配的方法,在两路功率放大器的输入输出端引入了90°相移以及J类模式确定最佳负载阻抗,以此实现高线性宽带宽的特性。在5 V电源和2.85 V偏置电压下,室温条件下测试结果表明,该功率放大器在2～3 GHz频带内,小信号增益为36±0.5 dB。然而在2.4～2.8 GHz频带内,该功率合成结构的功率放大器拥有饱和输出功率大于36 dBm,功率附加效率大于38%。在5G-NR,带宽100 MHz和4G-LTE、带宽20 MHz的调制信号下,在2.4～2.8 GHz工作频带测试,放大器的输出功率为22 dBm,邻近信道功率比（ACPR）约为-43 dBc。     

浅谈音频功率放大器功率传输及效率

探讨了音频功率放大器功率传输及效率问题。通过分析和计算,得到传输功率、负载变化的关系,认为在实际应用中,根据具体的功率要求,应兼顾传输功率和效率,合理地配接最佳负载。     

有关音箱与功率放大器的功率问题

专业音箱与专业功率放大器(简称功放)在设计、生产、检验、使用过程中，遇到最多的是“功率”这个参数．其好坏(因为牵涉到可靠性)极大地影响这2类产品的基本品质。就这些和“功率”有关的问题作了一些探讨。     

全固态调频广播发射机功率分配与合成技术

简要论述了大功率全固态调频发射机中功率分配与合成器的设计原理、应用举例及有关注意事项。     

基于GaN HEMT的100～1000MHz 100W宽带功率放大器设计

基于第三代半导体材料的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),运用传输线变压器(TET,Transmission Line Transformer)宽带匹配技术,研制了工作于VHF/UHF频段的功率放大器.采用推挽的结构,运用TLT进行输入输出网络匹配,成功设计了一个工作于100～1000MHz,Gain≥9.28 dB,Gain flatness≤±2.65 dB,PAE ≥40.3％,Pout≥100W的GaN宽带功率放大器.适用于干扰、宽带通讯等对带宽、功率要求较高的系统中.     

1kW宽带线性SiC功率放大器设计

简述了SiC宽禁带半导体材料的特性,通过与传统Si半导体材料相比较,该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温和热稳定性等方面具有明显优势。SiC宽禁带功率器件在输出功率、功率密度、工作频率、环境适应性等方面具有卓越的性能,在雷达发射机中有良好的应用前景。文中利用SiC宽禁带功率器件设计制作了L波段1 kW功率放大器,对SiC宽禁带功率放大器进行了性能测试,根据实验数据分析了SiC宽禁带功率器件对固态雷达发射机性能的改善。     

VHF频段宽带功放设计

针对VHF频段70³00 MHz,20 W宽带功率放大器的工程设计与实现方案进行了介绍。对各级功率放大器的增益进行了合理分配,对各级功率放大器的外围匹配电路进行了详细设计。以阻抗变换器结构和并联负反馈宽带匹配结构及功率回退法等方法为基础,优化设计,合理布局,最终使所设计的功率放大器达到了预期的指标要求。对功率放大器进行了认真的调试和详细的测试,结果表明,各项指标满足要求。