白光LED用KNaCa2（PO4）2∶Dy3+材料的制备与发光特性研究

采用高温固相法制备了KNaCa2(PO4)2∶Dy3+发光材料并对其发光特性进行了研究。光谱显示,KNaCa2(PO4)2∶Dy3+激发谱为300～500nm范围内的一系列锐谱,可被InGaN管芯和蓝光有效激发。尤其在385nm紫外光激发下,样品呈现较强白光发射,主发射峰位于485和577nm,对应Dy3+的4F9/2-6 H15/2、4F9/2-6 H13/2跃迁,形成"黄+蓝"单一基质白光。研究了Dy3+掺杂浓度对KNaCa2(PO4)2∶Dy3+发光性能的影响,随Dy3+浓度增加,发光强度先增大后减小,最佳掺杂浓度为0.04mol,Y/B值在较小范围内先增大后减小。根据Dexter理论分析其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。测量并标定了Dy3+不同浓度下样品的色坐标均呈现白光发射。研究表明,KNaCa2(PO4)2∶Dy3+材料是一种适合紫外-近紫外-蓝光激发的单一基质白光荧光粉。     

红色荧光粉Ca3Y2Si3O12∶Pr3+的制备及发光特性

通过高温固相方法合成了红色荧光粉Ca3Y2Si3O12∶Pr3+,研究了Pr3+掺杂浓度及助熔剂对荧光粉发光性能的影响。结果显示,所合成的荧光粉的主晶相为Ca3Y2Si3O12。通过分析荧光光谱,发现Ca3Y2Si3O12∶Pr3+硅酸盐荧光粉的有效激发范围可以在430~490nm范围内,并发射红光。在445nm激发下,样品发射光谱中的主发射峰分别位于610nm(3P0→3 H6)和644nm(3P0→3F2),其中610nm处峰值最大。通过改变Pr3+掺杂浓度,发现荧光粉发光强度先增大后减小,最佳Pr3+掺杂量x(Pr3+)为2.0%,超过最佳掺杂浓度表现为由离子间的相互作用导致的浓度淬灭。该荧光粉色温为2261℃。通过观察助熔剂的助熔效果,发现最佳的助熔剂H3BO3添加量为2.0%。     

Luminescent properties of KNaCa2（PO4）2：Dy3＋ phosphor for white LED

采用高温固相法制备了KNaCa2（PO4）2：Dy3＋发光材料并对其发光特性进行了研究。光谱显示,KNaCa2（PO4）2：Dy3＋激发谱为300～500nm范围内的一系列锐谱,可被InGaN管芯和蓝光有效激发。尤其在385nm紫外光激发下,样品呈现较强白光发射,主发射峰位于485和577nm,对应Dy3＋的。F9/2-6H15／2、4F9/2-6H13/2跃迁,形成“黄＋蓝”单一基质白光。研究了Dy3＋掺杂浓度对KNaCa2（PO4）2：Dy3＋发光性能的影响,随Dy3＋浓度增加,发光强度先增大后减小,最佳掺杂浓度为0．04mol,Y／B值在较小范围内先增大后减小。根据Dexter理论分析其浓度猝灭机理为电偶极一电偶极相互作用。测量并标定了Dy抖不同浓度下样品的色坐标均呈现白光发射。研究表明,KNaCa2（PO4）2：Dy3＋材料是一种适合紫外-近紫外-蓝光激发的单一基质白光荧光粉。     

Gd_2O_2SO_4∶Dy~(3+)纳米粉体的共沉淀法合成及光致发光研究

采用Gd2O3、Dy2O3、H2SO4和NaOH为实验原料,通过共沉淀法合成了Gd2O2SO4∶Dy3+纳米粉体。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)光谱等手段对合成的粉体进行了表征。XRD分析表明前躯体在空气气氛下900℃煅烧2h能转化成纯相的Gd2O2SO4∶Dy3+。TEM观察显示Gd2O2SO4∶Dy3+粉体形貌为近球形,分散性良好,粒度大小为20～40nm。PL光谱分析表明在277nm紫外光激发下,Gd2O2SO4∶Dy3+的主次发射峰分别位于575nm(黄光)和485nm(蓝光),分别归属于Dy3+的4F9/2→6H13/2和4F9/2→6H15/2跃迁。Dy3+的猝灭浓度是2%(摩尔分数),猝灭机理是由于Dy3+和Dy3+之间的交换相互作用。余辉光谱研究表明Dy3+的4F9/2→6H13/2和4F9/2→6H15/2跃迁均具有e单指数衰减行为,荧光寿命分别为0.468和0.462ms。     

高密度发光材料γ-Bi2WO6:Pr3+的发光性质研究

研究了用固相法制备的高密度发光材料γ-Bi2WO6Pr3+的结构、光致发光光谱、激发谱和γ-Bi2WO6的漫反射谱.由实验测得它的晶格参数为a=5.45A,b=16.42A,c=5.43A,密度Dx=9.53g/cm3.它的光致发光光谱主发射峰位于600、608、611、629nm,分别来自于pr3+的1D2→3H4、3P0→3H5、3P0→3H6、3P0→3F2跃迁的发射.其激发谱由位于约225～430nm范围内、最大值约在372nm的主激发带和450nm的激发峰组成;主激发带来自于基质,可能是基质的带间吸收、W-O间电荷迁移吸收和缺陷能级的吸收;450nm的激发峰来自于pr3+的3H4→3P2跃迁吸收.BWOPr3+的最佳掺杂浓度为0.8mol%左右.     

BaMg2(PO4)2:Sm3+红色荧光粉发光性质的研究

采用高温固相法合成了BaNg2(PO4)2:Sm3+红色荧光材料发光材料并对其发光特性进行了研究.该荧光粉有三个主要发射峰,分别位于564 nm、600 nm、648 nm,对应于4G5/2→6H5、4G5/2→6H7、4G5/2→6H9/2的跃迁发射,其中600 nm处发射最强,呈现红色发光.随着Sm3+浓度的增加,...     

Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+发光性能研究

通过高温固相反应制备Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+发光材料,利用XRD、FTIR、SEM、XPS和激发-发射光谱表征合成样品的性能。研究表明,使用Li2CO3-NH4F复合助熔剂,形成了长柱状形貌。在349nm或274nm激发下,Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+发出Dy3+特征峰,色坐标接近白光区域。Gd3+→Dy3+的能量传递增强了Dy3+发光强度。Dy3+最优的掺杂浓度为2%,临界传输距离为30。Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+发光材料可作为潜在的单一掺杂单一组成的白光LED发光材料。     

Ca_2SiO_3Cl_2∶Eu~(3+)材料的发光特性

采用高温固相法合成了Ca2SiO3Cl2∶Eu3+红色发光材料。利用X射线分析了材料的晶体结构,其为四方晶系;在400nm近紫外光激发下,材料呈红色发射,主发射峰位于582、599、623、655和691nm,分别对应Eu3+的5D0→7F0、7F1、7F2、7F3和7F4特征跃迁;监测599nm最强发射峰,激发光谱覆盖200～450nm,主激发峰位于400nm。研究了Eu3+摩尔浓度对Ca2SiO3Cl2∶Eu3+材料发射强度的影响,结果显示,随Eu3+浓度的增大,强度先增大、后减小,Eu3+浓度为1%时,强度最大。引入Li+后,材料的发射强度进一步增大。     

微波辐射法快速合成Dy~(3+)激活的SrMoO_4黄色荧光粉

采用微波辐射法快速合成了Dy3+掺杂SrMoO4黄色荧光粉。运用X射线衍射仪及荧光分光光度计对该荧光粉的物相结构及发光性能等进行了分析和表征。结果表明,所得的样品为四方晶系、白钨矿结构的钼酸盐,空间群为I41/a。样品的激发光谱是由位于200~340 nm的一个宽带和340~500 nm的一系列尖峰构成。宽带吸收与Mo-O及Dy-O的电荷转移过程有关,最强峰位于284 nm左右。340 nm以后的吸收峰是由于Dy3+离子的f-f跃迁引起的。发射光谱由两个窄带组成:主峰位于576 nm处的窄带属于Dy3+离子的4F9/2→6H13/2电偶极跃迁发射;另一个窄带位于480 nm左右,属于Dy3+离子的4F9/2→6H15/2跃迁发射,前者的强度远大于后者,因而,样品发黄光。同时,考察了Dy3+浓度、反应时间等对样品发光性能的影响。     

Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+的能量传递和热稳定性研究

利用高温固相反应合成了Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+荧光粉,从激发光谱、发射光谱、衰减寿命3个方面详细研究了不同激发波长下Gd3+→Dy3+的能量传递和热稳定性能。研究表明,由于Ba2Gd2Si4O13基质中Gd3+→Dy3+的能量传递,Dy3+在274nm激发的发光强度是在349nm激发的5倍;Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+荧光粉表现出较好的热稳定性,在250℃的发光强度为常温的85%;随着加热温度的升高,兰光比黄光强度下降更多,而Gd3+发光有所增加。Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+荧光粉可作为潜在的单一基质单一掺杂发光材料。     

Sr2NaMg2V3O12的合成及发光性研究

采用高温固相法制备了Sr2NaMg2V3O12荧光粉,研究了焙烧温度、保温时间和NH4VO3用量等工艺参数对合成产物发光性能的影响,得出优化的工艺条件为NH4VO3过量1.5%,600℃预烧2h后900℃保温6h。所合成Sr2NaMg2V3O12荧光粉在紫外激发下发淡蓝绿色近白光,荧光光谱分析结果显示其激发峰主要位于波长小于390nm的近紫外和紫外区,发射谱带为400～640nm,发射主峰位于470nm左右,有望成为新型近白光LED荧光粉。     

KBaPO4:Tb3+材料制备及其发光特性

采用高温固相法合成了KBaPO4:Tb3+绿色发光荧光粉,并研究了材料的发光性质.KBaPO4:Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于437、490、545、586和622 nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7FJ=6,5,4,3跃迁发射,主峰为545 nm;监测545 nm发射峰,所得激发光谱由4f 7-5d1的宽带吸收(200～330 nm)和4f-4f电子吸收(330～400 nm)组成,主峰为380 nm.研究了Tb3+掺杂浓度,电荷补偿剂Li+、Na+、K+和Cl-,及敏化剂Ce3+对KBaPO4:Tb3+材料发射强度的影响.结果显示,调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂或敏化剂均可在很大程度上提高材料的发射强度.上述结果表明KBaPO4:Tb3+材料是一种很好的近紫外光激发型高效绿色发光荧光粉.     

新型黄绿色发光材料Sr2MgSi3O9:Ce3+,Tb3+的合成及光谱分析

采用凝胶-燃烧法在活性炭弱还原气氛下成功合成了新型荧光粉Sr2MgSi3O9 :Tb3+、Sr2MgSi3O9:Ce3+,Tb3+,用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征.结果表明,所合成的发光材料与Sr2MgSi2O7具有相似的晶体结构,同属四方晶系.样品一次颗粒近似球形,粒径在100nm左右.Sr2MgSi3O9:Tb3+的激发光谱为一位于249nm的宽带,发射光谱主要由473、491、547、585nm等一系列发射峰组成,其中473nm(5D3→<7F3)为主发射峰,547nm(5D4→7F5)为次发射峰;样品Sr1.955MgSi3O9:Tb3+0.04,Ce3+0.005的激发光谱由峰值分别位于249和335nm的双激发带组成,其中后者为主激发带.在335nm激发下,其发射光谱由两部分组成,其中400nm附近的带状发射对应于Ce3+的发射,而491、547、588nm处的发射峰归属为Tb3+的5+D4→7FJ(J=6,5,4)跃迁发射,最强峰位于547nm,对应Tb3+的5D4→7F5跃迁.此外,探讨了Ce3+掺杂量对样品发光亮度的影响,发现Ce3+可以把能量传递给Tb3+,对Tb3+起到敏化作用.     

Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+的能量传递和热稳定性研究

利用高温固相反应合成了Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+荧光粉,从激发光谱、发射光谱、衰减寿命3个方面详细研究了不同激发波长下Gd3+→Dy3+的能量传递和热稳定性能。研究表明,由于Ba2Gd2Si4O13基质中Gd3+→Dy3+的能量传递,Dy3+在274nm激发的发光强度是在349nm激发的5倍;Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+荧光粉表现出较好的热稳定性,在250℃的发光强度为常温的85%;随着加热温度的升高,兰光比黄光强度下降更多,而Gd3+发光有所增加。Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+荧光粉可作为潜在的单一基质单一掺杂发光材料。     

Gd2ZnTiO6∶Sm3+荧光粉的制备及发光性能研究

通过溶胶-凝胶法制备出一系列Gd_2-2xZnTiO₆∶xSm³⁺(x=0,0.01,0.03,0.05,0.07,0.09,0.11)橙红色荧光粉,并对样品的晶体结构、微观形貌及荧光性能进行了测试和研究。结果表明：所制Gd₂ZnTiO₆∶Sm³⁺(GZT∶Sm³⁺)荧光粉均为双钙钛矿结构,属于单斜晶系(空间群：P2₁/n),由几十微米大小无规则形状的颗粒堆积而成。在407nm近紫外光激发下,GZT∶Sm³⁺的发射光谱展示出两个较弱的发射峰(⁴G_5/2→⁶H_5/2,566nm;⁴G_5/2→⁶H_9/2,650nm)和一个较强的发射峰(⁴G_5/2→⁶H     

绿色荧光粉Zn_2Ca(PO_4)_2:Tb~(3+)的制备及发光性能研究

采用高温固相法合成了绿色荧光粉Zn2Ca(PO4)2:Tb3+,测定了该荧光粉的XRD图谱、激发光谱及发射光谱。XRD图谱表明在高温还原气氛下合成了纯相的荧光粉Zn2Ca(PO4)2:Tb3+。该荧光粉的激发谱位于340～400nm。在紫外激发下主要发射峰位于490、544、584、622nm,对应于Tb3+的5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4、5D4→7F3的特征发射。考察了Tb3+的掺杂浓度对样品发光效率的影响,分析了Tb3+的544nm发射的自身浓度猝灭机理并探讨了敏化剂Ce3+离子的加入对荧光粉发光的影响。此绿色荧光粉Zn2Ca(PO4)2:Tb3+是一种很有潜力的适于UVLED管芯激发的发光粉。     

白光LED用Ca2SiO3Cl2:Tb3+单一基质荧光粉的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法在较低温度下合成了不同浓度Tb3+掺杂的Ca2SiO3Cl2∶mTb3+单一基质白光荧光粉,并对其发光性质进行了研究。近紫外光激发下,发射光谱出现了明显的多色谱(415、440、460、486、544、595、619和700 nm)混合后发射白光。随着Tb3+浓度的增加,蓝光强度先增强后减弱,绿光不断增强,红光不断减弱,当m=0.003时荧光粉的色坐标为x=0.3174,y=0.3485,非常接近标准白光(x=0.33,y=0.33),样品呈现色温TC=6161K的正白色发光。Ca2SiO3Cl2∶Tb3+是一种具有良好白光发射的LED用单一基质荧光粉。     

溶胶-凝胶法合成Sr2SiO4:Sm3+及其发光性能

采用溶胶-凝胶法合成了Sr<,2>SiO<,4>:Sm<,3+>红色荧光粉,用XRD、SEM、PL对样品进行了结构、型貌及发光性能表征.结果表明,所得样品为单斜晶系结构,呈粒径为0.1～0.3μm、1μm左右长的纤维状小颗粒;在波长402nm的紫外激发下,样品发射光谱由位于红橙区的3个主要荧光发射峰组成,峰值分别位于568,605nm和651nm,对应了Sm<'3+>的<'4>G<,5/2>→<'6>H<,5/2>,<'4>G<,5/2>→<'6>H<,7/2>和<'4>G<,5/2>→<'6>H<,9/2>特征跃迁发射,605nm的发射最强,是一种适用于白光LED的红色荧光粉.     

Ca_(1.7)Mg_(0.3)SiO_4:Dy~(3+)白光LED荧光粉的合成与性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了Ca1.7Mg0.3SiO4:Dy3+白光LED荧光粉,通过正交试验分析了不同Dy3+掺杂浓度、合成温度以及保温时间等因素对Ca1.7Mg0.3SiO4:Dy3+荧光粉性能的影响,确定Ca1.7Mg0.3SiO4:Dy3+白光LED荧光粉最佳合成工艺条件。通过对所合成荧光粉的物相、粉体颗粒形貌表征,以及激发和发射光谱测试,焙烧温度为1300℃、保温时间3.5h条件下合成得到的Ca1.7Mg0.3SiO4:0.058Dy3+荧光粉,粉体粒径为1~2μm,无杂质相,在351nm近紫外光波激发下检测到发射光谱波长在482.0nm和577.0nm处分别有较尖锐的发射峰,其色坐标处于近白光区。     

Pr掺杂SrBi_2Ta_2O_9多功能铁电体的光致发光研究(英文)

本文报道了Pr掺杂SrBi2Ta2O9(SBTO)铋层状铁电材料的光致发光特性。通过适量的Pr掺杂制得的SrBi2Ta2O9陶瓷样品在室温下具有很强的红光和绿光发射。光致发光激发谱显示样品具有蓝光激发特性,该激发带对应Pr3+离子的基态3H4到激发态3PJ(J=0,1,2)的跃迁吸收。在蓝光激发下,样品具有宽带发射,发射峰对应Pr3+离子f-f辐射跃迁中:3P1→3H5(532 nm),3P0→3H5(546 nm),1D2→3H4(600 nm),3P0→3H6(620 nm),3P0→3F2(656 nm)和3P0→3F4(743 nm)跃迁。Pr掺杂SBTO样品蓝光激发的光致发光特性将可能使其在白光LED及其相关器件中得到应用。