异质结双极型晶体管SPICE模型及其参数提取

将异质结双极型晶体管(HBT)模型分为本征模型和外模型,并综合考虑了异质结双极型晶体管的寄生效应、空间电荷区的复合效应、隧道效应、热效应和重搀杂效应等因数,应用VC 语言编制提取HBT模型参数软件包,根据HBT的物理参数模拟了HBT的Ⅰ-Ⅴ特性、差分电路的稳态特性和瞬态特性,并与实验结果相对比,验证了HBT模型的正确性.     

双极型晶体管直流模型参数提取的局部优化方法

采用ＳＰＩＣＥ进行电路模拟时，获取适用的晶体管模型参数是非常重要的，它将直接影响电路模拟的精度。提取模型参数的方法有分段直接提取法、整体优化法以及局部优化法。前两种方法有其各自的缺点，局部优化法针对使用它们可能遇到的问题做了改进。本文针对双极型晶体管直流模型参数的提取，详细介绍了一种局部优化方法，经过使用，能够达到满意的精度。     

双极型装控晶体管模型及原理

本文提出一种新的双极型压控晶体管模型，并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电，有较大的电流密度和功率，导电能力又受电压控制，具有较大的输入阻抗，兼有双极器件和ＭＯＳ场效应器件的特点。     

硅双极型晶体管的可缩放MEXTRAM模型及参数提取

文章在分析Mextram模型缩放性的基础上,介绍了可缩放Mextram模型的参数提取方法.结合不同几何尺寸的硅双极型晶体管的测试数据,进行了参数提取.得到的可缩放Mextram模型的仿真结果与测试数据吻合得很好.     

MOS器件中寄生双极型晶体管模型参数的提取

在晶体管GP模型基础上,采用Silvoca公司的UTMOST模型参数提取程序,得到一种双极型晶体管模型参数的提取方法.用此方法对PCM测试芯片的寄生三极管进行参数提取和模拟,模拟结果与测试结果符合得较好.     

双极晶体管整体直流模型的参数优化提取

本文叙述了采用蒙特卡罗方法进行整体双极晶体管GP模型直流参数的优化提取方案．通过拟台实验测得的晶体管参数．一次性提取出全体直流模型参数．文中最后给出了计算实例．     

晶体管直流模型参数的优化提取

本文描述了一个提取MOS场效应晶体管和双极型晶体管直流模型参数的程序。所采用的算法是Meger和Roth方法,它具有较好的收敛性。在目标函数中引入惩罚项,有效地防止了模型参数非物理解的出现。将双极型晶体管直流模型参数分组后优化提取,减少了计算量。应用本程序进行了大量实际器件参数的提取,获得了较满意的结果。     

一种芯片阶段获取集成双极晶体管交流参数的方法

本文提出了利用双极晶体管直流参数与交流参数的相关关系,利用最优化理论获取双极晶体管交流参数的方法。根据该方法成功地实现了集成电路中双极晶体管交流参数的在线提取。     

高性能双极型集成电路晶体管

本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。     

平面型磷化铟双极型晶体管

<正>本文提出并制成一种平面型InP双极型晶体管.其基区采用Zn扩散,发射区采用Si离子注入,结果表明晶体管的共发射极电流增益h_(FE)=20,器件可在很小电流下工作(I_C=1μA,h_(FE)=5).由于器件结构和工艺类似Si平面晶体管,预计它可广泛应用于InP高速电路和光电单片集成电路.     

优化的BSIM3V3模型参数提取策略

采用Ｓｉｌｖｏｃａ公司的ＵＴＭＯＳＴ模型参数提取程序对ＢＳＩＭ３Ｖ３模型参数进行提取,提出了ＢＳＩＭ３Ｖ３模型参数随器件尺寸变化的规律,并将此方法应用于清华大学微电子所工艺线１．０μｍ工艺,给出此工艺下的多尺寸器件的ＢＳＩＭ３Ｖ３模型参数。同时,对该方法的准确性进行了分析。     

SiGe HBT MEXTRAM模型参数的直接提取

提出了一种锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)MEXTRAM集约模型参数的直接提取方法。该方法通过有效地区分各种器件物理效应对器件性能的影响,无需电路仿真器,就能够提取器件的模型参数,简便实用。通过提取实验制备的SiGe HBT器件的整套MEXTRAM模型参数,仿真曲线与测试数据吻合良好,证实了该方法的精确性和有效性。     

MOSFET衬底电流模型及参数提取

在短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟ＭＯＳＦＥＴ实测结果比较接近,可应用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性模拟与监测研究和亚微米ＣＭＯＳ电路设计。     

GaAsFET大信号模型与参数提取

提出适用于功率ＧａＡｓＦＥＴ的新的大信号模型以及脉冲Ｉ－Ｖ和小信号Ｓ参数相结合的整体化参数提取方法。用研制出的大信号建模软件提取了功率ＦＥＴ的大信号模型参数，并用该模型模拟和测量了器件大信号Ｓ参数，结果完全一致。     

一种优化的SiGe HBT集约模型及参数提取方法

通过合理简化和改进MEXTRAM模型,提出了一种优化的SiGe HBT集约模型和参数提取方法;精确提取了一组微波SiGe HBT的模型参数。仿真结果与测试数据的相对误差不超过3%。     

一种确定弱非线性双端口网络模型参数的新方法

非线性传输函数模型和非线性电流源模型是利用Volterra级数对非线性动态电路建模的两种形式;本文提出一种确定一类弱非线性双端口网络非线性电流源模型参数的方法,它通过测量网络的端口特性来确定其模型参数;这种方法比测量Volterra核的方法简单方便。     

一种AlGaN/GaN HEMT非线性器件模型参数提取的方法

该文提出一种新的绝对误差函数,应用该函数进行非线性模型参数提取可以避免计算误差,显著降低参数提取的不准确性。由于氮化物半导体器件,尤其是AlGaN/GaN HEMT器件已经开始得到广泛应用,其模型和参数对射频和电力电子器件和电路设计至关重要,分别使用3种误差函数对 AlGaN/GaN HEMT器件模型进行了参数提取并对比,对比结果表明该文提出的误差函数更加精确和有效。同时为今后的电子器件的模型参数提取提供了一种有效且精确的方法。