C波段GaAs FET VCO设计的一种方法

在小信号Ｓ参数基础上，提出了一种宽带优化方法，设计了宽调谐、低相噪ＧａＡｓＦＥＴＶＣＯ。用该方法设计的Ｃ波段ＧａＡｓＦＥＴＶＣＯ用变容二级管调谐，其电压调谐范围在０～１５Ｖ，在调谐带宽为５００ＭＨｚ范围内ＶＣＯ的调谐线性度为１：１．５，带内相位噪声优于－８２ｄＢｃ（偏离１００ｋＨｚ处）输出功率大于２０ｍＷ，功率起伏小于±１ｄＢ。     

声表面波VCO的研制

介绍了１５５．５２ＭＨｚ、６２２．０８ＭＨｚ声表面波（ＳＡＷ）、１２４４．１６ＭＨｚ浅体波（ＳＴＷ）压控振荡器（ＶＣＯ）的原理、设计和性能。采用低插损、高Ｑ值的ＳＡＷ延迟线和ＳＴＷ谐振器，高性能微波放大器，变容二极管电移相器，使振荡器具有非常低的相位噪声（＜－１４０ｄＢｃ／Ｈｚａｔ１００ｋＨｚ）、高输出功率（＞９ｄＢｍ）、低温度－频率漂移（＜±３５ｐｐｍ，温度范围：－５～６０℃）、大频率调谐范围（＞４００ｐｐｍ）。     

100dB高隔离无反射固态开关

ＡｍｅｒｉｃａｎＭｉｃｘｒｏｗａｖｅ推出了ＳＷＭ-６０００-１ＤＴＵ-ＧＢ高隔离度无反射ＳＰＳＴ固态开关,该开关的隔离度高达１００ｄＢ,开关速度极快,为２０ｎｓ,在１０ＭＨｚ～２ＧＨｚ的频带内,插入损耗为３ｄＢ,最大驻波比为２,工作电流和电压分别为±１０ｍＡ和±５ＶＤＣ,采用ＥＣＬ逻辑控制（兼容ＴＴＬ）,大小为３８１×３８１×１０２ｍｍ,具有可移动式ＳＭＡ连接器。100dB高隔离无反射固态开关     

高线性、高效SiGe MMIC

ＳｔａｎｆｏｒｄＭｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅＳ’ＳＧＡ - 60 0 0系列高线性ＳｉＧｅＲＦＩＣＭＭＩＣ放大器采用可挠性工业标准 85ｍｉｌ,ＳＯＴ89和ＳＯＴ2 3- 5表面安装塑料封装。这些无条件稳定的放大器在 4 2Ｖ单一电源电压和 75ｍＡ下工作 ,适用于家庭ＲＦ ,无线网和ＩＥＥＥ80 2 11。型号为ＳＧＡ - 6388在 1ｄＢ压缩点 ,输出功率为 2 0ｄＢｍ ,输出ＴＯＩ(ｔｈｉｒｄ ｏｒｄｅｒｉｎｔｅｒｃｅｐｔ)点为 36ｄＢｍ ,在 90 0ＭＨｚ下 ,增益为 15 5ｄＢ。ＳＧＡ - 6388的单价为 1 2 1美元高线性、高效SiGe MMIC@一凡…     

可用于VHF-TV的6路功率分配/合成器

Ｍｉｎｉ-Ｃｉｒｃｕｉｔｓ研制的ＡＤ６ＰＳ-１型６路功率分配／合成器可用于ＶＨＦ-ＴＶ频段,它的频率范围为２ＭＨｚ～２５０ＭＨｚ,输入阻抗为５０Ω,各路之间的隔离可达３０ｄＢ,带中的幅度和相位波动分别为０４ｄＢ和６Ｏ,输入驻波比为１０。该器件剖面低,采用可水洗包装。可用于VHF-TV的6路功率分配/合成器     

宽带固态可编程衰减器

５０Ｐ-１３９１型固态可编程衰减器是ＪＦＷＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓ推出的一种新型衰减器,它的频率范围为８００～３０００ＭＨｚ,衰减范围为０～６０ｄＢ,衰减步长为１ｄＢ。该衰减器的开关速度为５μｓ,在３０００ＭＨｚ时的衰减精度为±３%,三阶截断点为+４０ｄＢｍ,输入功率为+２０ｄＢｍ。器件含有内插式ＴＴＬ驱动器,采用ＳＭＡ阴式接头。宽带固态可编程衰减器     

产品之窗

半导体和ＩＣ节省２０％元件数的ＰｅｎｔｉｕｍＩＩ设计套件查询号１６９ＩＲＶＲＭ２ＰｅｎｔｉｕｍＩＩ设计套件包括集成补偿回路，内部上拉电阻器和２０ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ，它可节省２０％的元件数。适用于２３３～２６６ＭＨｚ处理器套件的ＭＯＳＦＥＴ...     

收发共用高功率双定向耦合器

Ｍ／Ａ-ＣＯＭ推出了ＣＨ２０系列低耗、高功率双定向耦合器。它的工作频率为１８５０～１９９０ＭＨｚ,覆盖了ＰＣＳ发射和接收频段。该耦合器的方向性为２５ｄＢ,耦合平坦度为０．２５ｄＢ,最大输入功率为５００Ｗ,主传输线上的驻波比为１１０,耦合线上的驻波比为１．２０,插入损耗为０．１２ｄＢ,工作温度在０～+７０℃范围。收发共用高功率双定向耦合器     

2cm波段耿管电调振荡器

报道了采用部分集成方案研制的Ｋｕ波段变容管调谐耿管振荡器（ＶＣＯ）及两管功率合成器。研制的两只中心频率为１６和１７ＧＨＺ的电调振荡器，其中１６ＧＨＺ的电调带宽大于６４０ＭＨｚ，输出功率大于１１０ｍＷ，功率起伏小于０．６ｄＢ；而１７ＧＨｚ的电调带宽大于２３０ＭＨｚ，输出功率大于１１０ｍＷ，功率起伏小于０．９ｄＢ。两管功率合成器的振荡频率为１７．３ＧＨｚ，输出功率达２５０ｍＷ．     

400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管

研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连续波输出２５０Ｗ，增益１０ｄＢ，漏极效率６０％．     

声表面波技术

１声表面波技术９５３０２用于时钟恢复系统的１７４．０８ＡＩＨｚ８ＡＷＦ——ＣａｂｒｄｒａＣＭ．ＳＢＭＯＩｎｔｅｒｎＭｉｃｒｏｗｔａｖｅＣｏｎｆ／ＢｒａｚｉｌＰｒｏｃ，１９９３；１：２９～３４将１７４．０８ＭＨｚＳＡｗＦ用于ＳＯＮＥＴ系统的时钟恢复部件...     

高性能PCS双工器

Ｋ&ＬＭｉｃｒｏｗａｖｅ推出了ＷＳＤ-００１３２／００１３３／００１３４型高性能ＰＣＳ双工器。这三种型号的接收频段分别为１８５０～１８７０ＭＨｚ、１８７０～１８９０ＭＨｚ和１８９０～１９１０ＭＨｚ,它们的发射频段分别为１９３０～１９５０ＭＨｚ、１９５０～１９７０ＭＨｚ和１９７０～１９９０ＭＨｚ。接收带内的插入损耗小于１．５ｄＢ,发射带内的插入损耗小于０．９ｄＢ;所有带内的回波损耗最小为１４ｄＢ,可额定发射１０ＷＣＷ和１００ＷＰＩＰ（瞬时功率）。工作温度范围为０～５０℃,大小为１０６．７ｍｍ×６３．５ｍ…     

30～40GHz单片压控振荡器

３０～４０ＧＨｚ单片压控振荡器据《ＩＥＥＥＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＧｕｉｄｅｄＷａｖｅＬｅｔｔ．》第４卷第８期报道，Ｋ．Ｒｉｅｐｅ等用高速ＧａｌｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ研制成一种３０～４０ＧＨｚ的单片压控振荡器（ＶＣＯ）。该ＶＣＯ的设计采用共射极ＨＢＴ组...     

一种基于阻抗变换的低噪声LC压控振荡器设计

为了提高相位噪声性能，提出了一种基于阻抗变换模块的新型无尾电流源电感电容(LC)压控振荡器，该阻抗变换模块位于交叉耦合晶体管的漏极与栅极之间，能够减少有源器件产生的噪声，并且交叉耦合晶体管主要位于饱和区域，能够防止LC 谐振腔的品质因数降低。此外，相较于传统LC振荡器，该振荡器在低电压工作条件下能够维持低相位噪声性能，并采用0.18μｍ CMOS工艺进行了具体实现。实验结果表明:在3ＭＨｚ偏移频率的条件下，提出的振荡器相位噪声范围为-138.8ｄＢｃ / Ｈｚ~ -141.1ｄＢｃ/Ｈｚ，调谐范围增加了大约22.8％，在此调谐范围内，与其他提LC压控振荡器相比，所提方法具有更大的品质因数更，具体为191.8ｄＢｃ/Ｈｚ。     

BMHMT－Bi－MOS混合模式晶体管

本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流驱动能力，ＢＭＨＭＴ作为一种发射结具有赝异质结特性的器件，在输出电流为每单位宽度０．５ｍＡ时电流放大倍数可高达２５００（Ｖ＿（ＢＳ）＝０．６２Ｖ），在小的基区电流下，ＢＭＨＭＴ的短沟效应明显小于ＭＯＳＦＥＴ。ＰＩＳＣＥＳ模拟结果与实验结果成功地证明了ＢＭＨＭＴ的以上特点。     

扫描激光波长计

本文报道一台适用于连续可调谐激光器自动扫描控制的激光波长计．它由两组游标标准具ＶＥＴ（ＶｅｒｎｉｅｒＥｔａｌｏｎ）和一旋光单色仪ＯＡＭ（ＯｐｔｉｃａｌＡｃｔｉｖｉｔｙＭｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｏｒ）组成，波长测量重复精度优于±５０ＭＨｚ，测量波段为０．４～１．２μｍ。文中给出了在０．９３μｍ附近实验结果。     

SKY'S综合无线数据通信系统

ＳＫＹ'Ｓ综合无线数据通信系统依托ＡＭＰＳ及ＴＡＣＳ基站上的成熟技术,确保整个系统运行良好。频分双工,收发间隔１０ＭＨｚ～４５ＭＨｚ,可用频段３５０Ｍ～９００ＭＨｚ。双工无线ＭＯＤＥＭ具有ＡＴ＆ＴＥＴＣ增强功能可确保通信链络畅通可靠。ＴＡＣＳ制式（２５Ｋ带宽）ＭＯＤＥＭ最高速率１４．４ｋｂ／ｓ。ＡＭＰＳ制式（３０ＫＨｚ带宽）最高速率２８．８ｋｂ／ｓ。美国Ｒｏｃｋｗｅｌｌ公司的专用无线ＭＯＤＥＭ芯片组,确保无线通信可靠。硬件及软件的双层加密体系,有效解决了安全性问题。一个基站控制器可带１～１６个基…     

线性MOSFET混频器

ＰｅｒｅｇｒｉｎｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ推出了ＰＥ４１２０型线性ＭＯＳＦＥＴ混频器,该混频器是同类产品中的佼佼者。其工作频率为５００ＭＨｚ～２．５ＧＨｚ,这是一个无源宽带器件,具有良好的线性度,在工作频带内的转换损耗仅为６ｄＢ,因而非常适合于蜂窝和ＰＣＳ电话网络基站及电缆Ｍｏｄｅｍ使用。在用作接收时,该器件将收到的射频信号与本振输出ＬＯ混频后能产生一个中频信号。在用作发射时,它将中频和本振输出ＬＯ混频而产生一个射频输出,本振与中频和射频的隔离分别为３６ｄＢ和３４ｄＢ,工作温度范围为-４０～+８５℃。线…     

VHF高压双栅功率MOSFET的研制

采用硅栅结构的自对准离子注入工艺,研制成功了源漏击穿电压ＢＶＤＳ为１２０Ｖ、输出功率５．１Ｗ、功率增益８ｄＢ、跨导６５０ｍＳ、截止频率ｆＴ为２７０ＭＨｚ的高压双栅功率ＭＯＳＦＥＴ器件。介绍了器件结构参数和工艺参数的设计,给出了计算机数值分析结果。     

用于SDH系统的STM-64级别(10GHz)的时钟恢复电路

本文叙述基于０．１８μｍＣＭＯＳ工艺的１０ＧＨｚ时钟恢复电路的核心电路采用了辅以ＰＬＬ的注入同步窄带环形压控振荡器（ＩＳＮＲ－ＶＣＯ,ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ－ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚｅｄ ｎａｒｒｏｗｂａｎｄ ｒｉｎｇ－ＶＣＯ）。模拟结果表明,该电路能够工作在１０ＧＨｚ频率上,注人信号峰值０．４２Ｖ时,同步范围可以达到３６０ＭＨｚ。