功率晶体管安全工作区测试仪的研制

本文介绍了在功率晶体管可靠性研究领域中安全工作区测试的概念、重要性以及国内安全工作区测试的现状,并着重介绍了该测试项目所需的重要设备“功率晶体管安全工作区自动测试仪的研制思路、特色及重点解决的一些问题,最后给出了仪器所达到的技术指标.结果表明,仪器技术指标达到或部分超过了国际同类仪器(日本TS—8212)的先进水平.这种安全工作区测试仪测试快速准确、操作方便,更适合国情,有较好的应用前景.     

金刚石微波功率晶体管

本文概述了金刚石的材料特性，金刚石晶体管的结构和工艺，预计金刚石微波功率晶体管可在10GHz下，连续输出功率200W，在100GHZ下，连续输出1W。     

具有宽安全工作区的压接式IGBT芯片研制

针对柔性直流输电关键装备高压直流断路器的特殊需求,基于现有工艺平台开发了一款宽安全工作区的3 300V/50A压接式IGBT芯片。为降低2~4 ms过电流冲击过程中的芯片温升,纵向采用非穿通结构。同时,采用阶梯栅氧结构,引入第二雪崩区,降低动态闩锁发生的风险,提高器件的安全工作区。为适用于压接封装,开发了厚金属电极工艺,实现对压力的缓冲。将此结构流片验证,并进行模块级测试,芯片可在1 800V电压下达到6.5倍以上额定电流安全关断,短路电流可在20μs内安全关断,具有宽安全工作区水平。     

结构改进的高压VDMOS功率晶体管

本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。     

4.2GHz2W硅功率晶体管

<正>硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到C波段以上时,由于其频率性能的提高与输出功率、散热性能和寄生参数等都发生了尖锐的矛盾。因此,硅微波功率管在C波段以上频段发展缓慢,并且渐渐被GaAs FET功率管所替代。然而,硅双极晶体管具有比GaAs FET低得多的相位噪声,所以,C波段硅功率管在卫星通讯等微波整机系统中仍有广泛的用途,国内的需求也非常迫切。 南京电子器件研究所硅工艺线采用先进的T形电极新结构、掺砷多晶硅发射区、BF_2。离子注入形成极薄的基区、反应等离子刻蚀技术和局部氧化等技术,用Ф75mm硅片研制成功C波段硅功率管。器件的典型微波参数是:     

新型功率晶体管频率高 表面装 功率大

工业界预测,今年功率晶体管将至少增长16％,明年可能增长13％。虽然对功率晶体管的需求在增长,但象日本这样的国家没有新的制造厂家涉足这一领域,中国台湾供应厂商的数量实际上也在减少。而中国的公司却在扩大其生产能力,不过现在也面临着国内市场的日渐饱和。 现在主要原材料的价格在     

高压功率晶体管的纵向结构设计

本文给出高压功率晶体管的纵向结构设计，可以为器件的工艺设计提供依据，以及选择实施的工艺方案。